در این مقاله یک اینورتر چندسطحی سه‌فاز هیبریدی جدید ارائه شده است. اینورتر چندسطحی پیشنهادی در مقایسه با ساختارهای مشابه از تعداد IGBT و مدار راه‌انداز کم‌تری تشکیل شده است. همچنین به دلیل پایین بودن تعداد منابع DC ورودی و نبود خازن الکترولیت در ساختار اینورتر پیشنهادی، کنترل این اینورتر برای تولید ولتاژ مطلوب ساده می‌باشد. این اینورتر از سه اینورتر تمام‌پل تک‌فاز، یک اینورتر تمام‌پل سه‌فاز و س...

چکیده: اینورترهای منبع ولتاژی چندسطحی ساختار مناسبی را برای دستیابی به میزان توان بالا و شکل موجهای خروجی با کیفیت بالاتر ارائه میدهند. تاکنون، تحقیقات گستردهای در زمینه اینورترهای چند سطحی، استفاده شده در کاربردهای ولتاژ و توان بالا انجام گرفته است که به دلیل امتیاز آنها از قبیل: اعوجاج هارمونیکی کمتر شکل موجهای خروجی، تنش کمتر ولتاژ کلیدها و پایین بودن تداخل امواج الکترومغناطیسی سیستم، مورد ت...

در سال های اخیر به علت افزایش تقاضای مصرف توان و توسعه سیستم های قدرت، این سیستم ها در مرز ناپایداری خود عمل می کنند. سیستم های hvdc به علت مشخصه کنترلی که دارا هستند می توانند در بهبود پایداری سیستم های قدرت موثر باشند. مبدل منبع ولتاژ مبتنی بر تکنولوژی hvdc تکنولوژی جدید انتقال توان است که مزایایی مانند کنترل جداگانه توان های اکتیو و راکتیو و تنظیم دینامیکی ولتاژ در سمت ac مبدل را نسبت به سیس...

نوسان ساز ها جزء لا ینفک بسیاری از سیستم های الکترونیکی هستند. کاربرد های آنها تولید ساعت در ریزپردازنده ها تا سنتز فرکانس حامل در تلفن های سلولی را در بر می گیرد که نیاز به توپولوژیهای متفاوتی از نوسان ساز ها با درجات متفاوتی از کارایی دارند.طراحی نوسان ساز مقاوم و کارا در فناوری cmos جزء مسائل جالب است.معمولا نوسان ساز ها را در یک حلقه ی قفل فاز(pll) بکار می برند با توجه به کاربرد pll ، بحث م...

امروزه تقاضا برای سیستم های بی سیم سرعت بالا، سیر صعودی یافته است. عبارت هایی نظیر توان پایین و سطح مجتمع سازی بالا (ics)، موارد کلیدی در توسعه ی سیستم های ارتباطی بی سیم هستند. از این رو در چند سال اخیر، کارهایی در زمینه ی مصرف جریان کم و مجتمع سازی بالا صورت گرفته است. به منظور رسیدن به سطح مجتمع سازی بالا و مصرف توان پایین، مدارات نوسان ساز و مخلوط کننده را با استفاده از فرآیندهای gaas و bi-...

گیت XOR یکی از بلوک های سازنده پایه در یک مدار تمام جمع کننده می باشد که بهبود عملکرد آن می تواند به یک تمام جمع کننده بهبود یافته منجر شود. بدین منظور، در این مقاله، یک سلول XOR جدید ولتاژ پایین مبتنی بر ترانزیستور های اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) پیشنهاد شده است. اهداف طراحی اصلی برای این مدار جدید، اتلاف توان کم، جریان نشتی پایین و سوئینگ ولتاژ کامل در یک ولتاژ تغذیه کم (Vdd = 0.5 V) م...

: یکی از کاربردی ترین بلوک های به کار رفته در سیستمهای آنالوگ و سیگنال مخلوط تقویت کننده های عمیاتی می باشند. تقویت کننده های عملیاتی همه منظوره می توانند به عنوان جمع کننده، مشتق گیر، انتگرال گیر، بافر ، مقایسه کننده ، مبدل امپدانس منفی و سایر کاربردها استفاده شوند. در این پایان نامه ، طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی جدید بهره بالا و توان پایین مبتنی بر ترانزیستور فین فت با نرم افزار hsp...

در این مقاله، مبدل بهینه‌سازی ضریب توان یک‌طبقه با کلید‌زنی نرم برای راه‌اندازی دو رشته‌ از چراغ‌های LED ارائه شده است. در مبدل پیشنهادی، یک ترانسفورمر به یک ساختار نیم‌پل رزونانس سری نا‌متقارن اضافه شده است تا بتوان به جریان ورودی شکل داد. همچنین، شرایط کلید‌زنی نرم در جریان صفر (ZCS) و ولتاژ صفر (ZVS) برای کلید‌ها فراهم شده است. جریان‌های خروجی نیز با یکدیگر برابر و مستقل از ولتاژ خروجی‌اند ک...

در این پایان نامه یک تقویت کننده کم نویز(lna)باولتاژاعمالی کم و توان مصرفی پائین و پهنای باند بیسار (uwb)در باند فرکانسی3.1-10.6ghz با استفاده از تکنولوژی90nm cmosبا استفاده از نرم افزارads طراحی و شبیه سازی شده است.در تقویت کننده ی کم نویز ارائه شده برای تطبیق ورودی از ساختار سلف دژنراسیون و برای افزایش پهنای باند از روش کسکود و سلف سری و فیدبک مقاومتی استفاده شده است.برای افزیش خطی سازی(iip3)...