در سال های اخیر بررسی انتشار فراسرعت و فروسرعت نور توجه زیادی را به خود جلب کرده است. نکته مهم در آزمایشات فراسرعت و فروسرعت نور توانایی کنترل خواص اپتیکی محیط به وسیله میدان های همدوس و دمش ناهمدوس است. پاسخ محیط نسبت به میدان اعمال شده جذب، پاشندگی و سرعت گروه را به دست می دهد. اثر شدت میدان کنترل کننده، فاز نسبی میدان های اعمال شده و دمش ناهمدوس بر انتشار باریکه کاوشگر در نتیجه جذب و پاشندگی...

در این رساله‏، کنترل انتشار پالس نوری عبوری و بازتابی از تیغه دی الکتریک آلائیده به اتم های سه ترازی آبشاری (جاذب و پاشنده) را به صورت نظری مطالعه می کنیم. اثرات میدان دمش همدوس و ناهمدوس‏، و تداخل کوانتومی در انتشار نور از تیغه دی الکتریک مورد بررسی قرار داده و نشان داده ایم که میدان دمش همدوس یکی از پارامتر های مهم در کنترل انتشار پالس است. در حضور و عدم حضور تداخل کوانتومی و پمپاژ غیر همدوس‏...

کنترل انتشار نور در ساختارهای دی الکتریک لایه ای همواره مورد توجه محققین بوده است. این امر ناشی از قابلیت های فراوان این سیستم ها در کاربردهای گوناگون و وسیع در حیطه نورشناسی می باشد. مزیت اصلی سیستم لایه دی الکتریک نسبت به محیط اتمی قابلیت کاربرد آن در مطالعه انتشار نور در باند گاف بلور فوتونی است. تا به حال روش های گوناگونی برای کنترل رفتار انتشاری نور در داخل این سیستم ها ارائه شده است. برای...

در این پایان نامه، با ایجاد همدوسی اتمی در سیستم، که تنها از طریق اعمال میدان دمش غیرهمدوس صورت میگیرد، می توان انتشار پالس لیزری ضعیف را کنترل کرد. انتظار می رود تداخل کوانتومی ناشی از دمش ناهمدوس و همین طور شدت دمش غیرهمدوس بتوانند بر انتشار پالس کاوشگر اثر گذاشته و با تغییر مقدار آن ها، سرعت گروه باریکه ضعیف کاوشگر، از فروسرعت به فراسرعت و برعکس تغییریابد. بدین ترتیب با انتشار پالس نوری در م...

در این پایاننامه انتشار تپ نوری از میان یک بلورفوتونی یکبعدی مورد تحقیق و بررسی قرارگرفته- است. وابستگی تحولات فضایی-زمانی تپ نوری در درون بلورفوتونی یکبعدی به زاویه فرود و ضخامت لایه نقص بر روی خصوصیات انتشار تپ مورد بررسی قرار گرفته است. نشان داده شده است که سرعت گروه تپهای عبوری میتواند بوسیله ضخامت لایه نقص از فروسرعت به فراسرعت تغییر پیدا کند. همچنین نشان داده شده است، که به وسیله تنظیم زا...

در این پایان نامه، اثر هارتمن در ساختار نانو بلور فوتونی یک بعدی مورد مطالعه قرار می گیرد . با استفاده از روش ماتریس انتقال و روش فاز ایستا، زمان فازی مربوط به پالس عبوری از درون نانو بلور فوتونی یک بعدی بررسی شده و نشان داده می شود اگر مواد تشکیل دهنده ی نانو کریستال فوتونی یک بعدی دارای ضریب شکست مثبت باشد اثر هارتمن مثبت می شود که به سرعت فرانوری می انجا مد. همچنین با قرار دادن لایه نقص در ا...

انتشار باریکه ضعیف کاوشگر در سیستم های لایه ای دی الکتریک شامل اتم های ناخالصی مورد بررسی قرار می گیرد. کنترل همدوس خواص پاشندگی و جذب اتم های ناخالصی، ضریب دی-الکتریک موثر سیستم لایه ای را متأثر می سازد. از این طریق امکان کنترل فعال و تمام نوری عبور، بازتاب، جذب و نیز سرعت انتشار نور کاوشگر در داخل ساختار لایه ای فراهم شده است. از دو نوع از اتم های سه ترازی یعنی -شکل و آبشاری جهت آلایش لایه ها...

در سال های اخیر توجه زیادی به همدوسی و تداخل کوانتومی در سیستم های اتمی چندترازی معطوف شده است. اگر مجموعه اتمی همدوس باشد، صرف نظر از روش تولید آن، تابع موج اتم ها رابطه فازی معینی دارند. مهیا کردن شرایط برای استفاده از محیط به منظور تغییر شیب پاشندگی و در نتیجه سوئیچ کردن سرعت گروه پالس کاوشگر از اهمیت ویژه ای برخوردار است و می تواند بعنوان ابزاری ارزشمند جهت استفاده در انتقال اطلاعات نوری، پ...

در این پایان نامه ضمن بیان مفهوم مواد چپگرد ، رفتار ضریب گذردهی الکتریکی برای یک آرایه از سیم های بلند نازک فلزی و رفتار ضریب نفوذپذیری مغناطیسی برای آرایه ای از حلقه های تودرتو فلزی به عنوان تشدیدگر حلقوی باز، را بیان کردیم. با ترکیب این دو نوع محیط می توان موادی با ضریب شکست منفی در بازه فرکانسی مایکروویو ایجاد کرد. در مطالعات انجام شده مواد چپگرد را همگن فرض می کنند. اما در اصل شبه موادها غ...