در این مطالعه روش اینکلوژن معادل طیفی برای تحلیل ناهمگنی پیزوالکتریک با پوشش fgpm تعمیم داده شده است. روابط همگن سازی طیفی برای ناهمگنی های پیزوالکتریک بدست آمده است. تانسورهای تاثیر طیفی الکتریکی برای ارتباط بین میدان الکتریکی و میدان الکتریکی ویژه معرفی شده اند و فرم بسته تانسورهای تاثیر طیفی الکتریکی بدست آمده است. رابطه بین میدان الکتریکی طیفی و میدان الکتریکی ویژه طیفی ارائه شده است. چندین مسئله مهم و پیچیده از ناهمگنی استوانه ای پیزوالکتریک منفرد با ناهمسانگردی های ایزوتروپ جانبی، ارتوتروپ، مونوکلینیک و هایپرالاستیک استوانه ای و همچنین ناهمگنی استوانه ای پیزوالکتریک پوشش دار با ناهمسانگردی های ایزوتروپ جانبی، ارتوتروپ، مونوکلینیک و هایپرالاستیک استوانه ای مورد تحلیل قرار گرفته است. پوشش از نوع fgpm بوده و توابع اختصاص داده شده به پوشش fgpm به صورت دلخواه است. در هر یک از مسائل حل شده، به تاثیر ناهمگنی پیزوالکتریک و پوشش آن بر توزیع تنش و میدان الکتریکی درون و پیرامون ناهمگنی پرداخته شده است.

چکیده ندارد.