هدف از این پایان نامه بررسی رفتار افزاره های سیلیکون روی الماس دو لایه است. ما قصد داریم در این پایان نامه با بررسی دقیق مشکلات موجود در روند کوچک سازی افزاره های اثر میدان در ابعاد نانومتر، روش هایی برای کاهش آثار ناشی از کوچک سازی افزاره ها ارائه نماییم. ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق در مقایسه با ترانزیستور بالک محاسن چندی از خود نشان می دهند. اثرات خودگرمایی در این ترانزیستورها با توجه به ک...

چکیده ندارد.

در این پایان نامه عملکرد یک ترانزیستور bjt لایه نازک بررسی گردیده است. به این منظور یک ساختار bjt جانبی دو امیتری متقارن (sde lbjt) روی زیر پایه soi طراحی و بررسی شده است. از توزیع ناخالصی های مناسب جهت بهبود کارآیی ترانزیستور استفاده شده است. شبیه سازی ها نشان می دهد که ترانزیستور خصوصیات dc خوبی دارد. در ابتدا تغییرات بهره جریان با عرض بیس بررسی شده است مشاهده شده که با کاهش عرض بیس مقدار بهر...

با پیشرفت تکنولوژی در صنعت نیمه¬هادی و کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها به سمت ناحیه نانومتری، تغییرات آماری افزاره¬ها به خاطر مشکلات موجود در حین مراحل تولید و تغییرات تصادفی از نوسانات اتم¬های ناخالصی شده، تبدیل به یک نگرانی بحرانی شده است. همچنین یافتن راهی برای کاهش اثرات مشکلات این تغییرات برای تکنولوژهای نسل بعدی، مستلزم شناخت دقیق منابع این تغییرات در افزاره¬ها می¬باشد. این منابع تغییرات باعث...

چکیده ندارد.

در این رساله، ابتدا مهمترین چالش¬های طراحی مدولاتورهای سیگما- دلتای زمان گسسته در کاربردهای باند وسیع مورد مطالعه قرار گرفته و برخی از راهکارهای اخیر ارائه شده در این خصوص بطور اجمالی بررسی شده¬اند. با توجه به اینکه تقویت¬کننده¬های عملیاتی با توان مصرفی بالا، به عنوان یکی از مهمترین عوامل محدود کننده عملکرد این مدولاتورها در کاربردهای باند وسیع می¬باشند، هدف اصلی این رساله ارائه¬ی راهکاری جدید ...

با توجه به کاهش ابعاد وسایل الکترونیکی به منظور بهبود عملکرد آن ها، نیاز به مدلسازی حرارتی اجزای الکترونیکی همچون ترانزیستورهای نیمه هادی حس می شود. از طرف دیگر با کوچک شدن ابعاد سیستم و با توجه به عدم اعتبار قانون فوریه به عنوان مدل کلاسیک انتقال حرارت، مدل تأخیر فاز دوگانه به همراه شرط مرزی پرش دمایی به عنوان جایگزین مناسبی برای قانون فوریه در سیستم های با ابعاد نانو ارائه شده است. در این رسا...

با رشد سریع تکنولوژی، ساخت مدارهای الکتریکی به سمت نانو پیش می رود که با کاهش ابعاد قطعات، می توان از قطعات بیشتری در مدارات بهره برد. یکی از محتمل ترین جایگزینهای ترانزیستورهای سیلیکونی، به خاطر خصوصیات الکترونی عالی و ظرفیت بالای حمل جریان، ترانزیستورهای نانو لوله کربنی است. با نانو متری شدن ابعاد قطعات با توجه به محدودیتها و بروز اثرات مکانیک کوانتم محاسبه معادلات پیچیده و زمانبر می شود و ای...

چکیده ندارد.

همان طوری که می دانیم در سه دهه اخیر ، صنعت نیم رسانا مطابق قانون مور به طور تابع نمایی کاهش می یابد که این باعث می شود مهندسین مدارها و سیستم های الکترونیکی با چالش های ناشی از کاهیدگی قطعات الکترونیکی رو به رو شوند. برای غلبه بر مشکلاتی نظیر طول کانال، پهنا و پیوندگاه های swcnt و نیم رسانا و گیت اکسید دی الکتریک سیلیکونی، به مطالعه ی پیوندگاه های نیم رسانا با موادی با تابع کار بالا( hwfm ) پر...