در این مقاله یک مدار دومینو جدید برای کاهش توان مصرفی گیت های عریض بدون کاهش چشم گیر سرعت پیشنهاد می شود. در تکنیک مداری پیشنهادی از مقایسه جریان شبکه پایین کش با جریان مرجع جهت تولید خروجی مناسب استفاده می شود. بدین طریق دامنه تغییرات دو سر شبکه پایین کش کم شده و توان مصرفی کاهش می یابد. همچنین از یک ترانزیستور در حالت دیودی به صورت سری با شبکه پایین کش استفاده شده است تا جریان نشتی زیر آستانه...

در فوریه 2002 میلادی برای اولین بار توسط کمیسیون مرکزی مخابرات، باند فرکانسی3.1-10.6ghz به مخابرات uwb اختصاص داده شد. از آن پس دنیای سیستم های با پهنای باند بسیار عریض، به سرعت وارد تغییر و تحول شد. ویژگیهای جذاب این سیستم ها از جمله نرخ انتقال بسیار بالا و ظرفیت کانال بالا به دلیل پهنای باند فوق العاده زیاد، برای طراحان جالب توجه بود و از آن پس روزبروز به گسترش این استاندارد و طراحی سیستم های...

هدف: پژوهش حاضر به منظور تعیین میزان حضور و فعالیت دانشگاه­ها و مؤسسات پژوهشی کشور در شبکه اجتماعی علمی ریسرچ گیت انجام شده است. روش پژوهش: پژوهش حاضر از نوع کاربردی است و با روش علم سنجی انجام شده است. داده های مورد نیاز از شبکه اجتماعی علمی ریسرچ گیت جمع­آوری شده است. در این پژوهش از میان 428 دانشگاه و مؤسسه ایرانی حاضر در ریسرچ گیت، عملکرد سی دانشگاه و مؤسسه برتر بر اساس شاخص­های ششگانه آر.ج...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...

مقدمه: ریسرچ گیت یکی از نخستین شبکه های اجتماعی است که با هدف افزایش همکاری میان پژوهشگران و برقراری ارتباط بین آن ها و خوانندگان آثارشان راه اندازی شده است. پژوهش حاضر با هدف بررسی تعاملات و ارتباطات پژوهشگران دانشگاه علوم پزشکی اصفهان در شبکه ی اجتماعی ریسرچ گیت انجام شده است. روش بررسی: این پژوهش به صورت پیمایشی و با رویکرد آلتمتریکس انجام شده است. پس از بارگذاری داده ها از شبکه ی اجتماعی ری...

در این مقاله یک هیدروفن با استفاده از ترانزیستور گیت معلق دندانه شانه ای در فرکانس‌های پایین طراحی و شبیه‌سازی شده است. مکانیزم عملکرد این مبدل بر اساس تغییر خازن گیت-سورس در ترانزیستور ماسفت است. گیت ترانزیستور توسط دو میله به صورت معلق بالای کانال ترانزیستور قرار گرفته است. در پاسخ به موج آکوستیکی ورودی، گیت ترانزیستور دچار خمش شده و منجر به تغییر ظرفیت خازن گیت-سورس می‌شود. در نتیجه موج آکوس...

از عوامل مؤثر بر عملکرد گندم، استفاده بهینه از روشهای خاک ورزی و کاشت می باشد. لذا نیاز است تا تاثیر روشهای خاک ورزی و کاشت برروی پشته های عریض (raised beds) مورد بررسی و ارزیابی قرار گیرد. این تحقیق در قالب طرح آماری اسپیلیت بلوک با 6 تیمار و 5 تکرار به مدت 2 سال اجرا گردید. تیمار اصلی روش خاک ورزی شامل :  1- خاک ورزی مرسوم با گاوآهن برگردان دار و دیسک (p)  2- انجام عملیات کولتیواتور برروی پشت...

در این مقاله یک فرآیند ریزماشینکاری نانو و میکرومتری بر روی پلی کریستال سیلیکان در قسمت گیت ترانزیستورهای اثر میدان حساس به یون معرفی می گردد که قابلیت استفاده بعنوان حسگر ph را داراست. تزیین گیت ترانزیستور توسط این نانوساختارها یک عامل مهم در بهبود حساسیت این ترانزیستورها می باشد. با استفاده از لیتوگرافی به کمک اشعه الکترونی نانوستونهای پلی سیلیکانی برروی گیت ترانزیستور شکل داده شده اند. بامقا...