نتایج جستجو برای: نانوسیم سیلیکون

تعداد نتایج: 1185  

ژورنال: تحقیقات بذر 2016

تولید محصولات کشاورزی در مناطق خشک و نیمه‌خشک تحت تأثیر شوری آب و خاک می‌باشد.در سال‌های اخیر به‌کارگیری روش‌هایی که موجب افزایش تحمل گیاه به تنش شوری گردد مورد توجه محققین قرار گرفته است. این مطالعه به منظور بررسی اثر سیلیکون بر جوانه‌زنی و رشد اولیه جو تحت سطوح مختلف تنش شوری انجام پذیرفت. این آزمایش به‌صورت فاکتوریل در قالب طرح کاملاً تصادفی در 4 تکرار در آزمایشگاه گیاهشناسی دانشگاه یزد انجام...

نانوذرات سیلیکون دارای ویژگی های فیزیکوشیمیایی متمایزی هستند که از طریق ورود به گیاهان بر متابولیسم گیاه تاثیرگذاشته و موجب بهبود رشد و عملکرد گیاه در شرایط محیطی نامطلوب می‌شوند. این تحقیق به منظور بررسی اثرات فیزیولوژیک نانوسیلیکون بر روی بنه زعفران انجام شد. گیاهان با نانو ذره سیلیکون در دو غلظت 9 و 18 میلی گرم بر لیتر تیمار و مورد ارزیابی قرار گرفتند. آزمایش به صورت طرح کاملا تصادفی با سه ب...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه کاشان 1390

در دهه ی اخیر، نانوسیم های آلیاژی مغناطیسی مرکز توجه بسیاری از فعالیت ها واقع شده اند که به دلیل کاربردهای وسیع شان در زمینه های مختلف به خصوص دستگاه های ضبط مغناطیسی با چگالی فوق العاده بالا، gmr و ... می باشد. در این پروژه به ساخت و توصیف مشخصه های نانوسیم های سه آلیاژی مغناطیسی cofezn پرداخته شده است. روش ساخت این نانوسیم ها مشتمل بر دو بخش است:1) تهیه قالب آلومینیوم آندی به روش آندیزاسیون ن...

حسین فرج الهی کمال جهانی,

ماهواره‌ها هنگام قرارگرفتن در مسیر مدار، متحمل بارهای ارتعاشی ماهواره‌بر، مخصوصاً در جهت طولی می‌شوند. به‌رغم جداسازی ارتعاشات کل ماهواره از بارهای دینامیکی در فصل مشترک بین ماهواره و ماهواره‌بر، همچنان بارهای ارتعاشی مخرب که بتوانند بر روی عملکرد تجهیزات حساس ماهواره‌ها اثرکنند، به سازة ماهواره منتقل می‌شود که این مسئله اهمیت نیاز به سیستم جداسازی ارتعاشی تجهیزات حساس را روشن می‌سازد. در این مق...

ژورنال: تحقیقات بذر 2016

تولید محصولات کشاورزی در مناطق خشک و نیمه‌خشک تحت تأثیر شوری آب و خاک می‌باشد.در سال‌های اخیر به‌کارگیری روش‌هایی که موجب افزایش تحمل گیاه به تنش شوری گردد مورد توجه محققین قرار گرفته است. این مطالعه به منظور بررسی اثر سیلیکون بر جوانه‌زنی و رشد اولیه جو تحت سطوح مختلف تنش شوری انجام پذیرفت. این آزمایش به‌صورت فاکتوریل در قالب طرح کاملاً تصادفی در 4 تکرار در آزمایشگاه گیاهشناسی دانشگاه یزد انجام...

پایان نامه :دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده فنی 1392

تنش¬های زیستی و غیر زیستی از عوامل بسیار مهم در کاهش محصولات کشاورزی هستند. سیلیکون به عنوان دومین عنصر فراوان در پوسته زمین است. این عنصر به دلیل آن که نقش اساسی در زنده مانی گیاه ندارد جزو عناصر ضروری برای رشد گیاه قرار نگرفته است. در این پژوهش تأثیر سیلیکون بر روی چهار رقم انگور (پرلت، فلم، میش¬پستان و صاحبی) در دو مرحله رشد، تحت شرایط تنش خشکی با سه تیمار (شاهد، خشکی + سیلیکون و خشکی) در سه...

داریوش فتحی

سرعت اکسید شدن در سیلیکون می تواند در اثر وجود ناخالصی ها تغییر کند.

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه پیام نور - دانشگاه پیام نور استان تهران - دانشکده علوم پایه 1391

در این پایان نامه با توجه به ساختارهندسی نانوسیم کوانتومی v شکل با پهنای شیار متغیر و مدل تحلیلی آن یک پتانسیل موثر با تقریب پیشنهاد شده است. با یک انتقال مناسب دردستگاه مختصات معادله ی شرودینگردو بعدی به دو معادله ی یک بعدی تجزیه می شود. توابع موج وترازهای انرژی الکترون و حفره در سیم v شکل به دست آمده است.با رسم نمودار پربند سطحی تقید قوی الکترون و حفره به طور واضح آشکار می شود.انرژی های به دس...

پایان نامه :دانشگاه بین المللی امام خمینی (ره) - قزوین - دانشکده علوم پایه 1390

از طریق روش اکسیداسیون گرمایی نانوسیم های اکسیدروی سنتز شده اند. مشخصه یابی نانوسیم ها توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف فوتولومینسانس، پراش پرتو ایکس و طیف تراگسیل انجام شده است. گاف انرژی نمونه ها از طریق داده های حاصل از طیف تراگسیل در گستره طول موج 800-300 نانومتر تعیین شده است. با افزایش دمای گرمایی از 500 به 600 درجه سانتیگراد میانگین قطر نانوسیم ها افزایش یافته است ولی باافزایش بیشتر دم...

پایان نامه :دانشگاه آزاد اسلامی واحد کرمانشاه - دانشکده مهندسی برق و الکترونیک 1393

استفاده از ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (اکسید سیلیکون) راه حلی برای حذف اثرات پارازیتی موجود در افزاره های بدنه سیلیکون می باشد اما هدایت گرمایی پایین لایه اکسید مدفون در افزاره های سیلیکون روی عایق، موجب تولید اثر خود گرمایی و افزایش دمای شبکه در این افزاره ها به ویژه در افزاره های زیر میکرون می شود. لذا اثر خود گرمایی محرکی برای حرکت به سمت استفاده از تکنولوژی سیلیکون بر روی موادی گردید که...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید