نانوسیم‏ها ساختاری ‏یک بعدی هستند که به علت نسبت سطح به حجم بالا در سال‏های اخیر مورد توجه قرار گرفته‏ اند. در این میان، نانوسیم‏ های مغناطیسی با توجه به کاربردهای مختلفی که در صنایع الکترونیک، حافظه‏های مغناطیسی، بیوتکنولوژی، پزشکی و داروسازی دارند، از اهمیت ویژه‏ای برخوردار هستند. بر این‏ اساس در این پروژه نانوسیم‏های مغناطیسی آهن در قالب آلومینای آندی توسط روش الکترونهشت پالسی ساخته شده‏ اند...

نانوحسگرهای رطوبت بر اساس نانو حفره های آلومینا به روش جدید آندیزاسیون سخت مطالعه شد. برای بررسی اثر میزان آنیون های اسیدی موجود در قسمت های مختلف آلومینا بر حساسیت نانوحسگر، دو نوع حسگر دیواره و لایه سدی در دو چگالی جریان متفاوت با ولتاژهای آندیزاسیون 38 و 44 ولت ساخته شد. اثر فرکانس در بازه 3 تا 40 کیلوهرتز در ولتاژهای مختلف و در دامنه های رطوبت نسبی 40 تا 90 درصد بر حساسیت و زمان های پاسخ و ...

چکیده: در این پروژه نانوسیم¬های مغناطیسی ni در قالب حفره¬دار آلومینا رشد داده شد. ابتدا نانوحفره¬های منظم با آرایش شش گوشی با قطرnm 30و فاصله بین حفره¬ای nm 100، با روش آندایز دو مرحله¬ای ساخته شدند. از آنجا که کیفیت و چگونگی رشد نانوسیم¬ها تحت تأثیر لایه سدی آلومینا قرار می¬گیرد، به منظور بهینه سازی شرایط الکترونهشت دماهای مختلف (8، 16، 24 و 32 درجه سانتیگراد) برای لایه سدی واثر آن بر خواص مغ...

در این تحقیق، نانوسیم های مغناطیسی نیکل به روش الکترونهشت پالس ac درون قالب آلومینای آندی ساخته شده به روش آندایز دو مرحله ای رشد داده شدند. لایه سدی کف حفره ها در یک آندایز غیر تعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا ولتاژهای 16، 14، 12، 10 و 8 ولت نازک-سازی شد. اثر جریان های 10 و 20 میلی آمپر در ولتاژهای نازک سازی و زمان های خاموشی متفاوت بر درصد راندمان الکترونهشت، درصد پر شدگی حفره ها وکیفیت نانوسی...

در این پژوهش، نانوسیم¬های مغناطیسی نیکل به روش الکتروانباشت پالس ac درون قالب آلومینای آندی ساخته شده به روش آندایز دومرحله¬ای رشد داده شدند. لایه سدی کف حفره¬ها در یک آندایز غیر تعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا ولتاژهای 8، 12، 16و 20 ولت نازک سازی شد. برای هر ولتاژ نازک¬سازی 5 نمونه با شرایط الکتروانباشت، جریان ثابت 10 میلی آمپر، زمان خاموشی 48 میلی ثانیه با دماهای بستر 10، 20، 30، 40 و 50 درجه...

دو نانوساختار متفاوت، نانوسیم های مغناطیسی و فیلم های خیلی نازک ابررسانا در این پایان نامه بررسی شده است . نانوسیم های مغناطیسی در بخش اول پایان نامه آلومینای حفره دار آندی با ساختار منظم تحت شرایط آندایز مناسب تهیه شده است. نانوسیم های کبالت با استفاده از آلومینای حفره دار آندی به عنوان قالب به روش الکتروانباشت ساخته شده اند. اثر ولتاژ، فرکانس ، شکل موج الکتروانباشت و میدان مغناطیسی خارجی در ه...

در این تحقیق برای اولین بار نانوسیم های کبالت به روش الکترونهشت پالسی مستقیم در داخل نانو حفره های آلومینای حفره دار که به روش آندایز دو مرحله ای ساخته شده بود رشد داده شد. برای فراهم آمدن شرایط نهشت به روش مستقیم، لایه سدی آلومینای حفره دار در یک آندایز غیر تعادلی بر اساس یک تابع نمایی تا 2 ولت نازک گردید و سپس الکترونهشت پالسی مستقیم در اسیدیته های مختلف 4، 5/4، 75/4، 5، 25/5، 5/5 و 6 و در زم...

خواص ساختاری منحصر به فرد iii- نیتریدها این مواد را به گزینه مناسبی برای ساخت ادوات اپتوالکترونیک، به ویژهledها و سلول های خورشیدی تبدیل کرده است. ingan به دلیل دارا بودن گاف باندی مستقیم و تنظیم پذیر برای تمامی محدوده مفید طیف خورشیدی، ماده ایده آلی برای استفاده در ادوات فوتوولتائیک به شمار می رود. از طرفی به دلیل محدودیت ضخامت در لایه های شامل ایندیوم، نمی توان این لایه ها را در ابعاد کپه ای ...

در میان نانوسیم‏های مغناطیسی که تاکنون ساخته شده، نانوسیم‏های کبالت به علت ناهمسانگردی مغناطو بلوری تک محور زیاد به هنگام رشد در ساختار hcp که عامل اصلی تغییر در میکروساختار این نانوسیم‏ها می باشد، مورد توجه بسیاری از محققین واقع شده است. با توجه به اینکه رفتار لایه‏ی سدی نقش کلیدی در فرآیند الکترونهشت دارد، در این پروژه برای اولین بار با تغییر دمای لایه‏ی سدی فرآیند الکترونهشت تحت تأثیر قرار ...