نیروی بازیابی و تغییر شکل بالا از مزایای آلیاژهای حافظه دار می باشد. استفاده از آلیاژهای حافظه دار لایه نازک به علت افزایش نسبت سطح به حجم باعث بهبود سرعت پاسخ و زمان بازیابی می گردد. آرایه هایی از نانو سیمهای مسی (هدایت حرارتی بالا) بر روی آلیاژهای حافظه دار لایه نازک، می تواند به منظور انتقال سریعتر حرارت به این آلیاژها و در نتیجه بهبود زمان پاسخ دهی مورد استفاده قرار گیرد. در این پایان نامه...

مواد نانوساختار، به علت ویژگی های ابعادیشان، پتانسیل فراوانی برای کاربردهای تکنولوژیکی دارند. این طرح تحقیق، متمرکز بر تولید نانوحفره های اکسید آلومینیوم با نظم بالا و نانوسیم های مس در داخل آن، می باشد. ابتدا، روش های تولید مواد نانوساختار، برهم کنش های وان دروالس میان آنها و روش های آندیزاسیون آلومینا مورد مطالعه قرار گرفت. سپس نانوحفره های آلومینا در آزمایشگاه با استفاده از روش آندایز اکسید ...

فناوری نانو شامل تصویرسازی، اندازه گیری، تولید و استفاده از اجسام در مقیاس های بین 1 تا 100 نانومتر می باشد. نانوسیم ها ساختارهای تک بعدی با قطری از مرتبه ی چند نانومتر و طول چند میکرون می باشند که نسبت سطح به حجم بالایی دارند و بنابراین خواص فیزیکی آن ها با سایر ساختارها متفاوت است. در این تحقیق، از روش اکسیداسیون مستقیم جهت تولید نانوسیم های اکسیدمس، استفاده شد. طی این روش نانوسیم ها پس از حر...

در این رساله رفتار و خواص مکانیکی نانوسیم های فلزی با استفاده از مدلسازی دینامیک ملکولی و تئوری الاستیسیته سطح مورد تحلیل و بررسی قرار گرفته است. در فصل سوم نتایج حاصل از مدلسازی دینامیک ملکولی برای نانوسیم مس با سطح مقطع مربعی و مستطیلی در حالت بارگذاری تک محوری الاستیک و غیرالاستیک ارائه می شود. تمامی مدلسازی ها دینامیک ملکولی با استفاده از نرم افزار لامپس (lammps) انجام پذیرفته است. نمودار...

در این مقاله، نانوسیم های اکسید روی درون قالب نانوحفره ای آلومینای آندایز شده به روش آندایز دو مرحله ای سنتز شدند. ویژگی های فیزیکی نانوسیم های اکسید روی با استفاده از تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف پراکندگی پرتو ایکس و طیف سنجی پراش انرژی پرتو ایکس و همچنین تغییرات مقاومت الکتریکی با دما توسط سامانه طراحی شده، مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می دهد که نانوسیم های اکسید روی دارای قطر 66 ...

در این مقاله با استفاده از روش مکانیک ساختاری و نرم افزار ABAQUS نانو سیم‌های سیلیسیم و مدل‌سازی و تحلیل شده است. میدان‌های نیروی بکار گرقته شده جهت مدل‌سازی در این مطالعه، میدان نیروی DREIDING است. در این تحلیل بار بحرانی کمانشی برای ضخامت-های 1 تا 4 نانومتر با طول‌های 5/0 تا 20 نانومتر محاسبه شده است. نتایج نشان می‌دهد بار بحرانی کمانشی در نسبت های طول به ضخامت نانوسیم، کمتر از 10 از رابطه او...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

در این مقاله رسانندگی گرمایی در یک دستگاه یک‌بُعدی، شامل نانوسیم‌های نیم‌رسانا با جنس سیلیکن و گالیوم آرسنیک محاسبه و رسم شده است. روش به‌کاررفته حل معادلۀ بولتزمن برای پراکندگی فونونی است. در مواردی که پراکندگی خالص فصل مشترک باشد، رسانندگی هم در نانوسیم سیلیکنی و گالیوم آرسنیکی مقدار بیشتری را نشان می‌دهد. رسانندگی با افزایش قطر نانوسیم افزایش می‌یابد. دو مدل متفاوت برای رسانندگی در این پژوهش ...

در این مقاله، بر اساس نظریه تابعی چگالی و با استفاده از تقریب شیب تعمیم یافته، پس از بهینه سازی ساختار نانوسیم های اکسید روی با سطح غیر اشباع و اشباع شده با اتم های هیدروژن در جهت [000 1  ] ، به مطالعه اثرات فشار تک محور بر ساختار نانوسیم و محاسبه مدول یانگ و ضریب مؤثر پیزوالکتریک آنها پرداخته ایم. همچنین تأثیر فشار تک محور بر قسمت موهومی تابع دی الکتریک را نشان داده ایم.