نتایج جستجو برای: ژرمانیم نیم رسانا

تعداد نتایج: 7857  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1388

اغلب وسـایل نیمرسـانای مهـم بر اساس انتقال حفـره به عنـوان جریان غالب حامل¬ها عمل می¬کنند. ترانزیستورهای دوقطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی کانال p، ترانزیستورهای دوقطبی چند عنصری از این جمله¬اند. به علت تبهگنی در k =0، و برهمکنش بین نزدیکترین نوارها، وارد کردن اثر ناسهمی گونی و واپیچش در محاسبات مربوط به خواص انتقال حفره ها در سیلیکان و ژرمانیوم مهم است. این تحلیل بویژه هنگامیکه تبهگنی با در¬نظ...

پایان نامه :0 1381

در این پایان نامه سعی شده است برخی از خواص الکترونیکی ساختار ‏‎si/ge‎‏ به صورت نظری محاسبه و با مقادیر تجربی مقایسه گردد. تکنیک به کار رفته در این محاسبات استفاده از روش خودسازگار و نظریه تابعی چگالی در چارچوب شبه پتانسیلهای ابتدا به ساکن می باشد.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه لرستان - دانشکده علوم پایه 1392

در این مطالعه، طیف اتلاف انرژی الکترون نزدیک لبه (elnes) برای ترکیب های geo2 و sio2، به روش امواج تخت بهساخته خطی با پتانسیل کامل و در چارچوب نظریه تابع چگالی محاسبه شده است در این محاسبات فازهای روتایل دو ترکیب را با تقریب lda و mbj و نیز فازهای آلفا کوارتز از ترکیب sio2 و فاز cacl2 از ترکیب geo2 را با استفاده از تقریب lda رابدست آورده و آن ها را مورد مقایسه قرار داده ایم. محاسبات حاکی از انطب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه بوعلی سینا - دانشکده علوم پایه 1393

بلورهای نیمه¬هادی کاربرد وسیعی در ساخت قطعات الکترونیکی و مدارهای مجتمع دارند. ژرمانیوم یکی از بلورهای نیمه¬هادی است که در صنایع الکترونیک و مخابرات به¬صورت دیود و ترانزیستور به¬کار می¬رود. در کاربردهای الکتریکی علاوه بر این¬که ژرمانیوم باید به شکل تک¬بلور باشد، درجه¬ی خلوص آن نیز از اهمیت زیادی برخوردار است. مهم ترین تکنیک رشد این بلور نیمه-هادی، رشد از فاز مذاب و به روش چُکرالسکی می¬باشد. در ا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده فیزیک 1393

led های ابر لیانی یا دیودهای نور گسیل ابر لیانی قطعاتی هستند که جهت مندی باریکه دیود لیزری را با گسیل طیف پهن دیود های نور گسیل ترکیب می کنند و این خصوصیات ویژه باعث افزایش کارایی در جفت شدگی با فیبرهای نوری ، سیستم های تصویر برداری پزشکی و ... می شوند . در این تحقیق مدل سازی ساختار دیودهای نورگسیل ابر لیانی ، فیزیک قطعه ومشخصه های مورد نظر قطعه بیان خواهند شد. روش بررسی ما بر اساس حل معادلات آ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ارومیه - دانشکده علوم پایه 1393

نانو مواد چند بعدی شامل نقاط، سیم¬ها و چاه¬های کوانتومی می¬باشند.با کاهش ابعاد یک ماده در حد کمتر از 100 نانومتر، ساختارهای نانو مواد چند بعدی شکل می¬گیرد که تغییرات خواص آنها از فیزیک مکانیک کوانتومی نشات می¬گیرد. برای قابل استفاده ساختن، آنها با یکدیگر و یا با الکترودهایی که می¬توانند به آنها الکترون داده یا از آنها الکترون بگیرند، وصل شوند که در کار حاضر به آن پرداخته شده است. سازوکار فیزیکی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه فردوسی مشهد 1388

خواص ساختاری، الکترونیکی و اپتیکی اکسید ایندیم خالص و آلاییده با sc ، y ، la و ac بصورت نظری و تجربی بررسی شده است. در انجام محاسبات نظری از روش پتانسیل کامل موج تخت افزوده شده خطی(fp-lapw) و از تقریب چگالی موضعی، که پتانسیل هوبارد به آن اضافه شده (lda+u)، استفاده گردیده است. نتایج محاسبات نظری نشان می دهد که اکسید ایندیم دو نوع گاف نواری دارد و نیز گاف نواری اکسید ایندیم آلاییده با sc و y ،در ...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
حسن ربانی h rabani shahrekord universityدانشگاه شهرکرد محمد مردانی m mardaani shahrekord universityدانشگاه شهرکرد سکینه وثوقی نیا s vosooghi-nia shahrekord universityدانشگاه شهرکرد

در این تحقیق، با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت بستگی قوی به مطالعه رسانش الکتریکی یک نانو لوله نوعی تک دیواره با ساختار شبکه مربعی، به صورت تحلیلی پرداخته شده است. اثر عوامل مختلفی همچون حضور نقص های پیوندی متقارن، فاصله بین نقص های پیوندی و تغییرات انرژی های پرش نانو لوله روی رفتار رسانندگی الکترونی بررسی شده است. نتایج حاصل از بررسی نانو لوله های نوعی مذکور نشان می دهد که نانو لوله با سا...

ژورنال: :پژوهش سیستم های بس ذره ای 0
قاسم انصاری پور گروه فیزیک -دانشگاه بوعلی سینا-همدان بهاره شایقی department of physics, yazd university

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی الکتریک گاز الکترونی نانوسیم های نیم رسانایinas  وzno  پوشیده شده با یک محیط دی الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان داده ایم هنگامی که این نانوسیم ها با محیطی با ثابت دی الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی الکتریک نانوسیم نیم رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می یابد. در حالی که در محیطی ب...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید