چکیده در این پژوهش نانو کامپوزیتهای fex-(fe2o3)1-x با روش آسیاب کاری مکانیکی تهیه گردید. نخست نمونه هایی با آهن 20 ساعت آسیاب کاری شده با x های گوناگون تهیه شد و سپس برای بررسی تاثیر اندازه ذرات بر ویژگی-های فیزیکی نانو کامپوزیتها ، نمونه هایی با 3/0x= که آهن آن در مدت زمانهای گوناگون 10 ، 20 و 30 ساعت آسیاب کاری شده بود تهیه شد. برای تهیه ی این نانوکامپوزیت پودرهای آهن و هماتیت با درجه خلوص ب...

در این مقاله رسانش بایاس صفر را بر حسب دما در اتصالی مطالعه می کنیم که بین یک نانو سیم فلزی و یک ابررسانای موج- d قرار گرفته است. ابررسانا را در جهت111 ( و ) 111 ( در نظر می گیریم و بر اساس نظریه پراکندگی رسانش بایاس صفر را بر حسب دما و شدت پتانسیل اتصال به دست می آوریم و نتایج را با موارد حجیم (مقایسه خواهیم کرد. نتایج نشان می دهند که در جهت ) 111 ( منحنی های رسانش بطور کیفی تفاوتی بین نانو سی...

در این پژوهش لایه های نیترید زیرکونیوم روی سیلیکون و فولاد زنگ نزن ۳۰۴ با روش کندوپاش مغناطیسی واکنشی پوشش داده شدند. تاثیر ولتاژ بایاس زیرلایه روی ساختار لایه ها، مورفولوژی و سختی مورد بررسی قرار گرفت. لایه ها بوسیله ی پراش اشعه ایکس، میکروسکوپ الکترونی روبشی، میکروسختی سنجی و میکروسکوپ نیروی اتمی آنالیز شدند. بر اساس الگوهای پراش اشعه ایکس، تنها پیک های پراش ZrN مربوط به صفحات (۱۱۱) و (۲۰۰) م...

آلیاژهای حافظه‌دار مغناطیسی گروه جدیدی از مواد هوشمندند که به دلیل خواصی ویژه ـ مانند کرنش بالای قابل بازگشت، عمر خستگی بالا و پاسخ زمانی سریع ـ به گزینه‌یی مناسب برای سیستم‌های برداشت‌کننده‌ی انرژی، عملگرها و سنسورها بدل شده‌اند. برای استفاده از این مواد در سیستم‌های مذکور همواره به یک سازوکار برگشت نیاز است تا نمونه‌ی آلیاژ را به حالت اولیه برگرداند. روش رایج در برداشت‌کننده‌های انرژی استفاد...

در این مقاله رسانش بایاس صفر را بر حسب دما در اتصالی مطالعه می کنیم که بین یک نانو سیم فلزی و یک ابررسانای موج- d قرار گرفته است. ابررسانا را در جهت111 ( و ) 111 ( در نظر می گیریم و بر اساس نظریه پراکندگی رسانش بایاس صفر را بر حسب دما و شدت پتانسیل اتصال به دست می آوریم و نتایج را با موارد حجیم (مقایسه خواهیم کرد. نتایج نشان می دهند که در جهت ) 111 ( منحنی های رسانش بطور کیفی تفاوتی بین نانو سی...

روند پیشرفت تکنولوژی های ساخت مدارات مجتمع همواره در مسیر پیچیده تر شدن مدارها و افزایش توان محاسباتی در آن ها بوده است. این امر سبب شده است مدارهای ساخته شده چگالی بالاتری داشته باشند. اولین مشکلی که تعداد بالای ترانزیستور بوجود می آورد توان مصرفی بالاست. از این رو اعمال روش هایی برای کاهش و کنترل توان مصرفی در مرحله طراحی و بعد از آن مهمترین مسائل پیش روست. این پایان نامه با بررسی عوامل موث...

وجود توپوگرافی در بالای ژئویید مانع اصلی برای تعیین ارتفاع ژئویید با استفاده از مدل‌های ژئوپتانسیل است. مدل‌های ژئوپتانسیل جهانی امکان مدل‌سازی میدان پتانسیل زمین را به‌صورت بسط سری خارجی از هارمونیک‌های کروی فراهم می‌سازند. استفاده از این بسط برای تعیین آنومالی پتانسیل بروی ژئویید در داخل توپوگرافی سبب تولید یک بایاس می‌شود که به آن بایاس توپوگرافی می‌گویند. این مطالعه به محاسبه ژئویید با استف...

ماده ابردگررسان مغناطیسی ترفنل-دی در ساخت بسیاری از حسگرها از قبیل نیروسنج کاربرد دارد. در این حسگرها نیروی خارجی به واسطه تغییر در شار مغناطیسی گذرنده از ترفنل-دی اندازه گیری می شود. به منظور بهبود عملکرد این حسگرها، ترفنل-دی تحت تاثیر میدان مغناطیسی بایاس و پیش تنش مکانیکی قرار می گیرد. در این مقاله، اثر این دو عامل بر حساسیت و محدوده اندازه گیری خطی حسگر مورد بررسی قرار می گیرد و مقادیر بهین...

افزودن کارکردهای هر چه بیشتر به سیستم، نیاز به افزایش کارایی و در عین حال کاهش قیمت در مدارهای مجتمع با چگالی بسیار بالا، روند کوچک-مقیاس شدن تکنولوژی را موجب شده است. اما کوچک-مقیاس شدن شتابان تکنولوژی شرایط لازم طراحی را سخت تر کرده و به ویژه در گره های تکنولوژی کوچکتر از 90nm چالشهای بزرگی را ایجاد نموده است. در این گره های تکنولوژی افزایش شدت میدان الکتریکی و چگالی توان در کنار افزایش دماها...

ماهوارة گوس، در مأموریت در نظر گرفته شده، تغییرات کوچک جرم را در مسیر حرکت خود به دور زمین حس خواهد کرد. در این مقاله اثر توپوگرافی و جوّ زمین را روی داده های ماهواره گوس بررسی می کنیم. این اثرات به اندازه ارتفاعات توپوگرافی وابسته است و بنابراین، منطقه به منطقه تغییر می کند. از آنجا که اثرات جوّ و توپوگرافی از بی هنجاری جاذبه قبل از تعیین ژئوئید بایستی برداشته شود، این اثرات همچنین بایستی برای س...