معمولا ًمعادلات تحول زمانی دستگاه سه ترازه (یا چند ترازه) اتمی در اندرکنش با دو (یا چند) میدان کلاسیکی با تقریب میدان ضعیف کاوشگر در حالت پایا مورد بررسی قرار می گیرد. اما این تقریب برای میدان های کوآنتیده، که هر دو میدان کاوشگر و جفت کننده شامل تعداد محدودی فوتون هستند، یا (مخصوصاً) برای میدان جفت کننده در حالت خلأ کوآنتومی، تقریب مناسبی نیست. در این مقاله معادلات دستگاه سه ترازه آبشاری، در دو چ...

معمولا ًمعادلات تحول دستگاه سه‌ترازه (یا چند ترازه) اتمی در اندرکنش با دو ( یا چند) میدان کلاسیکی با تقریب میدان ضعیف کاوشگر در حالت پایا مورد بررسی قرار می‌گیرد. اما این تقریب برای میدان‌های کوانتیده، که هر دو میدان کاوشگر و جفت‌کننده شامل تعداد محدودی فوتون هستند، یا (مخصوصا) برای میدان جفت کننده در حالت خلا کوانتومی، تقریب مناسبی نیست. در این مقاله معادلات دستگاه سه‌ترازه آبشاری، در چیدمان جف...

در این پایان نامه دو روش عددی حرکت شبکه برای تقریب معادلات میدان حالت که در دسته مسایل مرز متحرک قرار می گیرد پیشنهاد می گردد. رویکرد پیشنهادی در روش توزیع مجدد شبکه بر مبنای تفکیک سازی معادله حرکت شبکه و مساله pde و در روش هم محلی متحرک به صورت حل همزمان معادله حرکت شبکه و مسالهpde می باشد. در ضمن عملکرد ترکیب روش حرکت شبکه و روش حجم متناهی بر روی معادلات قوانین بقا اعمال می گردد. گسسته سازی ت...

در این مقاله طبیعت کوانتومی میدان الکترومغناطیسی در حضور فرامواد مورد مطالعه قرار می‌گیرد. در این راستا میدان الکترومغناطیسی در حضور فرامواد به‌صورت کانونیک کوانتیزه می‌شود. ابتدا با استفاده از معادلات اویلر-لاگرانژ، معادله حرکت لانژون برای میدان الکترومغناطیسی بدست می‌آید. سپس با استفاده از روش تبدیل لاپلاس، معادله لانژون محاسبه شده و پتانسیل برداری بر حسب عملگرهای نوفه در فراماده بدست می‌آید....

با حل معادلات تولید میدان عقبه در حضور میدان مغناطیسی خارجی، مشاهده کردیم که طول دفازه شدن و انرژی نهایی الکترون‌های شتاب گرفته به وسیلۀ میدان عقبه به قطبش تپ و راستای اعمال میدان مغناطیسی وابسته است. به طوری‌که برای حالت اعمال میدان مغناطیسی در خلاف جهت انتشار تپ لیزری با قطبش راست‌گرد، طول دفازه شدن با افزایش نسبت به دیگر حالت‌ها حدود پنج سانتی متر می‌شود و انرژی نهایی کسب شده به وسیلۀ الکترو...

در این مقاله اثر تغییرات مستقل طول میدان های الکتریکی و مغناطیسی با لحاظ نواحی نفوذ جانبی بر توزیع دما و سرعت جریان در یک ریزپمپ دیناموهیدرومغناطیسی شبیه سازی شده است. هندسه جریان ام اچ دی یک مجرای دو بعدی بین دو صفجه موازی است و معادلات حاکم بر دو میدان جریان سیال و الکترومغناطیس به روش عددی حجم محدود حل شده است. نتایج عددی نشان داد که با لحاظ تابعیت دمایی خواص برای جریان در یک مجرا به مقطع مس...

در این مقاله، سیستم با اسپین s=3/2 که در آن تبادل با نزدیک ترین همسایه مد نظر است، در تقریب میدان میانگین بررسی شده است. با استفاده از حالت های همدوس در گروه su(4) ، معادلاتی که مدل غیرهایزنبرگی همسانگرد را توصیف می کنند را به دست آورده و سپس برای برانگیختگی های خطی کوچک، معادلات پاشندگی اموج اسپینی را برای شاخه های دوقطبی و چهارقطبی در حالت پایه (خلا ء ) به دست می آوریم.

در این مقاله اثر تغییرات مستقل طول‌ میدان‌‌های الکتریکی و مغناطیسی با لحاظ نواحی نفوذ جانبی بر توزیع دما و سرعت جریان در یک ریزپمپ دیناموهیدرومغناطیسی شبیه سازی شده است. هندسه جریان ام اچ دی یک مجرای دو بعدی بین دو صفجه موازی است و معادلات حاکم بر دو میدان جریان سیال و الکترومغناطیس به روش عددی حجم محدود حل شده است. نتایج عددی نشان داد که با لحاظ تابعیت دمایی خواص برای جریان در یک مجرا به مقطع ...