نتایج جستجو برای: ولتاژ مدار باز

تعداد نتایج: 32280  

ژورنال: :روش های هوشمند در صنعت برق 0
حمید محمودیان موسسه آموزش عالی جهاد دانشگاهی اصفهان مهدی دولتشاهی دانشگاه آزاد اسلامی، واحد نجف آباد

در این مقاله، یک مدار نمونه بردار و نگه دار تمام تفاضلی با دقت 12 بیت برای نرخ داده  200 ms/sارائه گردیده است. در مدار پیشنهادی این مقاله به منظور افزایش خاصیت خطی و همچنین افزایش میزان ولتاژ عملکرد، ازسوئیچ های بوت استرپ جهت نمونه برداری از سیگنال ورودی استفاده گردیده است. همچنین به منظور جلوگیری از اثر بارگذاری طبقات بعدی بر روی مدار پیشنهادی از یک بافر خروجی با بهره قابل تنظیم جهت افزایش خاص...

پیشرفت‌های اخیر در منابع انرژی تجدیدپذیر نیاز به مبدل‏های DC-DC بهره بالا و بازده بالا را ایجاد کرده است. این نیازها عمدتاً از طریق استفاده از ترانسفورمرهای فرکانس بالا برای دستیابی به بهره‏ی مورد نیاز و مطلوب برآورده می‏شود. راه‏حل‏های الکترونیک قدرتی مبتنی بر پیکربندی‏های چند مبدله، راه‏حل‏های مقرون به صرفه‏ای را توسط تلفیق تعدادی از اجزا در توان ورودی و خروجی فراهم می‏کند. در این مقاله در ابت...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه اصفهان - دانشکده علوم 1388

در این پژوهش با ساخت سلول فوتوولتائیک لایه نازک دو لایه ای ناهمگون آلی بر پایه ی cupc/c60، نشان داده شد که مواد مورد استفاده در سلول با ساختار ito/pedot:pss/cupc/c60/ebl/ag شرایط اپتیکی لازم به منظور ایجاد طیف های جذب و عبور مناسب جهت جذب بهینه در لایه فعال را برآورده می کنند. نقش لایه سدکننده اکسایتون (ebl) مورد تجزیه و تحلیل قرار گرفت و دیده شد با استفاده از این لایه مشخصه های اصلی سلول شامل:...

ژورنال: :سنجش و ایمنی پرتو 0
احمد رمضانی مقدم ahmad ramazani-moghadam university of kashanدانشگاه کاشان محمد نظیفی فرد mohammad nazififard university of kashanدانشگاه کاشان

پرتوهای یون ساز می توانند آثار دائمی یا موقت بر عملکرد مدارهای الکترونیکی داشته باشند. آثار موقت که در حین تابش دهی ظاهر شوند، می توان به عنوان نشانه ای از وجود پرتو یون ساز در محیط دانست که برای آشکارسازی پرتو یون ساز مفید هستند. در این مطالعه، اثر فوتون های گاما بر جریان معکوس دیود در حالت بایاس معکوس و مقایسۀ آن با همان جریان در حالت بدون تابش مورد بررسی قرار گرفت تا از این طریق، امکان به کا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهرکرد - دانشکده فنی 1392

در این پایان نامه طراحی یک حلقه ی قفل شونده در فاز برای کاربردهای فرکانس بالا در توان مصرفی پایین در نظر گرفته شده است. حلقه های قفل شونده در فاز تقریباً در تمام سیستم های مخابراتی استفاده می شوند. کاربردهای آن ها شامل بازیابی ساعت از سیگنال های دیجیتالی، مدولاسیون و دمدولاسیون، بازیابی سیگنال حامل از سیگنال های ماهواره ای و غیره می باشد. در مدار پیشنهادی با نوآوری در طراحی دو مدار آشکارساز فاز ...

این مقاله به تحلیل و طراحی یک ساختار از مبدل‌های dc/dc کاهنده با کلیدزنی نرم می‌پردازد. یکی از مزیت‌های ساختار پیشنهادی کاهش تلفات کلیدزنی و نیز کاهش تنش ولتاژ و جریان روی المان‌های مدار به دلیل کلیدزنی نرم است. در این ساختار روشن شدن کلیدها تحت ولتاژ صفر و جریان صفر بوده و خاموش شدن آن‌ها تحت ولتاژ صفر است. مزیت دیگر ساختار ارائه شده امکان کلیدزنی در فرکانس‌های بالا است. در این مقاله اصول عمل‌...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تبریز - پژوهشکده برق و کامپیوتر 1393

مراجع ولتاژ و جریان یکی از اصلی ترین بلوک ها در مدارهای دیجیتال و آنالوگ هستند. عملکرد یک مرجع به وسیله حداکثر تغییرات در شرایط عملیاتی مجاز خود سنجیده می شود. یکی از مهم¬ترین مشخصه های یک مرجع تغییرات دمایی آن است. بنابراین، باید با توجه ویژه¬ای به رفتار حرارتی مرجع ولتاژ و مرجع جریان پرداخته می شود. دیگر مشخصه ایی که کارایی یک مرجع را مشخص می¬کند تغییرات خروجی نسبت به تغییرات ولتاژ تغدیه است....

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - پژوهشگاه مواد و انرژی - پژوهشکده سرامیک 1391

سلول های خورشیدی فعال شونده با رنگینه نسل سوم سلول خورشیدی هستند. این سلول ها که اولین بار با بازده بالا در سال 1991 ساخته شدند، گرچه بازده کمتری از سلول های سیلیکونی سنتی دارند ولی هزینه و انرژی کمتری برای ساخت آنها مصرف می شود. به منظور ساخت این نوع سلول های خورشیدی به لایه ای نانو متخلخل با ضخامت میکرومتری دی اکسید تیتانیوم نیاز است. لایه نشانی الکتروفورتیکی نانوذرات روشی موثر و کم هزینه به ...

درخواست‌ها برای تولید ولتاژ پالسی با دامنه‌های بالا بسیار زیاد شده است درحالی‌که ساختارهای سنتی و ارائه شده در سال‌های اخیر از تعداد ادوات کلیدزنی بالا و منابع ولتاژ با دامنه بالا رنج می‌برند. از این‌رو ساختارهای چندبرابرکننده به‌عنوان ساختارهای جایگزین به‌عنوان تولیدکننده‌های جدید برای توان پالس ارائه شده‌اند. در این مقاله، یک ساختار جدید برای مبدل‌های تولید پالس قدرت ارائه شده است که از یک ور...

در این مقاله یک اینورتر چندسطحی سه‌فاز هیبریدی جدید ارائه شده است. اینورتر چندسطحی پیشنهادی در مقایسه با ساختارهای مشابه از تعداد IGBT و مدار راه‌انداز کم‌تری تشکیل شده است. همچنین به دلیل پایین بودن تعداد منابع DC ورودی و نبود خازن الکترولیت در ساختار اینورتر پیشنهادی، کنترل این اینورتر برای تولید ولتاژ مطلوب ساده می‌باشد. این اینورتر از سه اینورتر تمام‌پل تک‌فاز، یک اینورتر تمام‌پل سه‌فاز و س...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید