در این پایان نامه، مدلسازی دقیق رفتار پالس های نوری فوق باریک در تقویت کننده نوری نیمه هادی با استفاده از معادلات انتشار غیرخطی شرودینگر بهبود یافته انجام شده است. برای این منظور، مدلی عددی مبتنی بر روش تفاضل محدود-انتشار پرتو جهت مطالعه و تحلیل انتشار پالس های فوق باریک در تقویت کننده های نوری نیمه هادی ارائه شده است. اثرات کلیه پدیده های غیرخطی شناخته شده در حوزه پیکو ثانیه و فمتو ثانیه، نظیر...

در تکنولوژی ساخت نیمه هادی ها، به کوره هایی با دقت زیاد در دمای بالا نیاز است تا در آنها عملیات آلیاژسازی، نفوذ، رشد اکسید و غیره انجام گیرد. برای داشتن ادوات نیمه هادی با مشخصات یکسان، کنترل یکنواخت درجه حرارت کوره در محدوده 1 درجه سانتیگراد ضروری است . در این پروژه کوره الکتریکی جهت عملیات روی نیمه هادی مطالعه و بررسی شده است . پس از بررسی ساختاری، مراحل شناسائی، شبیه سازی و کنترل دما روی یک ...

در این پروژه رفتار فتوالکتروشیمیایی نیمه هادی سولفید و سلنید سرب مورد بررسی قرار گرفته است.در بخش اول فتوالکتروشیمی نیمه هادی سولفید سرب را در حضور و غیاب مس بررسی می شود.به این منظور مس از محلول سولفات مس اسیدی (ph=1 )بر سطح الکترود سرب تحت یک پتانسیل ثابت ترسیب گردید.سپس سولفید سرب تحت یک پتانسیل ثابت با استفاده از محلول سولفید سدیم قلیایی (ph=13)بر آن ترسیب شد.سپس اثر مس بر رفتار فتوالکتروشی...

در این مقاله یک مبدل رزنانسی کاهنده با بهره ولتاژمنفی و بازده بالا ارائه شده است. مبدل پیشنهادی ولتاژ ورودی را معکوس و کاهش می‌دهد. از تکنیک ZCS به منظور کاهش تلفات سوئیچینگ و تداخلات الکترومغناطیسی استفاده شده است. به منظور فراهم کردن شرایط سوئیچینگ نرم برای تمام المان‌های نیمه هادی، شبکه رزنانسی LLC مورد استفاده قرار گرفته است. نتایج عملی، بی‌نقص بودن عملکرد مبدل پیشنهادی و همچنین درستی آنالی...

در این مقاله یک مبدل رزنانسی کاهنده با بهره ولتاژمنفی و بازده بالا ارائه شده است. مبدل پیشنهادی ولتاژ ورودی را معکوس و کاهش می‌دهد. از تکنیک ZCS به منظور کاهش تلفات سوئیچینگ و تداخلات الکترومغناطیسی استفاده شده است. به منظور فراهم کردن شرایط سوئیچینگ نرم برای تمام المان‌های نیمه هادی، شبکه رزنانسی LLC مورد استفاده قرار گرفته است. نتایج عملی، بی‌نقص بودن عملکرد مبدل پیشنهادی و همچنین درستی آنالی...

اگر به بررسی موبیلیتی (µ) در ترانزیستورهای لایه نازک آلی در سال های اخیر بپردازیم یک روند افزایشی را در آن به سه دلیل (1-ترکیب نیمه هادی های آلی جدید 2-اتصالات سورس ودرین وشکل بندی کلی ترانزیستور بهینه شده است 3-پارامترهای لایه رسوب شده نیمه هادی آلی بهینه شده اند) مشاهده می کنیم که ما نیز جهت رسیدن به موبیلیتی قابل قبول تحت ولتاژاعمالی گیت پایین روی آنها تمرکز می کنیم. مثلاٌ pentance یکی از عمد...

انرژی خورشیدی از جمله انرژی های دوستدار محیط زیست و یکی از منابع تمام نشدنی انرژی می باشد و برای مهار کردن آن از ابزارهایی مانند سل های خورشیدی استفاده می شود. به منظور کاهش هزینه ها و بالا بردن کیفیت سل های خورشیدی و به دنبال آن افزایش راندمان تبدیل انرژی خورشیدی به الکتریکی، از نانوکامپوزیت ها استفاده می شود. در این تحقیق، نیمه-هادیهای سولفید کادمیم و دی اکسید تیتانیم انتخاب و لایه های نازک ن...

li/mgo پایه بسیاری از کاتالیزورهای فعال برای زوج شدن اکسایشی متان (ocm) می باشد. این کاتالیزور یک نیمه هادی و همچنین یک هادی یونی می باشد، لذا مقاومت الکتریکی آن با دما و ترکیب واکنشگرها و همچنین ترکیب کاتالیزور تغییر می کند. در این تحقیق، ابتدا اثر میزان لیتیم کاتالیزور li/mgo بر روی عملکرد ocm و دهیدروژناسیون اکسایشی اتان (ocm) بررسی شد. سپس سعی شد که عملکرد کاتالیزور به هدایت الکتریکی آن مرب...

بلورهای نیمه¬هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه¬هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به¬صورت دیود و ترانزیستور به¬کار می¬رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این¬که ژرمانیوم باید به شکل تک¬بلور باشد، درجه¬ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهم ترین تکنیک رشد این بلور نیمه-هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چُکرالسکی می¬باشد. در ا...

دزیمتری فعال فردی گاما و نوترون در سال های اخیر مورد توجه بوده اند و از این میان، دیود های نیمه هادی گزینۀ مناسبی برای این منظور هستند. دیودهای نیمه هادی برای آشکارسازی ذرات باردار استفاده می شوند و برای ایجاد حساسیت نوترونی در آن ها از یک لایه مبدل استفاده می شود. نوترون ها با انجام واکنش در مبدل نوترون، ذرات باردار ثانویه تولید می کنند. این ذرات باردار ثانویه با رسیدن به آشکارساز ثبت می شوند....