روش طیف سنجی نابودی پوزیترون در دو دهه ی اخیر گسترش فراوانی یافته است و به درک بیشتر ساختار و خواص مواد مختلف از جمله رسانا ها و نیمه رسانا ها کمک شایانی نموده است. دقت و حساسیت بالا و همچنین غیر مخرب بودن از مهمترین مزیت های این روش است، به همین دلیل می توان از آن در بررسی ساختار لایه های نازک و نمونه های بسیار کوچک مواد استفاده کرد. در این رساله، پروفایل نفوذ پوزیترون های کم انرژی در مواد مختلف با استفاده از کتابخانه های اندرکنش های کم انرژی الکترومغناطیسی کد شبیه سازی geant4، شبیه سازی شده است. پروفایل های به دست آمده از شبیه سازی به معادلاتی که برای توضیح پروفایل نفوذ پوزیترون در مواد وجود دارد، برازش داده شده است و مقدار دقیق پارامتر های موجود در آن معادلات، برای مواد مختلف محاسبه شده است. بستگی پروفایل ها و پارامترهای مختلف نسبت به تغییر انرژی پوزیترون ها در مواد مختلف بررسی شده است. همچنین بهترین محدوده ی کاربرد و اشکالات موجود در geant4 در این زمینه، بیان شده است.