در این تحقیق با استفاده از کد محاسباتی ccfull سطح مقطع همجوشی را با توجه به جفت شدگی با مدهای ارتعاشی چهارقطبی و هشت قطبی در هسته های 154sm، 148sm و 144sm بدست آورده ایم و نتایج را با مدل نفوذ تک-¬ سد مقایسه کرده ایم. در برهمکنش همجوشی 96zr، 32s + 90zr علاوه بر حالت های تک فنونی حالت ¬های دو فنونی نیز بررسی شده است و با استفاده از محاسبات جفت شدگی کانال¬ ها توزیع سد همجوشی، که روشی دقیق برای تع...

در این پایان نامه در ابتدا مفاهیم پایه را بیان میکنیم و معادلات میدان را در این نظریه محاسبه می کنیم سپس با استفاده از تقریب میدان ضعیف تصحیح های را بر نسبیت عام وارد میکنیم و تغییرات ناشی از تبدیل همدیس در جفت شدگی با ماده و جفت شدگی غیر کمینه را نشان می دهیم. با وارد کردن ثابت کیهانشناسی جواب های در چارچوب انیشتین و جردن را میابیم و به بررسی شتاب عام در این تئوری می پردازیم.

هدف ما در این پایان نامه، مطالعه اثر بی نظمی همبسته در خواص سیستم مغناطیسی می باشد. ابتدا چند کمیت آماری مدل آیزینگ یک بعدی را معرفی و توصیف می کنیم. سپس به بررسی این کمیت ها در مدل آیزینگ با توزیع تصادفی جفت شدگی می پردازیم. پس از آن همبستگی در توزیع جفت شدگی را وارد کرده و با مقایسه کمیت های آماری به دست آمده با حالت های قبلی، دلیل اختلاف آن ها را بیان می نماییم.

قضیه جدیدی بر مبنای قضیه افت و خیز گذرا یا قضیه افت و خیز ایونس –سیرلز در این پایان نامه ارائه شده است که بیانگر رفتار سیستم های ریز مقیاس تحت تغییرات گرمایی می باشد. نتیجه بدست آمده توسط شبیه سازی های کامپیوتری برای باز شدن گرمایی یک پلی پپتیدکه تحت یک جهش دمایی قرارگرفته است به تایید رسیده است.با استفاده از شبیه سازی های دینامیک مولکولی و بسته نرم افزاری گرومکس و همچنین زبان برنامه نویسی فرتر...

در سال های اخیر بررسی اثر اسپین مربوط به جفت شدگی اسپین- مدار در ساختارهای کوانتومی نیم رسانا به ویژه نقاط کوانتومی توجه بسیاری از محققان را به خود جلب نموده است. در این ساختارها محدودیت فضایی، سبب کوانتیدگی ترازهای انرژی الکترون ها در نوار رسانش شده، خصوصیات فیزیکی این سیستم های نیم رسانا را دگرگون می سازد. یکی از مهمترین مشخصه های نقطه های کوانتومی امکان گذار بین زیرنوارها در نوار رسانش یا ظر...

به منظور بررسی مغناطیس شدگی ابررساناهای دمای بالا، در فصل اول با بررسی فوق بین ابررساناهای نوع اول ‏‎(i)‎‏ و نوع دوم ‏‎(ii)‎‏ به عواملی مانند نیروهای وارد برگردابی، خزش شار، حرکت شار و مقاومت ناشی از حرکت گردابی در درون ابررساناهای نوع دوم پرداخته ایم.در فصل دوم با در نظر گرفتن حالتهای بحرانی در درون و بیرون دانه های ابررسانا، معادلات حالت بحرانی را بدست آورده سپس رفتار مغناطیسی ابررساناهای دما...

به منظور بدست آوردن انرژی گداخت هسته ای، پلاسما را با میدان مغناطیسی محبوس می نمائیم و آن را تا دماهای بسیار زیاد گرما می دهیم. با این کار، در حقیقت شرایط تعادل ترمودینامیکی پلاسما را برهم زده ایم. از این رو پلاسما تلاش می کند برای بازیافتن تعادل خود، فرایندهای آشفتگی را برانگیزد. ما در اینجا نگاه دقیق تری به امواج سوقی برانگیخته شده توسط ناهمگنی های چگالی می اندازیم که جزء خطرناک ترین ها برای ...

مشاهده رویدادهای با گاف تندی بزرگ در hera تصور فیزیکی ناکشسان ژرف (dis) را در اذهان تغییر داد. دراین پایان نامه با معرفی مدل های رژٍ و qcd و فرض تبادل پامرون در فرایند dis پراشیده به توضیح تئوری آنها پرداخته شده است. توابع چگالی پارتون پراشیده با استفاده از عامل بندی رژٍ پارامتربندی شده اند و آنالیز داده ها توسط معادله dglap در مرتبه دوم انجام شده است.نتایج بدست آمده با نتایج آزمایشگاهی گروه h1 ...

در سال¬های اخیر برهم¬کنش اسپین ـ مدار در ساختارهای نیم رسانا به دلیل کاربرد بالقوه ای که در ادوات اسپینترونیک (الکترونیک مبتنی بر اسپین الکترون) دارد، توجه زیادی را به خود جلب کرده است. در نیم رساناهای متداول دو نوع برهم¬کنش اسپین ـ مدار وجود دارد. یکی برهم¬کنش اسپین ـ مدار درسلهاوس که به وسیله بی¬تقارنی وارون حجمی (نظیر ساختارهای روی ـ سولفید) و دیگری برهم¬کنش اسپین ـ مدار ناشی از بی¬تقارنی وا...

نانوالکترونیک شاخه¬ای از علم و فناوری نانو است که بیشتر درباره الکترونیک وابسته به اسپین یا اسپینترونیک بحث می کند. از سال 1990 که ترانزیستور اثر میدانی اسپینی مبتنی بر برهم کنش اسپین-مدار پیشنهاد شد تاکنون کوشش زیادی برای تزریق و آشکارسازی جریان¬های اسپین قطبیده در ماده نیمه رسانا انجام گرفته است که باعث گسترش اسپینترونیک شده است. مطالعه ی خواص ترابردی بار و اسپین در حضور برهم¬کنش اسپین- مدار ...