در این تحقیق با استفاده از روش کنترل تطبیقی، یک کنترل کننده برای خطر ‏‎hvdc‎‏ متصل به سیستم ‏‎ac‎‏ ضعیف طراحی شده است. در ابتدا با توجه به اینکه برای کنترل هر سیستمی ابتدا باید مدل سیستم استخراج شود، سیستم hvdc را به روشی که بتوان تغییرات امپدانس و ولتاژ شبکه ‏‎ac‎‏ متصل به کانورتر را تخمین زد، مدل کرده ایم. و سپس ضریب تناسبی امپدانس معادل تونن شبکه ac متصل به کانورتر را بدست آورده ایم. در ادام...

در این مقاله یک مبدلdc-dc  دو طرفه سه پورته غیر ایزوله با قابلیت کلیدزنی نرم و ریپل جریان ورودی صفر پیشنهاد می‌شود. از مزایای مبدل پیشنهادی نسبت به مبدل‌های چند پورته مرسوم می‌توان به قابلیت کلیدزنی ZVS برای کلیدهای اصلی، قابلیت کلیدزنی ZCS برای کلیدهای کمکی، جریان گردشی کم و در نتیجه تلفات هدایت کم به دلیل عمل‌کرد اسنابر اکتیو بدون تلفات و ریپل جریان ورودی صفر به دلیل استفاده از مدار کمکی شامل...

در این تحقیق یک دستگاه گرمایش اهمیک ساخته شد و برای فرایند حرارت‌دهی در سه گرادیان ولتاژ ورودی(33/8، 83/10 و 33/13V/cm) و سه درصد کاهش وزن نمونه(10، 20 و 30 درصد) نسبت به وزن کل انتخاب گردید. طی فرایند حرارتی توان مصرفی، هدایت الکتریکی و ضریب عملکرد سیستم مورد محاسبه قرارگرفت. تمامی آزمایش‌ها در سه تکرار و با استفاده آزمایش فاکتوریل و در قالب طرح کاملا تصادفی انجام شد و نتایج با استفاده از نرم ...

در توانهای متوسط و بالا (چندین کیلو وات) در منابع تغذیه سوئیچینگ توپولوژی تمام پل به صورت ویژه ای کاربرد یافته است. این توپولوژی شامل 4 سوئیچ قابل کنترل در زمان خاموش شدن وروشن شدن است که در فرکانسهای بالااغلب از ماسفت استفاده می شود تا فرکانس کاری تا چند صد کیلو هرتز و بالاتر از آن قابل استفاده باشد . از آنجا که افزایش فرکانس سوئیچینگ باعث افزایش تلفات می گردد، برای کاهش تلفات و امکان افزایش ف...

در این مقاله یک بلوک مبدل سریال به موازی یک پردازنده FFT 8 نقطه‌ای با استفاده از تکنولوژیum CMOS 13/0 ارائه شده است. به‌دلیل مزیت‌های بسیار مدارهای حالت جریان نسبت به مدارهای حالت ولتاژ، در این طراحی سعی شده است که از این گونه مدارها استفاده شود. بنابراین در این بلوک ابتدا باید ولتاژ ورودی را به جریان تبدیل نمود و سپس برای موازی کردن نمونه‌ها از مدار نمونه‌بردار جریانی استفاده کرد. به منظور قرا...

در این تحقیق، هدف، شبیه سازی ترانزیستورهای اثرمیدانی نانوسیم سیلیکونی با گیت فراگیر و بررسی اثر کرنش روی پارامترهای این افزاره و مشخص? جریان- ولتاژ آن است. ابتدا به بررسی وابستگی ساختار نوار انرژی آن و درنتیجه جرم موثر الکترون و شکاف انرژی به پارامترهای مختلف افزاره مانند انداز? نانوسیم (برای شعاع های سیم 1.5 تا 4 نانومتر) و جهت کریستالی ([100], [110], [111]) می پردازیم و سپس جرم موثر و شکاف ان...

در این مقاله یک مبدلdc-dc  دو طرفه سه پورته غیر ایزوله با قابلیت کلیدزنی نرم و ریپل جریان ورودی صفر پیشنهاد می شود. از مزایای مبدل پیشنهادی نسبت به مبدل های چند پورته مرسوم می توان به قابلیت کلیدزنی zvs برای کلیدهای اصلی، قابلیت کلیدزنی zcs برای کلیدهای کمکی، جریان گردشی کم و در نتیجه تلفات هدایت کم به دلیل عمل کرد اسنابر اکتیو بدون تلفات و ریپل جریان ورودی صفر به دلیل استفاده از مدار کمکی شامل...

در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته دوبل و ناحیه بدون ناخالصی در سمت درین ارایه می شود. از آنجائیکه توزیع حامل ها نقش مهمی در تعیین مشخصه های ترانزیستور دارد ایده اصلی در این ساختار اصلاح چگالی حامل ها و توزیع میدان الکتریکی جهت بهبود ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار است. نتایج شبیه سازی دو بعدی نشان می دهد که ولتاژ شکست و ماکزیمم توان خروجی ساختار پیشنه...

مدل‌سازی و شبیه سازی پیل سوختی متانولی با استفاده از نرم افزارهای متلب و کامسول در این پژوهش انجام شده است. در ابتدا مدلسازی انجام شده با نرم افزار متلب با داده­های آزمایشگاهی راستی آزمایی شده و سپس از این مدل برای بررسی پارامترهای مورد مطالعه بر کارکرد پیل استفاده شده است. تاثیر غلظت روی نمودار پولاریزاسیون، تاثیر چگالی جریان تبادل و ضریب انتقال روی اتلاف ولتاژ، تاثیر استفاده از کاتالیست­های ک...