در این مقاله، یک مدار تقویت‌کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm CMOS18/0 برای استفاده در سیستم‌های مخابرات نوری ارائه می‌شود. در این مدار یک پیش‌تقویت‌کننده RGC در ورودی استفاده شده است. ساختار RGC در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار RGC به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت‌کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

در این مقاله یک تقویت کننده ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده های نوری ارائه می شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm cmos طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره ی 67.5 dbω، پهنای باند 3ghz و ...

در این پایان نامه یک تقویت کننده امپدانس انتقالی با باند پهن معرفی می شود که در آن از ساختار rgc و یک شبکه هماهنگ از نوع “t” استفاده شده است. ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی بسیار کمی که ایجاد می کند در لینک های نوری برای خنثی کردن اثر ظرفیت پارازیتی حسگر های نوری در ورودی تقویت کننده های امپدانس انتقالی باند پهن مورد استفاده قرار می گیرد. تقویت کننده پیشنهاد شده در تکنولوژی µm18/0 cmos طراحی ...

در این مقاله یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده‌های نوری ارائه می‌شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می‌باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره‌ی 67.5 dBΩ، پهنای باند 3GHz و ...

در این مقاله ساختاری جدید جهت تحقق تقویت‌کننده مقاومت انتقالی (TIA) پیشنهاد می‌شود. ساختار پیشنهادی با استفاده از یک ترانزیستور سورس پیرو و ترانزیستور سورس مشترک، به‌عنوان فیدبک ولتاژ-جریان، مقاومت ورودی و مقاومت خروجی را کاهش می‌دهد. در این ساختار به‌جای استفاده از مقاومت برای تبدیل جریان به ولتاژ، ترارسانایی ترانزیستور به ترا امپدانس تبدیل می‌شود و با تزریق جریان به درین ترانزیستور، خروجی ولت...

در این مقاله یک تقویت کننده‌ی امپدانس انتقالی جهت گیرنده‌های نوری ارائه می‌شود. این تقویت کننده بر اساس توپولوژی فیدبک مقاومتی- خازنی به صورت موازی می‌باشد که از نظر توان مصرفی بهینه شده است و از تکنیک shunt peaking (بالازدگی موازی) نیز برای افزایش پهنای باند فرکانسی استفاده شده است. این مدار در تکنولوژی 0.18 µm CMOS طراحی و شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی بهره‌ی 67.5 dBΩ، پهنای باند 3GHz و ...

در این پایان نامه یک گیرنده نوری شامل تقویت کننده امپدانس انتقالی و تقویت کننده محدودکننده در فناوری cmos 180nm برای نرخ داده2.5gb/s طراحی شده است. در بخش تقویت کننده امپدانس انتقالی، یک روش فیدبک فعال جدید با استفاده از یک تضعیف کننده فعال با بهره منفی، جهت افزایش پهنای باند پیشنهاد شده است. با فرض پذیرش 7% پیک در پاسخ فرکانسی، 20% افزایش توان مصرفی و افزایش ناچیز سطح تراشه این روش می تواند حد...

هدف ما در این پایان نامه بهبود تطبیق امپدانس آنتن های آرایه فازی در یک محدوده وسیع از زاویه اسکن شده می باشد(wide angle impedance matching). قصد داریم با استفاده از متامتریال ها برای طراحی لایه های waim غیرایزوتروپیک به منظور بهبود نرخ توان انتقالی در یک محدوده وسیع از زاویه اسکن شده، به کمترین ضریب انعکاس برسیم و در نتیجه بیشترین مقدار توان انتقالی را داشته باشیم. در این تحقیق ابتدا به تحلیل و...

این پژوهش با هدف تقویت تخته فیبر نیمه سنگین با شبکه­های فلزی و مصنوعی برای افزایش مقاومت­های مکانیکی انجام شد.به این منظور تخته­های آزمونی به روش­های معمول ساخته شدند، با این تفاوت که برای تقویت تخته­ها از دو نوع شبکه تقویت کننده فلزی و مصنوعی استفاده شد که در نزدیک به هر دو رویه تخته­ها و درحدود کم­تر از 4/1 ضخامت تخته­ها تعبیه گردیدند. در ساخت تخته­ها از چسب اوره فرمالدهید استفاده شد؛ ولی در ...