نتایج جستجو برای: گیت منطقی پلاسمونی xor

تعداد نتایج: 12068  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - پژوهشکده برق و کامپیوتر 1390

یکی از محدودیت های ذاتی ادوات نوری مجتمع، کوچک سازی عناصر سازنده آن است که توسط حد پراش نور محدود می شود. پلاسمون پلاریتون های سطحی به دلیل غلبه بر این مشکل و امکان هدایت نور در ابعاد زیر طول موج، می توانند کاربردهای گسترده ای در مجتمع سازی مدارهای نوری داشته باشند. در این پایان نامه، نتایج حاصل از طراحی و شبیه سازی یک فیلتر پلاسمونی، به عنوان یک عنصر حیاتی در مدارهای مجتمع مخابراتی، برای تحق...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شیراز - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک 1393

گیت های منطقی از المان های اصلی در پردازش داده هستند. سرعت عملکرد گیت های منطقی تأثیر بسزایی در عملیات پردازش داده دارد. رویکرد جدید استفاده از گیت های منطقی اپتیکی و فوتونیکی است که باعث افزایش چشمگیر سرعت و پهنای باند خواهد شد. در این پایان نامه ساختارهایی برای گیت های منطقی کریستال فوتونی غیرخطی دوبعدی با شبکه های مربعی و مثلثی پیشنهاد شده است. در تمام ساختارها موجی با قطبش tm به ساختار اعما...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان - دانشکده برق و کامپیوتر 1391

در این پایان نامه، ساختارهایی برای طراحی و پیاده سازی گیت های منطقی تمام نوری بر مبنای بلورهای فوتونی ارائه شده است. ساختار بلور فوتونی، از شبکه ی مربعی دوبعدی از میله های دی الکتریک در بستر هوا، تشکیل شده است. میله ها از دو ماده ی ایندیم فسفاید (inp) و ترکیب خاصی از شیشه های کالکوجناید (chalcogenide glasses) تشکیل شده است. این دو ماده، ضریب شکست یکسانی دارند، اما ضرایب اثر غیرخطی آن ها متفاوت ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1393

در این پایان نامه نقش شدت نور بر روی رابطه پراکندگی فراماده هذلولی بررسی می شود. با استفاده از اثر غیرخطی کر در طلا و گرافن سه نوع سوئیچ تمام نوری طراحی خواهد شد. در ضمن با استفاده از قابلیت تنظیم پذیری پتانسیل شیمیایی گرافن از طریق اعمال بایاس خارجی یک سوئیچ الکترو-نوری نیز طراحی می شود. عمل کرد این افزاره ها برخلاف افزاره هایی ای که تاکنون ارائه شده است به زاویه تابش وابستگی ندارد. در ضمن ساخ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده برق و کامپیوتر 1393

درابتدا مروری گذرا بر کارهای انجام شده در زمینه تولید امواج پلاسمونی سطحی با گرافن و همچنین مدولاتورهای تراهرتز ارائه و شرایط لازم برای ایجاد امواج پلاسمونی در سطح فلز بررسی می شود. سپس، با بهره گیری از رابطه پاشندگی گرافن و رابطه کوبو، خواص پلاسمونی گرافن مرور خواهد شد. آنگاه، پس از توضیح درباره روش مدل کردن مواد مورد استفاده، برای درستی آزمایی نتایج شبیه سازی، دو مقاله تازه منتشر شده در حوزه ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه رازی - دانشکده فنی و مهندسی 1393

اخیراً پردازش سیگنال تمام نوری با سرعت زیاد توجهات زیادی را به خود جلب کرده است. این امر برای غلبه بر محدودیت های پردازش سیگنال الکتریکی است. در حوزه مدارهای منطقی تمام نوری تحقیقات زیادی انجام شده و گیت های بولین نوری متعددی هم طراحی گردیده است. از میان طراحی های انجام شده گیت های منطقی که بر اساس soa طراحی و ساخته شده اند، بر سایر طراحی ها برتری دارند زیرا زمان تأخیر در پردازش آن ها کوتاه، سطح...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان - دانشکده برق و کامپیوتر 1390

با کوچک شدن روزافزون تکنولوژی و افزایش چگالی مدار های vlsi، اهمیت کاهش مصرف انرژی و توان در این مدار ها بیش از پیش به چشم می خورد. در بسیاری از وسایل، مصرف انرژی پایین به منظور افزایش طول عمر باتری در اولویت اول طراحی قرار می گیرد. یکی از گزینه های بسیار مناسب برای این موارد، مدارهایی هستند که در ناحیه زیرآستانه کار می کنند. با این وجود با پیشرفت تکنولوژی و اضافه شدن امکانات جانبی نیاز به کاهش ...

گیت XOR یکی از بلوک های سازنده پایه در یک مدار تمام جمع کننده می باشد که بهبود عملکرد آن می تواند به یک تمام جمع کننده بهبود یافته منجر شود. بدین منظور، در این مقاله، یک سلول XOR جدید ولتاژ پایین مبتنی بر ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) پیشنهاد شده است. اهداف طراحی اصلی برای این مدار جدید، اتلاف توان کم، جریان نشتی پایین و سوئینگ ولتاژ کامل در یک ولتاژ تغذیه کم (Vdd = 0.5 V) م...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه محقق اردبیلی - دانشکده فنی 1394

نانو الکترونیک شاخه ای از فناوری نانو است که از نظر ساخت وسایل الکترونیکی کوچک تر، سریع تر و کم مصرف تر نقش بسیار مهمی در تکنولوژی جهانی دارد. کوچکتر شدن ابعاد ترانزیستورهای سلیکونی رایج موجب ایجاد مشکلاتی از جمله ایجاد جریانات نشتی و خازن های پارازیتی می شود که بروز چنین مشکلاتی خود موجب افزایش توان مصرفی، تاخیر و افزایش حاضلضرب تاخیر در توان می گردد. تکنولوژی ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - پژوهشکده برق و کامپیوتر 1392

با ظهور ممریستور ویژگی های دیجیتال و آنالوگ آن مورد بررسی قرارگرفت و مدل های متنوعی از آن در نرم افزار spice ارائه گردید. از ویژگی های آنالوگ ممریستور می توان به پیاده سازی شبکه های عصبی با استفاده از آن به عنوان سیناپس ها اشاره نمود. علت آن نیز ساخت متراکم و عملکرد عالی شان به عنوان حافظه آنالوگ است. ویژگی های دیجیتال این وسیله که در این پایان نامه مد نظر می باشد درموارد مختلف بصورت گسترده تری...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید