چکیده ندارد.

نوسانگر کنترل شده با ولتاژ (vco)، سیستمی است که با اعمال ولتاژ متغیر به ورودی آن در خروجی فرکانس متغیر تولید می کند. نوسانگر کنترل شده با ولتاژ به طور وسیع در میکروپروسسورها و حافظه ها و سیستم های مخابراتی دیجیتال نظیر سنتز کننده های فرکانسی ، مدولاسیون فاز ، دی مدولاسیون فاز، بازسازی کلاک مورد استفاده قرار می گیرد. دراین مدارات نیاز به عملکرد با سرعت بالا است، که ضمن افزایش فرکانس باید نویز فا...

اثرات پتانسیل دوقطبی - دوقطبی و چهارقطبی - چهارقطبی ناهمسانگرد بر گاف انرژی گاز بوزی را در تقریب میدان متوسط بررسی می کنیم. از مدل دوشاره ای برای به دست آوردن بیناب انرژی قسمت های چگاله و ناچگاله (حرارتی) استفاده می کنیم. با به دست آوردن این بیناب، تغییر گاف انرژی به دست می آید. در مقایسه با سیستم بوزی با بر هم کنش ضعیف تماسی که اثر ناچگاله ها بزرگتر است، مشاهده می شود که در سیستم با برهم کنش د...

in this thesis,spin dependend transport and electron transport through of ng/sg(graphene/ superconductor graphen) are studied in the junction of ng/fgt/sg. due to andreev reflection conductance increases in the presence of superconductor graphene.also, by applying a voltage gate on a superconductor, fermi level shifts and the conductance is independent of ferromagnatic substrate. also, the cond...

مقدمه: به دلیل شباهت بالای نشانه‌ها و مشخصات بالینی بین اختلالات طیف شخصیت مرزی و دوقطبی به‌ویژه اختلال دوقطبی -II، برخی از محققان اختلال شخصیت مرزی را با طیف دوقطبی طبقه‌بندی نموده‌اند و برای هر دو اختلال سبب‌شناسی مشترکی را در نظر گرفته‌اند. در مطالعه حاضر به‌منظور ارزیابی این فرضیه، رابطه صمیمی و تجربۀ خشم در اختلالات شخصیت مرزی و دوقطبی -II مقایسه شده است. مواد و روش‌ها: نمونه شامل 27 بیمار...

در این مقاله یک ساختار جدیدی از ترانزیستور دو گیتی در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق پیشنهاد شده است. در این تکنولوژی، اکسید مدفون به عنوان یک لایه عایق نسبت به سیلیسیم، هدایت گرمایی پایین تری دارد که باعث بروز مشکلاتی برای ماسفت های در مقیاس نانو می گردد. در این مقاله یک پنجره سیلیسیمی زیر ناحیه کانال جایگزین قسمتی از اکسید مدفون می گردد تا باعث کاهش ماکزیمم دمای افزاره گردد زیرا قابلیت انتقال حرار...

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DM-DG ارائه‌شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق HfO2 در مرز ناحیه کانال و درین و همین‌طور استفاده از سیلیسیم-ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق HfO2 به‌طور قابل‌توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می‌دهد؛ بنابراین فرآیندهای مخرب در ساختا...

اختلالات اسکیزوفرنیا و دوقطبی با اختلال در عملکردهای شناختی همراهند و پروفایل شناختی این دو اختلال به هم شبیه است. با این حال، نقایص شناختی در این بیماران ممکن است مسیر های متفاوتی را دنبال کنند. هدف پژوهش حاضر، بررسی و مقایسه سرعت شناختی و زمان واکنش و تصمیم‌گیری در بیماران اسکیزوفرنیا و دوقطبی بود. برای این منظور طی یک پژوهش مقایسه‌ای، چهل بیمار مبتلا به اختلال اسکیزوفرنیا، 40 بیمار مبتلا به ...

اسیلاتور ها قسمت مهمّی در سیستم های مخابراتی rf می باشند. از این مدارات در ترکیب کننده های فرکانسی مورد استفاده در pll ها و همچنین در سیستم های دیجیتالی برای تولید پالس ساعت استفاده می گردد. در بسیاری از مدارات کاربردی، اسیلاتور های استفاده شده باید قابل تنظیم باشند، یعنی فرکانس خروجی آنها باید تابعی از یک سیگنال ورودی که معمولاً یک ولتاژ است، باشد. به این نوع اسیلاتور ها، اسیلاتور های کنترل شده ...

مطالعه اثربخشی درمان شناختی رفتاری در جلوگیری از عود اختلال دوقطبی. طرح پژوهش شبه‏آزمایشی و از نوع پیش‏آزمون و پس‏آزمون با گروه کنترل بود. جامعه هدف شامل بیماران سرپایی بهبود‏یافته از اختلال دوقطبی نوع і مراجعه‏کننده به بیمارستان امام حسین تهران بودند که با وجود تجویز تثبیت کننده­های خلقی دچار عودهای متناوب بودند. از این بین با روش نمونه‏گیری در دسترس، تعداد 14 بیمار دوقطبی نوع i ، به‏طور تصادف...