در مقالۀ حاضر، مشخصه جریان-ولتاژ یک دیواره‌ مغناطیسی 2π رادیان ایجاد شده در میان دو نانوسیم از جنس نیمرسانای مغناطیسی نوع p با قطبش اسپینی بسیار بالا در دمای معین T مطالعه و بررسی شده است. در این راستا، احتمال عبور و بازتاب حامل‌ها از دیواره 2π رادیان با حل معادله جفت شده شرودینگر برای مؤلفه‌های تابع موج اسپینی با اسپین بالا و پائین تعیین شده و سپس چگرادیان با حل معادلات جفت شده شرودینگر برای م...

یکی از مفاهیم نانو مقیاس، حرکت دیواره حوزه مغناطیسی می‌باشد و در حوزه های مختلفی از جمله ذخیره اطلاعات در حافظه ها از آن استفاده می‌شود. حوزه های مغناطیسی در اثر عوامل خارجی از جمله جریان یا میدان های مغناطیسی خارجی شروع به حرکت می‌کنند و در شروع حرکت، سرعت حرکت دیواره حوزه مغناطیسی به صورت توانی با عوامل خارجی رفتار می‌کند که آن را توان جهش نیز می نامند. در این مقاله سعی شده است با استفاده از ...

در این پژوهش، چگونگی رشد حباب در فرآیندد جوشش هسته ای آب خالص و فروسیال (سیال حاوی نانوذرات اکسید آهن) بصورت عددی و با استفاده از روش حجم محدود و مدل vof مورد بررسی قرار گرفته است. پس از اعتبار سنجی نتایج بدس آمده با نتایج موجود در ادبیات فن، تاثیر اعمال میدانهای مغناطیسی غیریکنواخت محوری بر رشد یک حباب در فرآیند جوشش نانوسیال مغناطیس شونده بررسی شده است. با توجه به نتایح بدست آمده، در حضور مید...

در کار حاضر اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی طبیعی نانوسیال آب-مس با لحاظ اثر حرکت براونی نانوذرات با تولید/جذب حرارت در محفظه با هندسه‌های مختلف به روش شبکه بولتزمن برسی شده است. دیواره عمودی سمت چپ محفظه در دو حالت گرمایش دما ثابت و گرمایش بصورت دما خطی و دیواره سرد محفظه در سه شکل مختلف (الف) مورب، (ب) منحنی و (ج) صاف بررسی شده است. تأثیر پارامترهایی از قبیل عدد هارتمن، کسر حجمی نا...

چکیده در مقاله حاضر، اثر تغییر موقعیت منبع حرارتی بر انتقال حرارت نانوسیال تحت تأثیر میدان مغناطیسی درون کانال موج‌دار با دامنه و تعداد نوسان متغیر، به روش شبکه بولتزمن بررسی شده است. میدان مغناطیسی یکنواخت، عمود بر کانال اعمال شده است. نیمه ابتدایی دیواره بالایی کانال، موجی شکل با دامنه و تعداد نوسان متغیر در دمای ثابت سرد و نیمی از دیواره پایینی کانال با موقعیت متغیر، در دمای ثابت گرم قرار دا...

در کار حاضر، اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی طبیعی با استفاده از روش شبکه بولتزمن شبیه‌سازی شده است. دیواره‌ عمودی سمت چپ محفظه در دمای ثابت گرم و دیواره عمودی سمت راست محفظه دارای سه شرط مرزی دمایی مختلف (۱- دمای ثابت سرد، ۲- دمای خطی و ۳-دمای ثابت گرم) است. دو دیواره دیگر محفظه در دمای ثابت سرد قرار دارند. مانعی لوزی شکل که در مرکز محفظه قرار دارد در چهار حالت مختلف (۱- سرد، ۲- رسا...

چکیده در کار حاضر جریان گازی با نادسن خروجی 0.2 تحت تاثیر میدان مغناطیسی در یک میکروکانال که با گرادیان فشار تحریک شده مورد مطالعه قرار می گیرد. اثر تغییرات پارامترهای میدان مغناطیسی شامل قدرت و طول با اعمال سرعت لغزشی در دیواره های میکروکانال به صورت عددی شبیه سازی شده است. مدل هندسی جریان، یک مجرای مسطح دو بعدی با عرض ثابت در طول میکروکانال بوده و جریان مورد نظر پایدار و آرام فرض شده است. معا...

جابجایی انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال تشکیل شده از آب و نانو ذرات FMWNT در یک ریزکانال دو بعدی به صورت عددی مورد بررسی قرار می گیرد. دیواره ی پایینی ریزکانال کاملا عایق و دیواره ی بالایی فقط در قسمت ورودی عایق حرارتی است و مابقی آن نیز تحت تاثیر شار حرارتی ثابت می باشد. همچنین یک میدان مغناطیسی با قدرت ثابت B0 روی آن اعمال می شود. شرط مرزی سرعت لغزشی در طول دیواره های ریزکانال در نظر گرف...

در این تحقیق، به بررسی عددی تأثیر اعمال یک میدان مغناطیسی ثابت بر میدان جریان، میدان دما و انتقال حرارت در جابجایی آزاد متلاطم درون یک محفظه مربعی حاوی فلزات مایع پرداخته شده است. دیواره های چپ و راست محفظه به ترتیب، گرم و سرد و دیواره های افقی آن عایق اند. تأثیر تغییرات عدد رایلی بین 107 و 109 و عدد هارتمن بین صفر و 600 بر جابجایی آزاد فلزات مایع با عدد پرانتل 011/0، 022/0 و 054/0 با استفاده ا...

میدان مغناطیسی برپارامترهای مختلفی ازجمله جوانه زنی بذر، رشد ریشه، سرعت رشد دانه رست ،تکثیر و رشد سلولهای مریستمی ومقدارکلروفیل موثر می باشد. در تحقیق حاضر بذر های سویا در دو گروه کشت شدند. یک گروه با آب معمولی و دیگری با آبی که پس از عبور از میدان مغناطیسی متناوب 110 میلی تسلایی مغناطیده گشت آبیاری شدند. نمونه برداری از گیاهان در مراحل مختلف رشد زایشی انجام شد و اثرات آب مغناطیده بر شاخص های ر...