در این رساله نرخ رشد در لیزر الکترون آزاد ویگلر هلیکال، با استفاده از رابطه پاشندگی که بیانگر جفت شدگی بین مد الکترواستاتیک باریکه الکترونی و مد های الکترومغناطیس در حضور کانال یونی است، مورد بررسی قرار گرفته است. ابتدا با بدست آوردن رابطه پاشندگی خطی، رفتار نرخ رشد خطی به صورت عددی مورد مطالعه قرار گرفت، سپس با وارد کردن جملات اختلالی مرتبه دوم در متغیرهای مربوط به الکترون رابطه پاشندگی غیرخط...

در سال های اخیر بررسی انتشار فراسرعت و فروسرعت نور توجه زیادی را به خود جلب کرده است. نکته مهم در آزمایشات فراسرعت و فروسرعت نور توانایی کنترل خواص اپتیکی محیط به وسیله میدان های همدوس و دمش ناهمدوس است. پاسخ محیط نسبت به میدان اعمال شده جذب، پاشندگی و سرعت گروه را به دست می دهد. اثر شدت میدان کنترل کننده، فاز نسبی میدان های اعمال شده و دمش ناهمدوس بر انتشار باریکه کاوشگر در نتیجه جذب و پاشندگی...

در این پایان نامه، انتشار نور کند در یک موجبر تیغه ای بلور فوتونی مثلثی به طور عددی با استفاده از روش بسط امواج تخت مطالعه شده است و بر اساس آن یک موجبر بلور فوتونی پهن باند با سرعت گروه پایین و پاشندگی پایین پیشنهاد شده است. تحلیل های شبیه سازی نشان می دهد که بیشینه ساختن ضریب گروه و کمینه ساختن پاشندگی در پهنای باند وسیع با تغییر شعاع حفره ی هوا، جابجایی موقعیت سه ردیف اول حفره ها در اطراف مو...

توری های براگ تار نوری از اجزای مهم و کاربردی در شبکه های مخابرات نوری و سنسورهای نوری می باشند. پردازش تمام نوری سیگنال در داخل تارنوری و انتخابگری طول موج، اصلی ترین ویژگی های ادوات مبتنی بر توری براگ تار نوری هستند. در این پایان نامه ابتدا به تحلیل این توری ها می پردازیم و مشخصات دامنه و فاز را برای انواع مختلف این توری ها بدست می آوریم. با تحلیل انواع مختلف این ساختارها و مقایسه آن ها می ت...

در این پایان نامه به بررسی نمودار نوار ساختارهای کامل کریستال فوتونی غیرخطی و نیز روابط پاشندگی موجبرهای عادی و موجبرهای مبتنی بر کاواک های جفت شده کریستال فوتونی غیرخطی می پردازیم. اثر غیرخطی در نظر گرفته شده برای این ساختارها اثر کِر یا ضریب شکست غیرخطی وابسته به شدت است و برای شبیه سازی از الگوریتم تفاضل متناهی در حوزه زمان بهره برده ایم. این الگوریتم برای در نظر گرفتن ساختارهای غیرخطی اصلاح ...

معادله پاشندگی امواج الکترومغناطیس عرضی دریک پلاسمای الکترون –پوزیترون مغناطیده بدست آمده است. الکترونها و پوزیترونها میتوانند باسرعتهای سوقی متفاوت در راستای یک میدان مغناطیسی خارجی حرکت کنند. حل تحلیلی معادله پاشندگی نشان میدهد ناپایداری وایبل دراین سیستم پلاسمایی رشد خواهد نمود و با افزایش قدرت میدان مغناطیسی از آهنگ رشد ناپایداری کاسته خواهد شد. نتایج این تحقیق، برای فهمیدن منشاء میدان مغنا...

می دانیم که با افزودن ناخالصی به یک سیستم خالص، تقارن آن سیستم از بین می رود و باعث به وجود آمدن پراکندگی در موج ورودی به داخل سیستم می شود که از جمله این تقارن ها، تقارن انتقالی می باشد. در محیط های با این ویژگی الکترون از تئوری بلوخ پیروی نمی کند و در مسیر خود با عوامل پراکندگی مواجه می شود. چون ناخالصی مورد نظر معمولا به صورت تصادفی وقطری می باشد اگر بخواهیم این سیستم را مورد مطالعه قرار دهی...

کنترل انتشار نور در ساختارهای دی الکتریک لایه ای همواره مورد توجه محققین بوده است. این امر ناشی از قابلیت های فراوان این سیستم ها در کاربردهای گوناگون و وسیع در حیطه نورشناسی می باشد. مزیت اصلی سیستم لایه دی الکتریک نسبت به محیط اتمی قابلیت کاربرد آن در مطالعه انتشار نور در باند گاف بلور فوتونی است. تا به حال روش های گوناگونی برای کنترل رفتار انتشاری نور در داخل این سیستم ها ارائه شده است. برای...

در این پایان نامه تحریک امواج آلفون در یک پلاسمای غباری توسط موج پمپ مگنتوسونیک بررسی شده است. ضمن نوشتن معادلات حرکت ذرات پلاسما (الکترون، یون و غبار منفی) یک رابطه پاشندگی برای موج آلفون غباری تغییر یافته، بر حسب فرکانس محرک (پمپ) به دست آمد. نشان داده شده است فرکانس این موج تحریک یافته از امواج غبار-صوتی و امواج آلفون معمولی متاثر می شود. در قسمت دوم رابطه پاشندگی مربوط به تحریک امواج آلفون ...