نتایج جستجو برای: بهره تقویت کننده

تعداد نتایج: 141486  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه گیلان - دانشکده فنی و مهندسی 1390

در این پایان نامه، جزئیات طراحی یک تقویت کننده کم نویز باند پهن ، در فناوری mcmosµ 18/0 مورد بررسی قرار می گیرد. در مدار ارائه شده ، با استفاده از ساختار گیت مشترک تطبیق امپدانس در پهنای باندghz6/10 -9/3 انجام شده است. با به کارگیری روش استفاده مجدد از جریان تقویت کننده بهره توان بالایی در حدود db18 و عدد نویز در حدود db7/3-4/2 ضریب انعکاس ورودی و خروجی(s11وs22 )به ترتیب کمتر از 10- و 5- به دست...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایه 1387

یکی از روشهای افزایش شدت پرتوی خروجی لیزر استفاده از سیستم نوسانگر- تقویت کننده لیزری است که در آن به طور هم زمان از چند لیزر استفاده می شود. یکی از این لیزرها به عنوان نوسانگر اصلی و لیزر (یا لیزرهای دیگر) به عنوان تقویت کننده توان در نظر گرفته می شوند. در این پروژه، ضمن طراحی سیستم نوسانگر- تقویت کننده لیزر بخار طلا، به بررسی رفتار پارامترهای تقویت برحسب فرکانس عملکرد، فشار و نوع گاز کمکی پر...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - موسسه آموزش عالی غیرانتفاعی و غیردولتی سجاد مشهد - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک 1394

در این گزارش روند طراحی یک تقویت کننده کم نویز را با تأکید بر پارامتر خطینگی ارائه می دهیم. در ولتاژهای پایین رسانایی درین (gd) حائز اهمیت می شود. درحالی که در ولتاژهای بالا این پارامتر تأثیر چندانی ندارد. با افزایش میزان خطینگی رسانایی، iip3 بهبود می یابد. روش خطی سازی فید فوروارد درصدد افزایش رسانایی درین است؛ که می توان با استفاده از فیلتر lc و نیز استفاده از ساختارهای تا شده به این مهم دست ...

در این مقاله، یک تقویت کننده ترارسانایی عملیاتی (OTA) ولتاژ پایین و توان پایین با استفاده از ترانزیستور FGMOS پیشنهاد شده است. در OTA پیشنهادی در تکنولوژی TSMC 0.18 µm CMOS با ولتاژ تغذیه یک ولت و توان مصرفی ماکزیمم 40 µW، محدوده تنظیم نسبی 50 برابر به دست می‌آید. نتایج شبیه‌سازی تقویت‌کننده پیشنهادی، بهره حلقه باز 30.2 dB و فرکانس بهره واحد 942 MHz را نشان می‌دهند. در مقایسه با کارهای قبلی، تق...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده برق 1392

در این پایان نامه یک تقویت کننده توان دوهرتی در فرکانس مرکزی 2/4ghz با بازدهی بالا طراحی و شبیه سازی شده است. تقویت کننده توان دوهرتی یک روش افزایش بازدهی در تقویت کننده های توان می باشد. در این شبیه سازی از تکنولوژی ommic ed02ah و ترانزیستور های phemt از جنس گالیوم آرسناید استفاده شده است. ویژگی منحصر به فرد تقویت کننده توان دوهرتی ساختار ساده آن می باشد که از دو تقویت کننده ی توان موازی و خطو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شیراز - دانشکده مهندسی 1387

چکیده ندارد.

ژورنال: :مدلسازی در مهندسی 0
نازنین معلمیان [email protected] مهدی رضوانی وردوم [email protected] ابراهیم فرشیدی دانشگاه شهید چمران اهواز

در این مقاله یک چهار برابر کننده ولتاژ جدید پیشنهاد می گردد که می تواند بعنوان ساختار تقویت کننده در مبدلهای حوزه زمان و ولتاژ مانند مبدلهای آنالوگ به دیجیتال و مبدلهای زمان به دیجیتال مورد استفاده قرار گیرد. تقویت کننده ها در مبدلهای حوزه زمان و ولتاژ برای افزایش رزولوشن و دقت مورد استفاده قرار می گیرند. کاربرد اصلی این نوع از تقویت کننده ها در ساختار مبدلهای آنالوگ به دیجیتال و زمان به دیجیتا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران - دانشکده برق 1377

در این پروژه مدار مجتمع گیرنده سنسورهای اولتراسوند آرایه فازی با تکنولوژی cmos طراحی و شبیه سازی شده است . یک سیستم تصویربرداری آرایه فازی اولتراسوند شامل سه قسمت اصلی پیش تقویت کننده، تقویت کننده بهره متغیر و تاخیر آنالوگ می باشد. در ابتدا روشهای تصویربرداری اولتراسوند، همچنین ترانسدیوسرهای مورد استفاده در تصویربرداری مورد بررسی قرار گرفته اند. به منظور تقویت سیگنالهای ضعیف ترانسدیوسرها دو نوع...

Journal: :مهندسی برق دانشگاه تبریز 0
پرویز امیری دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر محمود صیفوری دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر بابک آفرین دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر آوا هدایتی پور دانشگاه شهید رجائی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر

در این مقاله، یک مدار تقویت کننده امپدانس انتقالی در تکنولوژی µm cmos18/0 برای استفاده در سیستم های مخابرات نوری ارائه می شود. در این مدار یک پیش تقویت کننده rgc در ورودی استفاده شده است. ساختار rgc در ورودی برای افزایش هدایت انتقالی و کاهش امپدانس ورودی به کار برده شده است ساختار rgc به خاطر امپدانس ورودی کم باعث خنثی شدن اثر خازن پارازیتی فوتودیود در ورودی تقویت کننده امپدانس انتقالی میشود. د...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر 1392

این رساله به طراحی تقویت کننده توان با راندمان بالا برای نسل چهارم سیستم های مخابراتی می پردازد. بدین منظور از ساختار قطبی که متشکل از یک تقویت کننده فرکانس رادیویی جهت تقویت سیگنال فاز و یک تقویت کننده پوش جهت تقویت سیگنال دامنه می باشد استفاده شده است. تقویت کننده فاز پیشنهادی بر مبنای یک تقویت کننده کلاس e است که در آن با توجه به تلفات موجود در سوئیچ و سلف ها روابط جدیدی جهت به دست آوردن ران...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید