امروزه حافظههای جاسازی شده در تراشههای سیستمی، بخش اعظمی از فضای موجود در تراشه را به خود اختصاص دادهاند. از این رو آزمون ساخت این حافظهها، گام مهمی در فرآیند تولید تراشههای سیستمی محسوب میشود که تراشههای آسیبدیده را مشخص نموده و عبور از مراحل نظری ابتدایی به مرحله تولید انبوه را در یک تکنولوژی ساخت جدید سرعت میبخشد. در این راستا، خودآزمون داخلی به عنوان یک روش موثر برای رفع مشکلات موجود در ...

در این پایان نامه یک راهکار موثر جهت خودکارسازی روند طراحی واحد خودآزمون پذیری برای هسته های حافظه ارائه شده است . با استفاده از این روش ، تولید خودکار واحد خودآزمون پذیری بشکل کاملا"سفارشی و براساس پارامترهای حافظه تحت آزمون و الگوریتم آزمون مورد نظر انجام می پذیرد. ضمنا"روشی نیز برای ارزیابی سربار سخت افزاری ارائه شده است . به منظور اثبات ادعای کارآمد بودن راهکار ارائه شده، یک پیاده سازی نرم ...

با پیشرفت تکنولوژی مدارات vlsi و کاهش ابعاد مدارهای الکترونیکی شاهد افزایش میزان نقص ها یا خطاهای ادوات به خصوص در حافظه ها هستیم. بروز خطا در ادوات الکترونیکی سبب کاهش بهره دهی مدارات و کاهش قابلیت اطمینان خواهد شد. در این راستا تحقیقات زیادی برای طراحی مدارهای تعمیر درون ساخته صورت گرفته تا از کاهش بهره دهی و قابلیت اطمینان ادوات جلوگیری شود. با توجه به بالا بودن نیاز مدارات دیجیتال به ذخیره ...

بیشترین تعداد هسته های موجود در سیستم های روی تراشه (soc) را حافظه های جاسازی شده تشکیل می دهند. از این رو بهره دهی این حافظه ها نقش بسزایی در بهره دهی کل soc دارد. پیشرفت مداوم مجتمع سازی در سطح تراشه-ها و در نتیجه افزایش چگالی حافظه های جاسازی شده، امکان بروز نقص در سلول های حافظه را افزایش داده است که این امر به کاهش بهره دهی کل تراشه منجر می گردد. با تعمیر حافظه های جاسازی شده می توان این م...

مطالبات در محاسبات آینده و همچنین چالش های طراحی مدارات مجتمع با تراکم بالا برای تکنولوژی نانومتر نیازمند روش ها و سبک های جدیدی در طراحی هستند، که بطور قطع این روش ها از کارائی بالا و مصرف توان پایین و همچنین مقاومت بالا در برابر نویز و تغییرات فرایند برخوردار خواهند بود. یکی از مشکلات بارز، مکانیزم ارتباطی است که بایستی بین تعداد رو به افزایش بلاک ها یا هسته ها که می توانند درون یک تراشه تعبی...

آلیاژهای حافظه دار مغناطیسی دسته ی جدیدی از مواد هوشمند به شمار می آیند که خواصی همچون کرنش های برگشت پذیر بزرگ و فرکانس عملکرد بالا از خود نشان می دهند. این خواص منحصر به فرد، آلیاژهای حافظه دار مغناطیسی را به عنوان گزینه ای مناسب در کاربردهایی همچون عملگرها، حسگرها و برداشت کننده های انرژی مطرح کرده است. این مقاله یک مدل ساختاری پدیده شناختی دو بعدی برای آلیاژهای حافظه دار مغناطیسی، در چارچوب...

  زمینه: بتاکاربالین­های داخلی و خارجی و برخی از متابولیت­های آن ­ ها بر روی سیستم دوپامینرژیک اثر تحریکی دارند و ضمن افزایش سطح دوپامین، تکثیر دندریت­ها و سیناپس­ها در هیپوکامپ باعث بهبود یادگیری و حافظه می­شوند.   هد ف: مطالعه به منظور تعیین اثرات تزریق مزمن نوروهارمان (به عنوان یک بتاکاربالین) بر یادگیری و حافظه فضایی موش انجام شد   مواد و روش­ها: در این مطالعه تجربی 48 موش صحرایی ماده 200 ت...

در این مقاله به بررسی اثرات عدم تقارن و حافظه بلندمدت در نوسانات میان نرخ ارز و بازده سهام در بورس اوراق بهادار پرداخته‌شده است. برای این منظور از مدل‌های خودهمبسته واریانس ناهمسان شرطی تعمیم‌یافته (MGARCH) و خودهمبسته انباشته میانگین متحرک کسری (ARFIMA) در بازه‌ی زمانی 1/1/1387 الی 29/12/1391 استفاده‌شده است. نتایج به‌دست‌آمده وجود عدم تقارن در توزیع بازده‌ی میان دو بازار سهام و ارز را تأیید م...