نتایج جستجو برای: پاشندگی نوری

تعداد نتایج: 10197  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اراک - دانشکده علوم 1391

در این پایان نامه ضمن اشاره به برخی مطالب مقدماتی لازم در فصل اول در فصل دوم سعی کرده ایم ریاضیات نظریه پاشندگی که در ارتباط با نظریه اعداد مختلط است مطرح شود. ضمن اینکه این تکنیک برای محاسبه فرم فاکتور پایون به عنوان نمونه به کار برده شده است و نتایج به دست آمده را با تئوری اختلالی کایرال مرتبه یک حلقه مقایسه کرده ایم و نشان داده ایم که نتایج تئوری اختلالی کایرال با کاربردرئوس مراتب پایین تر ن...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کردستان - دانشکده علوم پایه 1388

در این پایان نامه، کنترل سرعت گروه و خواص جذب و پاشندگی سیستم اتمی سه ترازه در حضور میدان های همدوس و غیر همدوس با در نظر گرفتن اثر ایجاد همدوسی خود به خودی مورد بررسی قرار می گیرد و نشان داده می شود که در حضور اثر ایجاد همدوسی خود به خودی حالت های سیستم تغییر نمیکند.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی 1389

آنتن به عنوان بخش بسیار مهم در یک سیستم مخابراتی ایفای نقش می کند. برای ارسال داده با نرخ بالا و یا در سیستم های راداری و نیز در سیستم های با فاصله کوتاه اما با ویژگی در خط دید ، نیاز به آنتن پهن باند و با جهت دهی بالا است. بنابراین بدیهی است که به آنتنی پهن باند برای ارسال اطلاعات و یا پالس با عرض باریک نیاز داریم. یکی از آنتن های متداول و پهن باند و البته با جهت دهی بالا، آنتن آرایه دایپل لوگ...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی کرمان - پژوهشکده فیزیک 1390

در راستای محاسبه این پتانسیل ها، مولکول ها غیر قطبیده، بدون بار دائمی و در حالت پایه فرض می شوند. برای محاسبه سهم دست سانی، ابتدا با استفاده از طرح کوانتشی که در آن وجود اجسام مغناطوالکتریک نیز در نظر گرفته می شود، میدان الکترومغناطیسی وارد بر مولکول، کوانتیزه می شود. سپس به وسیله تقریب های دوقطبی الکتریکی و مغناطیسی برای مولکول ها و نیز استفاده از نظریه اختلال، این پتانسیل ها محاسبه می شوند. د...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد 1388

اغلب وسـایل نیمرسـانای مهـم بر اساس انتقال حفـره به عنـوان جریان غالب حامل¬ها عمل می¬کنند. ترانزیستورهای دوقطبی، ترانزیستورهای اثر میدانی کانال p، ترانزیستورهای دوقطبی چند عنصری از این جمله¬اند. به علت تبهگنی در k =0، و برهمکنش بین نزدیکترین نوارها، وارد کردن اثر ناسهمی گونی و واپیچش در محاسبات مربوط به خواص انتقال حفره ها در سیلیکان و ژرمانیوم مهم است. این تحلیل بویژه هنگامیکه تبهگنی با در¬نظ...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - تبریز - دانشکده علوم 1388

در این پایان‎نامه انتشار پالس نوری در بلورهای فوتونیکی حاوی لایه نقص پاشنده مورد بررسی قرار گرفته است. بسته به خواص نوری محیطها سرعت گروه پالس‎های نوری می‎تواند فرانوری (بزرگتر از سرعت نور در خلا) یا فرونوری (کوچکتر از سرعت نور در خلا) باشد. از اینرو در این کار تاثیر لایه‎ی نقص پاشنده (لایه‎ای که با اتمهای دوترازی یا سه‎ترازی آلاییده شده است)، بر سرعت انتشار پالس مورد بررسی قرار گرفته است .

در این مقاله، فرمالیز حالت همدوس اسپین در پارامتر حقیقی در گروه SU(1,1) مطالعه شد. از این نمایش حالت همدوس، برای محاسبۀ انتگرال مسیر و نتایج کلاسیکی آن در سیستم فیزیکی استفاده شد. با استفاده از رابطۀ مکملی حالت همدوس، یک رابطۀ انتگرالی برای دامنۀ گذار به دست آورده و در حد کلاسیکی معادلات کلاسیکی حرکت محاسبه گردید. در نهایت برای یک هامیلتونین تبادلی غیرهایزنبرگی غیرهمسانگرد یک‌بعدی برای یک سیستم...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده فنی 1390

در این پایان نامه به بررسی و تحلیل عملکرد آشکارساز نوری با ساختار ترانزیستوری و ناحیه فعال از جنس نانونوار گرافین پرداخته شده است. در این راه ابتدا نانونوار گرافین معرفی و شیوه به دست آوردن هامیلتونین آن با رویکرد تنگ بست توضیح داده شده است. با استناد به نتایج حاصل از شبیه سازی ها در رویکرد تنگ بست نیاز به در نظر گرفتن سه همسایگی اول و آثار لبه ای مشهود است. سپس با استفاده از قانون طلایی فرمی ض...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه ولی عصر (عج) - رفسنجان - دانشکده علوم پایه 1392

کهبررسیتغییراتتپدرهنگامعبورازتارنوریدارایاهمیتاست،دراینپژوهشرفتارعرضی و طولیتپدرهنگامعبورازتارهای نوری با رفتار خطی وغیرخطی موردبررسیقرارگرفته است. بدین ترتیب بعد از به دست آوردن معادلات حاکم بر انتشار تپ در تارهای نوری، آنها توسط دو روش عددی fdtd و روش تلفیقی تحلیلی _ عددی حل شدند. استفاده از روش تلفیقی تحلیلی _ عددی این امکان را به وجود آورد، که شبیه سازی انتشار تپ های الکترومغناطیسی در طول ت...

در این مقاله برهم‌کنش باریکه­ی الکترونی نسبیتی در موج‌بر دی‌الکتریک استوانه‌ای که قسمتی از آن با کانال یونی پر شده مورد بررسی قرار گرفته است. با استفاده از معادلات ماکسول و در نظر گرفتن خودمیدان‌های الکتریکی و مغناطیسی ناشی از باریکه‌ی الکترونی رابطه‌ی پاشندگی امواج TM بدست آمده است و سپس با استفاده از حل عددی آن، نرخ رشد امواج انتشاری در موج‌بر تجزیه و تحلیل شده است.

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید