روند پیشرفت تکنولوژی های ساخت مدارات مجتمع همواره در مسیر پیچیده تر شدن مدارها و افزایش توان محاسباتی در آن ها بوده است. این امر سبب شده است مدارهای ساخته شده چگالی بالاتری داشته باشند. اولین مشکلی که تعداد بالای ترانزیستور بوجود می آورد توان مصرفی بالاست. از این رو اعمال روش هایی برای کاهش و کنترل توان مصرفی در مرحله طراحی و بعد از آن مهمترین مسائل پیش روست. این پایان نامه با بررسی عوامل موث...

افزودن کارکردهای هر چه بیشتر به سیستم، نیاز به افزایش کارایی و در عین حال کاهش قیمت در مدارهای مجتمع با چگالی بسیار بالا، روند کوچک-مقیاس شدن تکنولوژی را موجب شده است. اما کوچک-مقیاس شدن شتابان تکنولوژی شرایط لازم طراحی را سخت تر کرده و به ویژه در گره های تکنولوژی کوچکتر از 90nm چالشهای بزرگی را ایجاد نموده است. در این گره های تکنولوژی افزایش شدت میدان الکتریکی و چگالی توان در کنار افزایش دماها...

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

در این مقاله با استفاده از روش حل چندبعدی معادلات واکنش-نفوذ (r-d)، مدل هایی برای پدیده ناپایداری در دمای بالا و بایاس منفی (nbti) در یک mosfet سه گیتی کانال p و پدیده تزریق حامل های پرانرژی (hci) در یک افزاره finfet سه گیتی توده کانال n ارائه می­شود. سپس نتایج حاصل از مدل با نتایج تجربی مقایسه شده و بستگی تغییرات توان زمان در مدل با ابعاد و شکل افزاره بررسی می شود. نتایج به دست آمده در مقاله ب...

این پژوهش به بررسی سازوکار ضربه با بهره گیری از ویژگی انقباض سریع یک سیم آلیاژ حافظه دار به عنوان یک محرکه جدید می پردازد. در این مقاله یک محرکه نمونه، شامل بدنه اصلی، بدنه اینرسی، یک سیم آلیاژ حافظه دار و یک فنر بایاس، طراحی و ساخته شده است. به منظور بررسی کاربرد این محرکه به عنوان دستگاه موقعیت دهی، آزمایش هایی تحت شرایط مختلف روی آن انجام شده است. نتایج آزمایشات نشان می دهد که این محرکه قادر...

با کوچک شدن روزافزون تکنولوژی و افزایش چگالی مدار های vlsi، اهمیت کاهش مصرف انرژی و توان در این مدار ها بیش از پیش به چشم می خورد. در بسیاری از وسایل، مصرف انرژی پایین به منظور افزایش طول عمر باتری در اولویت اول طراحی قرار می گیرد. یکی از گزینه های بسیار مناسب برای این موارد، مدارهایی هستند که در ناحیه زیرآستانه کار می کنند. با این وجود با پیشرفت تکنولوژی و اضافه شدن امکانات جانبی نیاز به کاهش ...

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

در سامانه‌های ناوبری اینرسی متصل به بدنه، به دلیل وجود عدم قطعیت‌های ناشی از نویز، بایاس و دریفت حسگرهای اینرسی ارزان قیمت، خطای موقعیت‌یابی در مدت زمان کوتاه، افزایش چشمگیری پیدا می‌کند. بنابراین ترکیب آن با یک سامانه کمکی مانند سامانه موقعیت‌یاب جهانی به منظور کاهش خطای سامانه ناوبری اینرسی توسط یک الگوریتم تخمین‌زن مناسب پیشنهاد می‌شود. اما در مناطق شهری به دلیل نزدیکی به درختان و ساختمان‌ها...