در این تحقیق، رفتار الکتروشیمیایی فولادهای زنگ نزن آستنیتی 304 و 316 و فولاد زنگ نزن مارتنزیتی 420 در سه محلول اسید سولفوریک با استفاده از آزمون های پلاریزاسیون پتانسیودینامیک، طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیایی و موت- شاتکی تحت شرایط پتانسیل مدار باز بررسی شد. برای این منظور، لایه های رویین در پتانسیل مدار باز در مدت زمان 1 ساعت تشکیل و سپس آزمون های پلاریزاسیون پتانسیودینامیک، طیف سنجی امپدانس ال...

پس از ساخت قطعه توسط دستگاه لایه نشانی الکترون بیم گان به بررسی خواص الکتریکی dc پیوند نانو ساختار بروموآلومینیوم فتالوسیانین با الکترودهای مس در دماهای مختلف پرداخته ایم. با رسم نمودار رسانندگی برحسب ولتاژ و مقایسه¬ی ضرایب کاهندگی ریچاردسون شاتکی و پل فرنکل با مقدار تئوری آن برای دو ناحیه¬ی ایجاد شده در نمودار مشخص شد که نوع اتصال فلز- نیمه رسانا شاتکی بوده که با افزایش دما رسانندگی افزایش می¬...

امواج الکترومغناطیسی در برخورد با بردهای الکترونیکی، جریان و ولتاژ در مدارها القا می کنند. اندازه میدان کوپل شده، به خصوصیات جبهه موج و برد الکترونیکی بستگی دارد. در این مقاله با حل معادلات ماکسول به روش fdtd1 و شبیه سازی سه بعدی از شرایط مرزی لایه های کاملا منطبق2 و روش tf/sf3، برای شبیه سازی انتشار موج در برد و محیط و بررسی تأثیر مشخصات موج تابشی در القا بر روی خطوط میکرواستریپ برد مدار چاپی ...

در این مقاله ساختار جدیدی برای ترانزیستور سه‌گیتی (SG-TD) ارائه شده است. در این ساختار با به کار بردن سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس و ایجاد تونل‌زنی به درون ناحیه سورس، مشخصه‌های ماسفت سه‌گیتی در مقایسه با ساختار ماسفت‌های سه‌گیتی مرسوم (C-TG) بهبود داده شده است. در ساختار پیشنهادی علاوه بر اینکه عایق بودن ترانزیستور در زیر کانال حفظ می‌شود، اثرات منفی آن نیز کاهش می‌یابد. در ساختار ارائه  شده...

هدف: هدف از این مطالعه ارزیابی شاخص‌های آلتمتریک دانشگاه‌های علوم پزشکی ایران در دو شبکه اجتماعی ریسرچ‌گیت و آکادمیا و بررسی رابطة آنها با شاخص‌های علم‌سنجی پایگاه اسکوپوس از قبیل میزان استناد، اچ ایندکس و تعداد انتشارات است. روش‌شناسی: پژوهش حاضر از نوع کاربردی و با روش علم‌سنجی انجام شده است، داده‌های پژوهش به کمک نرم‌افزار اکسل 2013 گردآوری و با نرم‌افزار SPSS ویرایش23 آزمون‌های آماری اسپیر...

ضرورت توجه به ساخت ترانزیستورهای با محدوده عملکرد بالا (توان بالا وفرکانس قطع بالا) در ولتاژهای پایین باعث شد که عواملی که باعث افزایش جریان الکترونی این ترانزیستورها می شوند مورد بحث و بررسی قرار گیرند. برای بررسی اثر پهنای ناحیه تهی بر جریان الکترونی fetهای inaln/inn، ابتدا باید یک سری پارامترهای فیزیکی دقیق و کامل بدست آید، برای بدست آوردن این پارامترها چون چگالی گاز الکترونی، چگالی بار سطح...

برای اولین بار، در این مقاله یک ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل زنی جدید پیشنهاد شده است که در این ساختار جدید به جای استفاده از یک دوپینگ سنگین در ناحیه درین ساختار متداول، از یک دوپینگ خطی استفاده شده است. این دوپینگ از وسط ناحیه درین به صورت خطی به سمت ناحیه کانال گسترش یافته است. میزان ناخالصی در محل اتصال کانال-درین صفر است. این ساختار ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل ...

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه‌ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...

‏در این پایان نامه‎‏‏، پیاده سازی فیزیکی گیت‎‎‎ cnot در سیستم فوتون نوری ارائه شده است. گیت cnot یکی از گیت های پایه ای در محاسبات کوانتومی است که بسیاری از گیت های کوانتومی دیگر را با استفاده از این گیت و گیت های تک کیوبیتی می توان ساخت.

هدف: هدف از این مطالعه ارزیابی شاخص‌های آلتمتریک دانشگاه‌های علوم پزشکی ایران در دو شبکه اجتماعی ریسرچ‌گیت و آکادمیا و بررسی رابطة آنها با شاخص‌های علم‌سنجی پایگاه اسکوپوس از قبیل میزان استناد، اچ ایندکس و تعداد انتشارات است. روش‌شناسی: پژوهش حاضر از نوع کاربردی و با روش علم‌سنجی انجام شده است، داده‌های پژوهش به کمک نرم‌افزار اکسل 2013 گردآوری و با نرم‌افزار SPSS ویرایش23 آزمون‌های آماری اسپیرم...