در این مقاله از موجبر تیغه‌ای که دارای تیغه با انحراف بیضی شکل است جهت تغذیه آنتن شکافی طولی قرار گرفته بر روی خط مرکزی موجبر تیغه‌دار استفاده می‌شود. روش پیشنهادی با جایگزین نمودن قسمتی از تیغه مستقیم موجبر تیغه‌دار با تیغه با انحراف بیضی شکل محقق می‌شود. تیغه با انحراف بیضی شکل دقیقا در زیر شکاف قرار گرفته است و در این حالت شکاف هیچگونه انحرافی نسبت به خط مرکزی موجبر ندارد. نتایج شبیه‌سازی بی...

در این تحقیق تعداد پنج زیرلایه از جنس bk7به قطر 54/2 میلیمتر و ضخامت 4 میلیمتر تهیه شده و تحت عملیات سایش و پولیش یکسان قرار گرفتند تا دارای کیفیت سطح یکسان (کیفیت سطح /4?) گردند. سپس آنالیز تداخل سنجی و اسپکتروفوتومتری بر روی آنها صورت گرفت تا کیفت سطح هر نمونه و میزان بازتابش آنها پیش از لایه نشانی مشخص گردد. زیرلایه ها شامل 11 لایهtio2 با ضریب شکست 25/2 هر کدام به ضخامت 118 نانومتر و 10 لایه...

محاسبه آهنگ واپاشی یک اتم و یا مولکول برانگیخته در نزدیکی یک تیغه دی الکتریک به دو روش متفاوت بررسی می شود. روش اول: میدان الکترومغناطیسی با استفاده از توابع مد کوانتیزه شده و آهنگ واپاشی اتم برانگیخته با بکار بردن قاعده طلایی فرمی محاسبه می شود. فرض می کنیم که تابع دی الکتریک تیغه یک کمیت حقیقی ثابت است . روش دوم: براساس کاربرد قضیه اتلاف - افت خیز و فرمول کیوبو است . در این روش ، آهنگ واپاشی ...

ایران چهارمین تولید کننده سیب زمینی از لحاظ مقدار تولید است. با توجه به سهم بالای ایران در صادرات و مصرف سیب زمینی در داخل، اهمیت بررسی کیفیت سیب زمینی های تولیدی به صورت پیوسته و در ابعاد وسیع در فرآیند جداسازی این محصول آشکار می شود. سیب زمینی در طول رشد و انبارمانی با آفت و خرابی-های متعددی روبه رو می شود، که برخی از این خرابی ها در اثر شرایط محیطی، رشد و یا در اثر تنش های مختلف مکانیکی بوجو...

نظر به مطالعات انجام گرفته در نانو فیزیک، بررسی انرژی آزاد کازیمیر و نیروی مربوط (فرمول لیفشیتز) بین یک لایه گرافین و یک دی الکتریک دارای اهمیت است. ما در ابتدا، بعد از بیان تاریخچه ای مختصر در مورد اثر کازیمیر، انرژی آزاد کازیمیر را بین دو صفحه دی الکتریک محاسبه می کنیم. سپس بعضی از خواص لایه ی گرافین را مطالعه می کنیم و انرژی کازیمیر بین گرافین و یک صفحه دی الکتریک در دمای متناهی t را محاسبه ...

در این پایان نامه ابتدا نانوذرات دی اکسیدتیتانیوم )2(tio با ضخامت 10 نانومتر بر روی زیرلایه ای از جنس کوارتز لایه نشانی شدند و سپس نانوذرات نقره (ag) با ضخامت 40 نانومتر روی دی اکسیدتیتانیوم با روش کندوپاش لایه نشانی شدند. سپس خواص ساختاری و اپتیکی لایه نازک مورد مطالعه و بررسی قرار گرفت و برای تابع دی الکتریک این دولایه ای بازه ای بدست آوردیم. خواص ساختاری نقره-دی اکسیدتیتانیوم با الگوی پراش ا...

روغنهای دی الکتریک و بویژه روغنهای ترانسفورمر از جمله با ارزش ترین محصولات حاصل از نفت در صنایع برق و الکترونیک می باشند. کاربرد گسترده این سیالات دی الکتریک موجب شده است که شناخت خصوصیات آنها از اهمیت ویژه ای برخوردار باشد. از عوامل تخریب روغنهای ترانسفورمر ولتاژ بالا می توان شکست دی الکتریک و تخریب شیمیایی ناشی از اکسیداسیون فلزی را نام برد. در بین فلزاتی که نقش کاتالیزوری برای واکنش اکسیداسی...

چکیده ندارد.

در این مقاله، یک مدل انتشار موج جدید بر پایه utd برای مسیرهای با پراشهای چندگانه در مخابرات رادیویی موبایل سلولی و محیطهای شهری پیشنهاد می گردد. علاوه بر این، روابط جدید دقیقی برای محاسبه افت پراشهای چندگانه توسط ساختمانها و افت اضافی مسیر استخراج شده و تحلیل می گردند. برای این منظور، فرض می کنیم که ردیفهای ساختمانها دارای سطح مقطع های مستطیلی بوده و ارتفاعها و فواصلشان از همدیگر یکسان است. همچ...

در این پژوهش تاثیر اندازه نانوذرات طلا، نقره و محیط دی الکتریک اطراف نانوذره، بر طول موج و شدت تشدید پلاسمون سطحی (spr) با استفاده از نظریه ی مای و نرم افزار fdtd مورد بررسی قرار گرفته است. در طیف محاسباتی، قله جذبی در حدود 500 و 400 نانومتر به ترتیب برای نانو ذرات طلا و نقره ظاهر می شود. با افزایش اندازه نانوذرات طلا و نقره جابه جایی قرمز برای قله جذبی تشدید پلاسمون سطحی مشاهده می شود. هم چنین...