نانوسیم های مغناطیسی در زمینه های مختلفی مانند حافظه های مغناطیسی عمودی، مقاومت مغناطیسی بزرگ (gmr)، حسگرهای مغناطیسی و بسیاری دیگر کاربرد دارند. تاکنون نانوسیم های مغناطیسی مختلفی شامل نانوسیم های تک عنصری و آلیاژی مورد بررسی قرار گرفته است. با توجه به اثرات مطلوب افزودن عناصر غیر مغناطیسی بر خواص مغناطیسی نانوسیم ها، ساخت نانوسیم های آلیاژی و بررسی خواص مغناطیسی و ساختاری آن ها مورد توجه قرار...

هدف اصلی این رساله ارائه روش های نوین سنتزی در راستای اهداف شیمی سبز می باشد. استفاده از روش های سنتزی مانند انجام واکنش در محیط های مایی، واکنش های بدون حلال و استفاده از کاتالیزگرهای آلی مبنای انجام واکنش ها در طرح حاضر بوده است. بر این اساس تحقیقات انجام شده در این پایان نامه به چهار بخش تقسیم شده است که در ادامه خلاصه ای از هر یک از فصول توضیح داده خواهد شد: در بخش 1، روشی جدید برای تهیه ف...

هدف از پایان نامه، رشد و مطالعه ی نانوسیم های کبالت می باشد. از میان روش های متعدد رشد، روش الکتروانباشت به دلیل سهولت در رشد، ارزانی و فراگیر بودن آن بیش از سایر روش های موجود مورد توجه قرار گرفته است. برای انباشت و کنترل راستای رشد نانوسیم ها، ابتدا قالب های متخلخل اکسید آلومینیوم با چگالی حفره های بسیار بالا ساخته شدند. جهت ساخت قالب های متخلخل، از روش آنودایز چند مرحله ای قالب آلومینا به کم...

نانوسیم های مغناطیسی به جهت کنترل میکروساختار و خواص مغناطیسی آن به واسطه تنظیم پارامترهای انباشت و پارامترهای دخیل در ساخت قالب از جایگاه خاصی برخوردارند. در این میان آرایه نانوسیم های کبالت به دلیل کاربردهای پتانسیلی فراوان در ثبت مغناطیسی با چگالی بالا، ساخت حسگرهای مغناطیسی و ... دسته ی مهمی از نانوساختارهای مغناطیسی را شامل می شوند. در متن حاضر نتایج فعالیت های انجام شده در ارتباط با ساخت...

در این تحقیق در ابتدا سعی شد نانوسیم های آلیاژی آهن و مس به روش الکتروانباشت پالسی مستقیم در داخل نانوحفره های آلومینای حفره دار که به روش آندایز دو مرحله ای ساخته شده بود رشد داده شود. برای انجام نهشت به روش مستقیم، لایه سدی آلومینای حفره دار در یک آندایز غیر تعادلی براساس یک تابع نمایی تا 2 ولت نازک گردید و سپس الکترونهشت پالسی مستقیم در اسیدیته 5/2 و زمان های خاموشی 0، 10، 20 میلی ثانیه به ا...

با توجه به قابلیت کاربرد نانوسیم ها در محیط های ثبت مغناطیسی چگالی بالا و gmr و با توجه اینکه اضافه کردن یک ماده غیر مغناطیسی به ماده مغناطیسی می تواند روش خوبی در کاهش برهمکنش های مغناطواستاتیک باشد تصمیم به ساخت نانوسیم های fezn گرفتیم. ساخت نانوسیم ها در دو مرحله انجام شد. در مرحله اول قالب آلومینا توسط آندیزاسیون دو مرحله ای ساخته شد و سپس یون های fe و zn با روش الکترونهشت پالسی ac در نانو...

جاذب سیلیکاته میان حفره تحت عنوان mcm-48 با مساحت سطح بالایی تهیه شد و با استفاده از آمینو پروپیل تری متوکسی سیلان و 1n(تری اتوکسی سیلیل پروپیل) دی اتیلن تری آمین اصلاح شد. این مواد بوسیله پراش اشعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی پیمایشی و سنجش های جذب و بازجذب گاز نیتروژن شناسایی شد. حذف یون های فلزی کادمیم و سرب از محلول های آبی توسط جاذب های میان حفره اصلاح شده در سیستم ناپیوسته بررسی شد. اثر متغی...

چکیده ندارد.

در این پایان¬نامه تشدیدهای پلاسمونی سطحی محلی برای نانوساختارهای دوبُعدی شامل نانواستوانه¬های فلزی با سطح مقطع¬های دایروی، بیضوی، مستطیلی، چند ضلعی منتظم و همچنین نانولوله¬ها مورد تحلیل و بررسی قرار گرفته¬اند. جابجایی قرمز تشدید پلاسمونی نانواستوانه¬هایی از جنس طلا و یا نقره با افزایش شعاع سطح مقطع نانواستوانه ها و همچنین افزایش ضریب¬شکست محیط اطراف آنها در منحنی¬های طیف تشدید تئوری و شبیه¬سازی ...

در این پژوهش به منظور تعیین مشخصات جاذب های نانوساختار و نانوحفره بنتونیت و بررسی کارایی آن هادر سمیت زدایی آفلاتوکسین b1 (afb1) در شرایط برون تنی و درون تنی، سه آزمایش طراحی و انجام شد. نمونه های جاذب بنتونیتی شامل چهار نوع بنتونیت تولیدی در داخل کشور با نام های n1، n2، n3 و n4 و همچنین یک نوع جاذب تجاری وارداتی با نام m بودند. در آزمایش اول نمونه های جاذب بنتونیت به لحاظ ویژگی های فیزیکی، شیم...