در این مقاله به منظور بهبود پارامترهای الکترونیکی نانوسیم‌های سیلیکونی، اثر اضافه کردن اتم ناخالصی آرسنیک و فسفر بررسی شده ‌است. پارامترهای بررسی شده شامل طیف انتقال، قابلیت تحرک، طول آزاد میانگین و ساختار باند انرژی می‌باشد. جهت بررسی رسانایی و قابلیت تحرک نانوسیم‌های سیلیکونی، انتقال در طول نانوسیم‌های بلند در حضور تعداد زیادی ناکاملی (مانند ناخالصی، جای خالی، بی‌نظمی و ناهمواری‌های سطحی) مور...

در سال¬های اخیر بررسی اثر اسپین مربوط به جفت¬شدگی اسپین- مدار در ساختارهای کوانتومی نیم¬رسانا به ویژه نقاط کوانتومی توجه بسیاری از محققان را به خود جلب نموده است. کنترل اسپین مستلزم این است که اسپین، تمیز پذیر باشد و این بدین معنی است که تبهگنی اسپینی باید از میان برداشته شود. یکی از راه¬های کنترل حالت¬های اسپینی، به کار بردن یک میدان مغناطیسی برای حذف تبهگنی کرامرز است که در نتیجه آن امکان دست...

ترانزیستورهای ماسفت با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق کاربرد وسیعی در صنعت الکترونیک دارند. اما وجود لایه عایق در این ساختارها باعث مشکلاتی مانند اثر بدنه شناور و اثر خودگرمایی می‌گردند. به‌منظور بالابردن عملکرد الکتریکی، در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه می‌گردد. ساختار پیشنهادی با نام QSZ-MOSFET ارائه می‌گردد که در آن چهار ناحیه سیلیسیمی در کانال و در اکسید مدفو...

چکیده ندارد.

در این پایان نامه مسئله ترابرد الکترون ها در دو نیمرسانایinn وaln درحضور میدان های الکتریکی ضعیف با استفاده از حل معادله بولتزمن به روش برگشت پذیر مورد بررسی قرارگرفته است . نتایج این مطالعه نشان می دهد که درمیدان های الکتریکی ضعیف ( v/cm 104 ) ، تنها الکترون های واقع در دره مرکزی? در ترابرد الکترون ها سهیم می باشند و گذارهای بین دره ای و بین نواری وجود ندارد ، درحالیکه در میدان های الکتریکی قو...

هدف این پایان نامه،بررسی خواص ترابری الکترون درنیم رساناهای4h-sic و6h-sic درحد میدان های الکتریکی شدید بااستفاده از روش مونت کارلو می باشد. درمیدان های الکتریکی ضعیف ،تنهاالکترون های واقع دردره مرکزی گامادرترابردالکترون هاسهیم اند وگذارهای بین دره ای وبین نواری وجودندارند.درحالیکه درمیدان های الکتریکی قوی،الکترون های واقع دردره های مجاورنیزدرترابرد الکترون ها نقش دارندوگذارهای بین دره ای وبین ...

در این پایان نامه یک مدل تحلیلی ساده و در عین حال با دقت بالا برای مشخصه های جریان – ولتاژ و سیگنال کوچک ترانزیستورهای اثر میدانی با مدولاسیون ناخالصی almga1-m n/gan ارائه شده است. در قسمت کنترل بار از مدل ارائه شده، تغییرات تراز فرمی در اثر چگالی بار سطحی، نفوذ تابع موج گاز الکترون دو بعدی در لایه جدا کننده و همچنین اثرقطبش های پیزوالکتریک و خودبخودی در فصل مشترک ساختار ناهمگون در نظر گرفته شد...

در این مقاله، هدف بررسی میزان نفوذ الکترون در بافت گردن و برآورد دز در این بافت است. برای این کار، از فانتوم گردن شبیه سازی شده توسط کد mcnpx نسخۀ 6/2 استفاد شده است. فانتوم مورد نظر شامل لایۀ پوست، چربی زیر پوست، بافت گردن، استخوان گردن و غدۀ تیروئید است. چشمۀ پرتوی بیرون فانتوم، نزدیک سطح پوست و در ناحیۀ پشت گردن قرار گرفته است و الکترون های تک انرژی به صورت عمود بر سطح پوست تابیده می شوند. م...

ترانزیستورهای اثر میدانی فراپیوندی مبتنی بر gan جایگاه ویژه ای در کاربردهای مایکروویو توان بالا دارند. در همین راستا، مدل سازی و افزایش جریان خروجی و توان خروجی در فرکانس های مایکروویو اهمیت بسیاری دارد. در اغلب موارد اثر الکترون انتقالی در مدل سازی مشخصه ی جریان- ولتاژ hfetهای مبتنی بر نیمه هادی های iii-nitride نادیده گرفته می شود. در gan بالازدگی سرعت رانش الکترون و گاف انرژی، در مقایسه با سا...

هدف از این رساله دست یابی به تکنولوژی رسد بلور نیمه هادی insb و اندازه گیری مشخصات ان و نهایتا ساخت اشکار سازهای فوتو رسانای insb می باشد. برای این منظور ضمن معرفی روشهای استاندارد رشد بلور با استفاد از روش برجیمن عمودی، نمونه هایی از تک بلور insb رشد داده شد. برای مقایسه این نمونه با نمونه های تجارتی، مشخصات بلور اندازه گیری قرار گرفت . این مشخصات عبارتند از تغییرات ثابت هال، رسانندگی، تحرک ال...