نتایج جستجو برای: مدل si

تعداد نتایج: 194765  

Journal: :journal of nanostructures 2012
a. bahari

the main impetus for our research is provided by the growing interest worldwide in ultra thin silicon dioxide on silicon based nano devices. the obvious need for better knowledge in the ultra thin gate silicon dioxides, is motivated both by interests in fundamental research and phenomenology as well as by interests in possible applications, which can be found with better fitting of experimental...

To investigate the effects of silicon on the growth characteristics and the reduction of the powdery mildew damage to Zinnia (Zinnia elegans Jacq. ʻMagellanʼ), an experiment was carried out as a factorial experiment in the form of a randomized complete block design with two factors including eight treatments and three replications. The first factor included silicon concentrations at four levels...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید باهنر کرمان - دانشکده کشاورزی 1393

اثر دو سم کلرپایریفوس و سم موونتو به همراه تنظیم کننده رشد سالیسیلیک اسید (sa)، ماده سیلیسیم (si) و ترکیب این دو (sa+si) بر کنترل این آفت مطالعه گردید. در سال اول از سم کلرپایریفوس در رقم کله قوچی و در سال دوم از سم موونتو در رقم های کله قوچی، اوحدی و ممتاز استفاده گردید. درختان بالغ پسته با محلول های یک میلی مولار sa، دو در هزار si و ترکیب آن ها (sa+si) قبل از سمپاشی با سم کلرپایریفوس با غلظت ...

Silicon (Si), as a beneficial or quasi-essential element, has different effects on physiological and biochemical processes in plants. But, many greenhouse growers in Iran, especially in soilless system (hydroponic), do not use Si in their recipe and fertilization program. This experiment was conducted to assess the effects of foliar application of different Si levels (0, 50, 100 and 150 mg/L) o...

In the present study, improvement of salt tolerance in basil (as a salt-sensitive plant) was investigated through silicon (Si) nutrition. Basil plants were subjected to silicon (0, 3 mM) and salinity (0, 50, 100, 150 and 200 mM NaCl) for a duration of one month. Salt stress significantly decreased the biomass of basil. Si supplement (3 mM) resulted in a considerable increase (averagely +135%) i...

Journal: :iranian journal of radiology 0
hodaiseh saharkhiz department of medical physics, faculty of medicine, tabriz university of medical sciences, tabriz, iran; student research committee, school of medicine, tabriz university of medical sciences, tabriz, iran nahideh gharehaghaji department of radiology, school of paramedicine, tabriz university of medical sciences, tabriz, iran; department of radiology, faculty of paramedicine, tabriz university of medical sciences, daneshgah square, tabriz, iran. tel.: +98-4113356911, fax: +98-4113368733 mahmood nazarpoor department of radiology, school of paramedicine, tabriz university of medical sciences, tabriz, iran asghar mesbahi department of medical physics, faculty of medicine, tabriz university of medical sciences, tabriz, iran masoud pourissa department of radiology, school of medicine, tabriz university of medical sciences, tabriz, iran

conclusions ti is an important parameter to consider in the relationship between si and nanoparticle concentrations. an increase in ti leads to a decrease in the range of linearity. results the results indicate that si depended on the concentration of nanoparticles and ti. in addition, si increased by increasing the tis ranging from 200 to 400 ms for all studied concentrations. the linear relat...

ژورنال: :پژوهش فیزیک ایران 0
علی بهاری a bahari university of mazandaranدانشگاه مازندران

در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، si(100) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه si(100) و si(111) به بررسی نان...

Journal: : 2023

در آشکار‌ساز CMS نسبت‌های انشعاب بوزون هیگز مدل استاندارد به جفت‌‌های J/ψ(1S) و cc ترتیب برابر 2-10×1/8 2-10×2/89 اندازه‌گیری شده است. لحاظ نظری یکی از سناریوهای ممکن برای تولید مستقیم این است که آغاز جفت واپاشی نماید سپس مرحله‌ی بعد هر یک کوارک‌های c طور مزون ترکش کنند. بر اساس سناریو مقاله بطریق کوارک‎های با استفاده نظریه اختلال مکانیک کوانتومی رنگ (pQCD) نظر گرفتن حالت‌های قطبش طولی عرضی محا...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه شهید بهشتی - دانشکده علوم 1376

سیلیسایدها توسط لایه نشانی فلز بر روی نیمرسانای سیلسیم و پخت آن بوجود می آیند. سیلیسایدها هواص فلزی دارند و در تماس با نیمرسانا اتصال شاتکی می سازند. چنانچه دیود شاتکی به این روش ساخته شود ایده آل خواهد بود. از آنجا که دیود شاتکی ptsi/si مزایای متعددی دارد این دیود شاتکی مورد مطالعه نظری و تجربی قرار گرفته است . چگونگی تشکیل لایه ptsi و محاسبه ارتفاع سد دیود شاتکی ptsi/si هدف این پروژه می باشد....

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید