کارکرد پرتو شکاف در سامانه های نوری تفکیک پرتو فرودی به دو پرتو عبوری و انعکاسی است. هدف این پژوهش، طراحی و ساخت نمونه ای از پرتو شکاف های تیغه ای است که قابلیت تفکیک دو ناحیه ی مرئی و مادون قرمز از طیف امواج الکترومغناطیس را دارا باشد. پرتو شکافی که انعکاس آن در ناحیه مرئی و عبور آن در ناحیه مادون قرمز بیشینه باشد. بر این اساس، نوعی طراحی با در نظر داشتن خصوصیات مواد از لایه-های نازک ژرمانیوم،...

در نانو ترنزیستورهای دهه اخیر، si(100) به عنوان یک زیرلایه یا بستر مناسب به کار می رود. مسائلی نظیر افزایش جریان تونلی و نشتی با کاهش اندازه قطعات الکترونیکی و بویژه ترانزیستورهای اثر میدانی سبب شده است تا امکان به کارگیری بیشتر آن مورد تردید قرار گیرد. به همین دلیل در کار حاضر تلاش شده است تا با انجام یک سری از آزمایشات و رشد فیلم های فرانازک بر روی هر دو زیرلایه si(100) و si(111) به بررسی نان...

با پیشرفت فناوری در سال¬های اخیر لایه های نازک اکسیدهای نیمرسانای شفاف(tco) بر پایه اکسیدروی (zno) واکسیدکادمیومcdo) ) نظیرآلیاژ سه تایی ‍‍cdzno بطور گسترده برای ساخت قطعات اپتوالکترونیکی مانند سلولهای خورشیدی، بازتاب کننده های گرمایی، ولایه های نازک فتوولتائی مورد توجه قرار گرفته اند. در این کار، ابتدا لایه های نازک cd_x zn_(1-x) o به روش سل-ژل روی زیر لایه های شیشه ای و سیلیکونی انباشت شدند. ...

در این بررسی لایه نازک کربن شبه الماسی بر سلول خورشیدی سیلیکونی پلی کریستال نوع P با استفاده از دو گاز هیدروژن و متان به روش رسوب شیمیایی بخار تقویت شده به کمک پلاسما با منبع تغذیه فرکانس رادیویی        (RF-PECVD) اعمال گردید. سپس چسبندگی پوشش به زیرلایه، ساختار کریستالی، نوع پیوندها، نسبت هیبریداسیون SP2 به SP3، توپوگرافی و مورفولوژی سطح پوشش به ترتیب به وسیله روش­های آزمون نوار چسب، پراش پرتو...

در این بررسی لایه نازک کربن شبه الماسی بر سلول خورشیدی سیلیکونی پلی کریستال نوع p با استفاده از دو گاز هیدروژن و متان به روش رسوب شیمیایی بخار تقویت شده به کمک پلاسما با منبع تغذیه فرکانس رادیویی        (rf-pecvd) اعمال گردید. سپس چسبندگی پوشش به زیرلایه، ساختار کریستالی، نوع پیوندها، نسبت هیبریداسیون sp2 به sp3، توپوگرافی و مورفولوژی سطح پوشش به ترتیب به وسیله روش­های آزمون نوار چسب، پراش پرتو...

در این گزارش ابتدا به بررسی مدار معادل و المانهای معادل سلف خواهیم پرداخت و سپس عملکرد سلفهای cmos، انواع مختلف سلفهای مجتمع و توپولوژی های مختلف ساخت سلف مورد بحث قرار خواهند گرفت. تکنولوژیهای مختلف ساخت سلف از قبیلmems ،gaas، soi cmos، vlsi cmos و چندین روش برای بهبود ضریب کیفیت سلف نیز معرفی شده است. در مدارات مجتمع، به سلف داخل تراشه با ضریب کیفیت بالا و فرکانس خود رزونانس بالا نیاز است؛ د...

در این پژوهش سعی شده است با استفاده از روش های ساده و عملی، زیرلایه هایی بر اساس رشد نانوساختارهای دندریتی نقره بر روی بسترهای آلومینیوم، مس، لایه نازک ito و سیلیکون و همچنین زیرلایه شیشه پوشش دهی شده با نانوساختارهای متخلخل نقره و زیرلایه کلوئیدی نقره بسازیم. از آنجایی که سیگنال رامان مولکول هایی که بر روی نانوساختارهای نقره جذب سطحی شده اند بطور قابل ملاحظه ایی افزایش می یابد، می توان از حسگر...

در این تحقیق نانو لایه های اکسید روی به روش اسپری پایرولیزیز به روی زیرلایه های شیشه ای و سیلیکونی نشانده شد. خواص ساختاری و اپتیکی نانو ساختار های اکسید روی مورد بررسی قرار گرفت. ساختار بلوری لایه های نازک به روش اشعه ایکس مورد بررسی قرار گرفت که وجود یک ساختار بلوری ورتسیت هگزاگونال مشاهده شد. صفحات ترجیحی رشد برای نمونه ها صفحه (002) می باشد. بر ای تعیین ضخامت لایه از بیضی سنجی ا...

در این پژوهش نانوسیم های اکسید روی به روش تبخیر حرارتی پودر zn ، بر روی زیرلایه های شیشه، کوارتز، سیلیکون و فولاد ، تحت شارش گاز آرگون به عنوان گاز حامل و هوا به عنوان گاز واکنش دهنده در دمای 620 درجه سانتیگراد به طور موفقیت آمیزی رشد داده شدند. نمونه های بدست آمده توسط پراش پرتوی ایکس و میکروسکوپ الکترونی روبشی مورد آنالیز قرار گرفتند. برای بررسی تأثیر کاتالیست بر روی رشد نانوسیم ها، زیرلایه ه...

چکیده ندارد.