نتایج جستجو برای: نیم رسانای مغناطیسی
تعداد نتایج: 13986 فیلتر نتایج به سال:
استانین، یک نانوساختار دو بعدی از اتم های Sn، دارای ساختار لانه زنبوری می باشد. بر هم کنش اسپین-مدار ذاتی قوی استانین، موجب ایجاد شکاف انرژی تا حدود 0.07 الکترون ولت در ساختار نواری آن می شود. در این پژوهش، ویژگی های الکترونی نانونوارهای استانینی لبه زیگزاگ با مدل تنگ بست و روش تابع گرین در حضور میدان های الکتریکی و مغناطیسی را بررسی می نماییم. در حضور میدان الکتریکی عمودی، در نانونوارهای استان...
نتایج نشان می دهدکه این دسته از ترکیبات همگی نیم رسانا هستند،که ترکیب bese نیم رسانای با گاف غیرمستقیمبا گاف نواریبرابرev)62/3= ) و گاف مستقیمبا گاف نواریبرابر ev)5= ) و برای بقیه ی ترکیبات سه تایی با مقادیر (75/0و5/0و25/0و0 =x) همگی نیم رسانای با گاف مستقیمبا گاف نواریبه ترتیب برابر ev(7/3و7/2و4/2و07/2) می باشند. افزودن بریلیم به ترکیب cdse با غلظت های مختلف xبا مقادیر (1و75/0و5/0و25/0و0 =x ) ...
چکیده ندارد.
چکیده ندارد.
چکیده ندارد.
در این مقاله، بهمنظور بهبود عملکرد آنتنهای ماهواره، استفاده از سطوح با امپدانس بالا پیشنهاد میشود. سطوح با امپدانس بالا اغلب با نام هادیهای مغناطیسی مصنوعی شناخته میشوند. هادی مغناطیسی طراحیشده، شامل آرایهای از سطوح انتخابگر فرکانسی JC-FSS است که با چهار پایة رسانا به صفحة زمین متصل میشود. کلیة قطعات رسانای آن از جنس آلومینیوم و دیالکتریکی از نوع آرلون ایدی 270)(Arlon AD 270است که فضا...
نقص ها با توجه به این که می توانند روی خواص الکتریکی و مغناطیسی ساختار ها تاثیر بگزارند از اهمیت ویژه ای برخوردارند. با توجه به کاربرد مواد اگر به دید منفی به نقص ها در ساختار ها نگاه کنیم پس بایدشناخت از تاثیر نقص ها روی خواص الکتریکی و مغناطیسی ساختار ها داشته باشیم تا ساختار ها کاربرد خود را با تغییر در خواص الکتریکی ومغناطیسی از دست ندهند. همچنین اگر با دید مثبت نگاه کنیم یعنی اگر ما بدون ت...
در این تحقیق ، به مطالعه بر روی مراجع ولتاژ پرداختیم با استفاده از جریان زیر آستانه ماسفت ها و روش مفهوم اصل ولتاژ باندگپ معکوس (البته با در نظر گرفتن بتا ترانزیستور اتصال دوقطبی) ، مداری طراحی کردیم که قادر به جبران دمایی مرتبه دوم بود. هدف پیشنهادی این پایان نامه ، توسعه مرجع ولتاژ باندگپ با ترجیحا عملکرد ولتاژ پایین و همچنین تضمین پایداری در ولتاژ مرجع بود. با استفاده از نرم افزار hspice و ...
در چند دهه گذشته تمرکز زیادی از علم الکترونیک بر روی طراحی سلول های حافظه قرار گرفته و تلاش¬های زیادی برای بهینه¬سازی آن ها صورت گرفته است. در این پایان¬نامه سعی شده با بررسی روش های پیشین طراحی سلول حافظه، با اعمال تغییراتی در سلول حافظه استاندارد (6 ترانزیستوری)، سلول جدیدی طراحی و شبیه سازی شود. این سلول جدید ارائه شده از نظر توان و سرعت کاری در وضعیت بهتری نسبت به سلول حافظه استاندارد قرار ...
دما یکی از کمیاتی است که نقش مهمی در تصمیم گیری دارد. بنابرین لازم است این کمیت با دقت کافی اندازه¬گیری شود. امروزه، سنسورهای دمایی نظیر مقاومت پلاتینیوم و ترموکوپل که سنسورهای دقیقی هستند، جای خود را به سنسورهای دمای طراحی شده در تکنولوژی cmos، با دقت بالا، داده¬اند. در این پایان نامه به شرح نحوه¬ی طراحی حسگر هوشمند دمایی که در تکنولوژی 0.18?m طراحی شده است پرداخته می¬شود. این حسگر دمای ?c ??-...
نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال
با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید