برداشت‌های مگنتوتلوریک در بازۀ فرکانسی وسیعی در شمال دشت گلستان به منظور تشخیص چگونگی رسانایی لایه‌های زمین و با هدف بررسی پتانسیل منطقه از لحاظ وجود لایه‌های رسانای الکتریکی که بیانگر وجود ساختارهای آب شور حاوی ید هستند، در پاییز سال 1393 صورت گرفته است. در این تحقیق مؤلفه‌های میدان‌های الکتریکی و مغناطیسی در طول دو پروفیل با فاصلۀ 1500 متر و در 10 ایستگاه با فاصلۀ 900 متر اندازه‌گیری شده است....

در این پژوهش ZnO/ZnAl2O4 آلائیده با یون مس(II) تهیه شد. نمونه توسط روش‌های دستگاهی پراش اشعه ایکس (XRD)، طیف سنج مادون قرمز تبدیل فوریه(FT-IR)، میکروسکوپ الکترونی روبشی (SEM) مجهز به اسپکتروسکوپی پراکندگی انرژی اشعه‌ی ایکس (EDX) و اسپکتروسکوپی نشری پلاسمای جفت شده القائی (ICP) شناسائی شد. کارائی نمونه‌ به عنوان جاذب برای حذف رنگ‌های آنیونی و کاتیونی متیل اورنژ، کنگورد، متیلن‌ بلو و مخلوط رنگ‌ها...

روش مایکروویو، روشی سریع برای تهیه ی نانوساختارها در کوتاه ترین زمان ممکن است. در میان نیمه رساناهای مختلف، نیمه رساناهای با شکاف نوار مستقیم برای استفاده در سلول خورشیدی و کاربردهای فوتوولتایی مفید می باشد. به این دلیل، در این پروژه سنتز نانوساختارهای cuins2، cuinse2، pbs و bi2s3 به روش مایکروویو انتخاب گردید. تاثیر پارامترهایی از قبیل منبع گوکرد، غلظت واکنشگر، نوع حلال، توان و زمان مایکروویو ...

چکیده خواص منحصر به فرد نیمه هادی ها به وسیله ی شکل و اندازه ی آنها کنترل می شود. بنابراین، انتخاب یک روش مناسب و ساده برای تهیه ی آنها با اندازه و شکل های متفاوت می تواند بسیار حائز اهمیت باشد. نیمه هادیهای se و te به ترتیب باندگپ برابر ev 7/1 و 35/0 دارند که در رنج مناسب برای جذب طول موج های خورشید قرار دارند و بنابراین از معروف ترین ترکیبات برای کاربردهای فوتوولتائیک هستند. به این دلیل، در ...

پلیمرهای رسانای حاوی مواد مغناطیسی با داشتن دو ویژگی الکتریکی و مغناطیسی به دلیل پتانسیل کاربردشان در ابزارهای الکتریکی و مغناطیسی توجه زیادی را به خود جلب کرده اند و تاکنون تعداد زیادی از این نوع نانوکامپوزیت ها از انواع پلیمرهای رسانا (پلی آنیلین، پلی پیرول و...) و مواد مغناطیسی (fe3o4 ، fe2o3 و...) تهیه شده اند. همچنین در سال های اخیر تهیه هیبریدی از نانوکامپوزیت های مذکور با فلزات نجیب (نقر...

در این تحقیق، ساختار لیزرهای نقطه کوانتومی، مشخصه ها، نواقص، و همچنین فاکتور های محدود کننده سرعت مدولاسیون بالا و تکنولوژی های کلیدی برای بهبود عملکرد آن بیان می شوند. با بررسی اثر پهن شدگی گرمایی حفره ها که ناشی از جرم موثر سنگین ، حفره ها در نوار ظرفیت لیزر های نقطه کوانتومی است ، نشان می دهیم که یکی از عوامل مهم در محدود کردن سرعت مدولاسیون لیزرهای نقطه کوانتومی ، نزدیکی بیش از اندازه تراز ...

در این پژوهش به منظور افزایش پایداری داروی انسولین، این پلیمر زیستی باالاستومر پلی اورتانی مغناطیسی مزدوج شد. برای سنتز نانوکامپوزیت پلی اورتان مغناطیسی پایه آبی از نانوذرات آهن اکسید استفاده شد و به منظورجلوگیری از تجمع و هم چنین افزایش نیمه عمرماندگاری نانوذرات در بدن، ابتدا با ترکیب دای پدال سیلان که از ترکیب آمینوپروپیل تری اتوکسی سیلان و 3-گلیسیدوکسی پروپیل تری متوکسی سیلان به دست آمده بود...

در ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه رسانای مکمل (cmos) ضخامت گیت اکسید سیلیکون 1 تا 2 نانومتر است. کاهش ضخامت به 1 نانومتر برای تولیدات آتی این ترانزیستورها سبب افزایش جریان تونلی و همچنین جریان نشتی می گردد. از جمله مواد مناسب اکسید هافنیوم است که ثابت دی الکتریک بالایی دارد، گاف نواری آن پهن بوده و در تماس با زیرلایه سیلیکونی دارای تعادل حرارتی است. در کار حاضر فرایندهایی در جهت سنتز hfo2 به کار ...

آشکارساز نوری که در این پایان نامه از بررسی می شود از نوع رسانای نوری است.اساس کار بر این است که یک نیمه هادی بدون ناخالصی داریم این نیمه هادی را به دو کنتاکت فلزی وصل کرده و منبع ولتاژی به دو سر اتصال فلزی اعمال می کنیم فوتون های نور به این ساختار تابانده می شوند و با جذب فوتون جفت الکترون حفره تولید می شود وتحت تاثیر میدان الکتریکی به سمت کنتاکت ها حرکت می کنند.

در این پروژه از سنسورهای مغناطیسی برای تصویربرداری القای مغناطیسی به صورت غیرتماسی استفاده شده است. به این ترتیب که از القای میدان مغناطیسی (میدان اولیه) برای القای جریان های اِدی داخل جسم رسانای مورد نظر و اندازه گیری میدان مغناطیسی حاصل از همین جریان های اِدی (میدان ثانویه) استفاده شده است که برای رسیدن به این هدف از دو کویل مغناطیسی جهت ایجاد و دریافت میدان های مغناطیسی استفاده شده است. قسمت ه...