تاثیر مهندسی کانال و نواحی کناری بر کارکرد فرکانسی و سوییچینگ ترانزیستور نانوتیوب کربنی و ماسفت سیلیکنی دو گیتی مطالعه گردیده است. پارامترهای عملکرد مانند فرکانس قطع، سرعت سوییچینگ، مشخصه دوقطبی و نسبت جریان حالت روشن به خاموش محاسبه و بهینه سازی شده اند. به دلیل ایجاد رفتار الکترواستاتیکی مطلوب، اتصالات سورس و درین یک بعدی مورد استفاده قرار گرفته است. کاهش فرکانس قطع در اثر نفوذ تابع موج در اک...

برنامه ریزی تسهیلات از مباحث مهم در مهندسی صنایع و مشتمل بر چهار بخش عمده مکانیابی ، طراحی، مسیریابی و تخصیص میباشد. از این بین، مکانیابی به بررسی محل قرارگرفتن تسهیلات (تولیدی و سرویس دهی و ...) به منظور برآورده شدن اهداف سازمان با کمترین هزینه و بالاترین کیفیت ممکن می پردازد. مکانیابی بهینه باعث بالارفتن بهره وری و کارایی بطور همزمان می شود و میتواند هزینه های عملیاتی سازمان مربوطه را به میزا...

مدارهای ترکیبی از گیت های منطقی تشکیل شده اند که خروجی در هرلحظه تنها به وسیله ترکیب فعلی ورودی و بدون لحاظ کردن ورودی های قبلی یا حالت قبلی خروجی تعیین می شود. منطق برگشت پذیر که به شکل جدی در دهه های اخیر موردتوجه قرارگرفته، ساخت مدارهایی در مقیاس نانو را بررسی می کند که علاوه بر مشکل اندازه و ابعاد مدار، مصرف توان و هدر رفت گرما در آن را نیز تحت کنترل خود دارد. یکی از کلیدی ترین مدارهای ترکی...

ترانزیستورهای لایه نازک پلی سیلسیمی (poly-si tft) در سال های اخیر، به جهت کاربردهای آنها در نمایشگرهای کریستال مایع ماتریسی فعال amlcd) ها) بطور گسترده ای مورد تحقیق و مطالعه قرارگرفته اند. برای این کاربردها، poly-si tft های با مقیاس پایین ،کارآیی خوب و قابلیت اطمینان بالا مورد نیاز است. یکی از مشکلات poly-si tft ها بزرگ بودن جریان نشتی آنها و نیز بالا بودن میدان الکتریکی افقی نزدیک درین، بدلیل...

در سال های اخیر با پیشرفت تکنولوژی و افزایش محصولات الکترونیکی قابل حمل، مدارهایی توان پایین با مساحت کوچکتر مورد نیاز هستند. دانشمندان به دنبال دستیابی به ساختارهایی هستند که بتواند محاسبات پیچیده ریاضی را که اساس عملکرد هر سیستم الکترونیکی است با مصرف کمترین توان انجام دهد. در سال¬های اخیر، طراحی وساخت گیت¬های مبتنی برمنطق برگشت¬پذیر به عنوان یک تکنولوژی جدید که کاربردهایی در سیستم¬های توان پ...

در این پایان نامه به مدل سازی اثرات کانال کوتاه در ماسفت های دوگیتی با گیت دو ماده ای پرداخته شده است. یک مدل دو بعدی برای پتانسیل کانال با استفاده از ترکیبی از روش های مد ناپایدار و روش تقریب چند جمله ای استخراج شده است. با استفاده از روش مد ناپایدار پتانسیل کانال به صورت مجموع پتانسیل یک بعدی برای حالت کانال بلند و تغییرات دو بعدی پتانسیل برای در نظر گرفتن کوتاه شدن کانال بیان شده است. تغییرا...

رشد فزاینده ی تعداد قطعات الکترونیکی نظیر ترانزیستورهای اثر میدانی که به ماسفت معروف هستند در هر تراشه که به ازای هر 18 ماه مطابق قانون مور[1] به دو برابر می رسد و نیز کاهش تابع نمایی اندازه ی این قطعات باعث شده است تا اکسیدهای فرانازک سیلیکونی که به عنوان گیت دی الکتریک ترانزیستورهای اثر میدانی امروزی هستند کارآیی قابل قبولی را در قطعات نداشته باشد و باعث از دست رفتن کنترل جریان در چاه نانو تر...

همسانه­سازی قطعه dna موردنظر داخل یک ناقل پلاسمیدی، یکی از مراحل تکنولوژی dna نوترکیب است. در روش­های معمول برای همسانه­سازی به آنزیم لیگاز و آنزیم­های برشی نیاز است که با محدودیت­هایی مواجه هستند. راه­کارهای متعددی برای ایجاد و اتصال دو قطعه dna مستقل بدون استفاده از آنزیم لیگاز توسعه یافته­اند که از موفق­ترین آن­ها فناوری­های گیت­وی و یوزرفرندلی هستند. فناوری گیت وی روشی سریع و مؤثر برای همسا...

دراین پایان نامه یک ترانزیستور فلز – نیمه هادی (مسفت ) بر روی عایق با ساختاری نوین پیشنهاد شدهاست. تلاش ها در راستای کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در طرف درین بوده است. توزیع بار در ساختار پیشنهادی نسبت به ساختار مرسوم در کانال بهبود نسبی یافته و این امر به وسیله کاهش تجمع میدان الکتریکی در لبه ی گیت در جانب درین رخ داده است، در نتیجه ولتاژ شکست به شکل ملموسی بهبود یافته است. به منظور ک...

چکیده ندارد.