در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...

This manuscript is the collection of lectures given in the summer school on strongly correlated electron systems held at Isfahan university of technology, June 2007. A short overview on quantum magnetism and spin systems is presented. The numerical exact diagonalization (Lanczos) alghorithm is explained in a pedagogical ground. This is a method to get some ground state properties on finite clus...

در این پایان¬نامه ما به بررسی تاثیر میدان الکتریکی بر کنترل خواص الکترونی، مغناطیسی نانوحلقه¬ها و نانودیسک¬های گرافینی به منظور استفاده در نانوترانزیستورهای وابسته به اسپین می¬پردازیم. با توجه به تنگ بست قوی تک¬نواری و مدل میدان متوسط هابارد، از حل معادله پواسن به منظور در نظر گرفتن اثر میدان الکتریکی(پتانسیل در هر جایگاه اتمی) استفاده کردیم. با در نظرگرفتن میدان¬های الکتریکی متفاوت، خواص الکتر...

در تحقیق حاضر ترابرد اسپینی در یک دیواره حوزه مغناطیسی که در بین دو ناحیه فرومغناطیس با مغناطش پاد موازی قرار دارد مطالعه شده است. معادلات پخش برای مولفه های انباشت اسپینی عرضی با استفاده از معادلات جنبشی در فضای ویگنر و پس از آن افت ولتاژ و مقاومت الکتریکی اضافی از انباشت اسپینی در دیواره مغناطیسی محاسبه شده است. نتایج به دست آمده نشان دهنده این نکته است که انباشت اسپینی عرضی از دو قسمت مستقل ...

این مقاله مجموعه مطالبی است که در اولین مدرسه تابستانی سیستمهای همبسته قوی در دانشگاه صنعتی اصفهان در تیرماه 1386 ارائه شده است. ابتدا مرور مختصری بر سیستمهای اسپینی و مغناطیسهای کوانتمی ارائه می شود. سپس روش قطری سازی دقیق (لنکزش) به شیوه آموزشی تشریح می گردد. این روش برای محاسبه خصوصیات حالت پایه مدلهای شبکه ای روی خوشه های محدود مناسب است. دو ویرایش از روش لنکزش برای محاسبه حالتهای برانگیخته...

در این مقاله ساختار تعادلی، خواص الاستیکی و مغناطیسی دو آلیاژ  و  با استفاده از نظریه تابعیت چگالی و تقریب شیب تعمیم یافته و با استفاده از روش پتانسیل کامل از طریق نرم افزار Wien2k مورد بررسی قرار گرفته است. همچنین برهمکنش کولنی درون جایگاهی در قالب روش GGA+U مورد استفاده قرار گرفته تا تأثیرات همبستگی ساختار الکترونی منظور گردد. تغییرات گاف نواری، یا در واقع همان گاف اسپینی با ثابت شبکه در ترکی...

مبحث شیشه در خودرو از اهمیت فراوانی برخوردار است. همواره شیشه های خودرو به علت ایمنی و زیبایی مورد توجه کارخانه های بزرگ تولید کننده خودرو بوده است و با پیشرفت صنعت خودرو پیشرفت قابل توجهی در صنعت شیشه رخ داده است. امروزه انواع شیشه ها بر اساس نیاز، با کاربردهای مختلف در خودرو به کار گرفته می شوند. نیازهای مختلف در صنعت خودرو، صنعتگران تولید شیشه را برآن داشت تا به سمت ساخت شیشه های متنوع روی آ...

وجه اصلی تمایز کار ما این است که اتصالات نانو ترانزیستورهای اثر میدانی، از نوع اتم های کربن می باشند، که در زیر به تفصیل شرح می دهیم. 1- ترانزیستورهای طراحی شده سه پایانه ای می باشندکه کنترل جریان خروجی توسط اتصال گیت به کانال صورت می گیرد. 2- جنس الکترودها گرافن و از نانو نوارهای مختلف می باشند همچنین جنس کانال نیز از دیسک یا حلقه گرافنی می باشد که موجب کاهش اثرات مقاومت سطح تماس می شود. 3-...

در مدلهای مختلف مکانیک آماری تعریف یک متریک بر روی فضای پارامترها باعث نگرش جدیدی به ساختار فاز نظریه می شود. در این مقاله انحنا اسکالر r مربوط به این متریک برای مدل اسپین مختلط چهار حالته حساب شده است. نشان داده شده است که انحنا اسکالر در این مدل رفتار مشابهی با مدلهای ایزینگ و پاتس دارد.

هدف از انجام این تحقیق مطالعه ی نظری اختلاف کوانتومی در زنجیره های اسپینی است. در فصل اول ابتدا به بیان مقدمه و مفاهیم و تعاریف بنیادی و بررسی روابط مربوط به هم-بستگی، اطلاعات متقابل و آنتروپی و بررسی روابط مربوط به تصویرگر ها و جنبه ی کلاسیکی هم بستگی کوانتومی و بررسی شرایط هم بستگی کلاسیکی می پردازیم. در فصل دوم روابط اختلاف کوانتومی، ماتریس چگالی حالت ایکس و اندازه گیری های بهینه برای اختلاف...