چکیده ندارد.

در این سال ها مواد آلی بسیاری به منظور افزایش کارآیی ترانزیستورهای اثر میدانی آلی گزارش شده اند که بیشتر در بهبود کارآیی گیت دی الکتریک ها متمرکز شده اند. هدف اصلی بررسی های پژوهشگران در یافتن مواد آلی کامپوزیتی به ویژه هیبریدهای آلی / غیر آلی استوار بوده تا معلوم شود آیا مواد مزبور قابلیت لازم را دارند تا به عنوان ترانزیستورهای اثر میدانی و آلی بکار روندیا خیر. در این مقالهگیت دی الکتریک تا با...

کلید­های cmos یکی از ساختارهای اصلی و تاثیرگذار مدارهای الکترونیکی به شمار می­روند و به طور گسترده در مدارهای آنالوگ کاربرد دارند. یکی از شاخصه­های غیر ایده­آل این کلیدها مقاومت حالت خاموش و جریان نشتی معکوس آنها است. به منظورکاهش جریان نشتی کلیدهای ماسفت و در نتیجه آن افزایش مقاومت حالت خاموش کلید، یک روش جدید در این مقاله ارائه شده است. این راهکار با بهره برداری از اثر بدنه و افزایش ولتاژ آست...

در این تحقیق، هدف بهبود شیب زیرآستانه به مقادیر کمتر از mv/decade60و نسبت جریان روشن به جریان خاموش با مرتبه بالاتر از 5^10 می باشد. بدین منظور ابتدا روشهای مختلف بهبود عملکرد این افزاره را بررسی کرده و در نهایت روش مهندسی در گاف انرژی با مواد با باندگاپ قابل تنظیم به عنوان روش برتر معرفی می شود. پارامترهای طراحی ترانزیستور اثر میدان تونلی را با استفاده از شبکه عصبی بدست آمده است و ترانزیستورها...

گرافن بعنوان یک نانو ماده ی جدید دارای خواص منحصر بفرد الکترونیکی، نوری ، گرمایی و مکانیکی است. گرافن و مشتقات آن کاربردهای فوق العاده ای در زمینه های مختلفی همچون نانو الکترونیک، مهندسی نانو کامپوزیت ها، ذخیره ی انرژی، ترانزیستورهای اثر میدان، سنسورها و بیوپزشکی( بیوسنسورها، سیستم های انتقال ژن و دارو و.....) دارد. در قسمت اول این کارپژوهشی، گرافن اکسید را از طریق اکسیداسیون گرافیت سنتز کردیم...

امروزه بیش از ۹۰ درصد از فولادها به روش ریخته گری پیوسته تولید می شوند. یکی از مشکلات اصلی در این روش مسدود شدن مجرای ورود مذاب به قالب توسط آخال آلومینایی موجود در فولاد مذاب است. در این پژوهش اصلاح ترکیب شیمیایی آخال آلومینایی به فازهای ثانویه کلسیم آلومینایی مورد بررسی قرار گرفت. دو ترکیب کاربید و اکسید کلسیم در دو سری ذوبهای آزمایشی به فلز مذاب افزوده گردید و ترکیب شیمیایی فازهای ثانویه توس...

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

ساختار فلز- اکسید- نیمرسانا یک روش مناسب و ارزان برای نمایش غلظت گاز هیدروژن می‌باشد که بر اساس تغییر در تابع کار فلز، مولکول‌های گاز هیدروژن را آشکارسازی می‌کند. حسگر هیدروژنی با استفاده از آنالیزهای XRD و AFM مشخصه‌یابی شده‌اند. تاثیر ضخامت لایه اکسید بر زمان پاسخ‌دهی و زمان برگشت‌پذیری حسگر بررسی شده است. بیشترین پاسخ‌دهی (Response %) و کمترین زمان پاسخ‌دهی حسگر به گاز هیدروژن برای لایه اکسی...

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

استانین، یک نانوساختار دو بعدی از اتم های Sn، دارای ساختار لانه زنبوری می باشد. بر هم کنش اسپین-مدار ذاتی قوی استانین، موجب ایجاد شکاف انرژی تا حدود 0.07 الکترون ولت در ساختار نواری آن می شود. در این پژوهش، ویژگی های الکترونی نانونوارهای استانینی لبه زیگزاگ با مدل تنگ بست و روش تابع گرین در حضور میدان های الکتریکی و مغناطیسی را بررسی می نماییم. در حضور میدان الکتریکی عمودی، در نانونوارهای استان...