نتایج جستجو برای: نانوساختارهای سیلیکون
تعداد نتایج: 1610 فیلتر نتایج به سال:
در این مقاله با استفاده از نظریه تابعی چگالی حالت های جایگزیده در ناحیه گاف انرژی نانوساختارهای بی نظم سیلیکون مورد بررسی و محاسبه قرار گرفته است. همچنین اهمیت اثر واهلش مکان اتم ها در تغییر گاف انرژی نشان داده شده است. با حذف 2% از اتم های سیلیکون با پیوندهای ضعیف و اضافه کردن هیدروژن به منظور از بین بردن پیوندهای آویزان، موفق به حذف این جایگزیدگی ها و افزایش گاف انرژی a-si شدیم. میزان افزایش ...
Renewable energy research has created a push for new materials one of the most attractive material in this field is quantum confined hybrid silicon nano-structures (nc-Si:H) embedded in hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H). The essential step for this investigation is studying a-Si and its ability to produce quantum confinement (QC) in nc-Si: H. Increasing the gap of a-Si system causes solar...
اسفنج های کربنی بر پایه رزین ها و پیش مواد پلیمری، به دلیل خواصی همچون رسانندگی گرمایی کم، پایداری گرمایی خوب، استحکام ویژه زیاد و چگالی کم، در صنایع مختلف به ویژه هوافضا، به عنوان عایق های دمازیاد، سپرهای گرمایی و ساختارهای محافظ مواد استفاده می شوند. در این مقاله، روش های تولید نانوساختارهای کربنی معرفی می شوند. با استفاده از روش قالب های پلیمری، فرایند اسفنج کردن پیش ماده های پلیمری مانن...
اسفنج های کربنی بر پایه رزین ها و پیش مواد پلیمری، به دلیل خواصی همچون رسانندگی گرمایی کم، پایداری گرمایی خوب، استحکام ویژه زیاد و چگالی کم، در صنایع مختلف به ویژه هوافضا، به عنوان عایق های دمازیاد، سپرهای گرمایی و ساختارهای محافظ مواد استفاده می شوند. در این مقاله، روش های تولید نانوساختارهای کربنی معرفی می شوند. با استفاده از روش قالب های پلیمری، فرایند اسفنج کردن پیش ماده های پلیمری مانن...
در این تحقیق تجربی، مورفولوژی به همراه آنالیز عنصری، خواص ساختاری و اپتیکی نانوساختارهای اکسید سیلیکون رشد داده شده به روش جایگذاری بخار شیمیایی (cvd) بر روی ویفر سیلیکون را مورد بررسی قرار داده ایم. در این مطالعه از دستگاه های میکروسکوپ الکترونی گسیل گرمایونی (sem)، پراش پرتو ایکس (xrd) و فوتولومینسانس (pl) استفاده کرده ایم. در نمونه های سنتز شده در این روش، نانو ساختارهای اکسید سیلیکون با اس...
نظریه تابعی چگالی (dft) یکی از پرکاربردترین و موفق ترین نظریات در فیزیک محاسباتی است که با مجموعه ای از شبیه سازی های ساده توانایی پیش بینی خواص ترکیب ها و ساختارهای نو و پیچیده را داراست.این رساله که محاسبات آن بر پایه dft است، شامل دو قسمت اصلی به شرح زیر است: پس از مروری مختصر بر نظریه تابعی چگالی و اهمیت آن در فیزیک، در قسمت اول که شامل فصل های دو، سه و چهار است، با استفاده از بسته م...
با توسعه نانوتکنولوژی، روش های نوینی برای ساخت سلول های خورشیدی با کارایی بالا و البته کم هزینه تر به منظور تولید الکتریسیته فراهم آمده است. نانوذرات فلزی، پلاسمون های سطحی را ایجاد می کنند که توسط نوسانات تجمعی الکترون های آزاد، برانگیخته شده و با فرکانس تشدید مشخص می شوند. نانوساختارهای فلزی می توانند به طور چشمگیری طول مسیر اپتیکی را در لایه ی نازک فعال افزایش دهند و جذب فوتونی را بهبود دهند...
در این مقاله، نانوسیمهای SnO2 با قطر متفاوت به روش رسوبدهی بخار شیمیایی (CVD) بر روی زیرلایههای آلومینا، کوارتز و سیلیکون (100) سنتز شدند. نانوساختارهای یک بعدی سنتز شده بوسیله پراش پرتو X، میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف فوتولومینسانس و میکروسکوپ الکترونی عبوری مشخصهیابی شدند. از نانوسیمهای SnO2 به عنوان لایه حساس و فعال در ساخت حسگر گاز استفاده شده است. برای ایجاد اتصال الکتریکی یک جفت الک...
در این پژوهش رشد و گسترش نانو ساختارهای اکسید روی با استفاده از گرانول روی در شکل های لایه نازک و پودر مورد بررسی قرار گرفت. رسوب بخار شیمیایی برای بررسی شرایط رشد بکار برده می شود. افزایش درجه حرارت به ترتیب روی 820، 860، 900 و 950 درجه سلسیوس تنظیم شد. نسبت جریان برای ar/o2 در فلوی ثابت sccm 200 نگه داشته شد؛ البته با نسبت 200/0 ، 100/100 و 50/150 . نانوساختارها بر روی زیرلایه های سیلیکون و ...
با توجه به پتانسیل کاربردی نانوساختارهای sno2 در ساخت حسگرهای گازی، سلول¬های خورشیدی، الکترودهای رسانش شفاف و وسایل اپتوالکترونیک این موضوع انتخاب شد. در این تحقیق، نانوسیم¬های دی¬اکسید قلع به¬روش تبخیر حرارتی، بر روی زیرلایه¬ی سیلیکون تهیه شده¬اند و هم¬چنین اثر پارامترهای مختلف رشد در فرآیند تبخیر حرارتی از قبیل دمای زیرلایه، زمان پخت، دمای واکنش و میزان شار گاز نیتروژن بر اندازه، ساختار و ریخ...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید