بعد هاوسدورف گروه‍های کلاینی نقش بسیار اساسی در بررسی این گروه‍ها و زیر گروه های خاصی از آن ها از جمله گروه های شاتکی و شاتکی کلاسیک ایفا می نماید. منظور از بعد هاوسدورف یک گروه کلاینی در واقع بعد هاوسدورف مجموعه نقاط حدی آن گروه می باشد. با استفاده از بعد هاوسدورف گروه های شاتکی می توان این گروه ها را رده بندی نمود. در این پایان نامه ابتدا رویه های ریمان و خمینه های هذلولوی 3- بعدی، گروه های ...

بررسی گروه های شاتکی

در این تحقیق رفتار الکتروشیمیایی تیتانیم خالص تجاری در محلول‌های 1/0، 0/1و 0/3 مولار اسید سولفوریک بررسی شد. منحنی‌های پلاریزاسیون نشان دادند که تیتانیم خالص تجاری در محلول‌های 1/0، 0/1و 0/3 مولار اسید سولفوریک، رفتار رویین عالی را ارایه می‌دهد. نتایج آزمون‌های موت- شاتکی نشان داد که رفتار نیمه‌هادی لایه رویین تیتانیم خالص تجاری از نوع n-است. برای سه محلول، نتایج آزمون‌های موت- شاتکی نشان داد ک...

سیلیسایدها توسط لایه نشانی فلز بر روی نیمرسانای سیلسیم و پخت آن بوجود می آیند. سیلیسایدها هواص فلزی دارند و در تماس با نیمرسانا اتصال شاتکی می سازند. چنانچه دیود شاتکی به این روش ساخته شود ایده آل خواهد بود. از آنجا که دیود شاتکی ptsi/si مزایای متعددی دارد این دیود شاتکی مورد مطالعه نظری و تجربی قرار گرفته است . چگونگی تشکیل لایه ptsi و محاسبه ارتفاع سد دیود شاتکی ptsi/si هدف این پروژه می باشد....

دیودهای شاتکی پلیمری، بر پایه پلی آنیلین آلائیده با نانوذرات سولفیدروی و با اتصال اهمی طلا و اتصال شاتکی آلومینیم که با استفاده از لایه نشانی تبخیر در خلأ بر روی نمونه ها لایه نشانی شدند، مورد تحلیل و بررسی قرار گرفت.منحنی مشخصه i-v و c-v دیودهای شاتکی پلیمری تهیه شده یک نوع رفتار یکسوکنندگی را از خود نشان دادند. از روی منحنی مشخصه ها، پارامترهای پیوندگاهاز قبیل فاکتور ایده آل، ارتفاع سد پتانسی...

در این پژوهش پاسخ‌دهی نوری نانولایه گرافین، به کمک ساخت دیود شاتکی نانوگرافین- سیلیکون مورد بررسی قرار گرفته است. جهت ایجاد پیوند شاتکی، نانولایه‌ای از گرافین بر روی زیرلایه‌ای از سیلیکون قرار گرفته است. زیرلایه سیلیکونی تا ضخامت 270 نانومتر اکسید شده است و پس از لایه‌نشانی‌های کروم- طلا (ضخامت لایه‌های کروم- طلا به ترتیب 50 و150 نانومتر است)، با استفاده از ماسک مخصوصی الگو شده است. منحنی مشخصه...

در این پایان نامه، دیود شاتکی گرافین-سیلیکون به وسیله ی ورقه کردن مکانیکی دو نوع گرافیت ( hopg و گرافیت طبیعی) بر روی زیر لایه ای از سیلیکون، ساخته شده است. زیرلایه ی سیلیکونی، پیش از قرار گرفتن گرافین، الگوسازی شده است. برای این منظور، سیلیکون تا ضخامت 300 نانومتر اکسید شده و سپس فلزات au/ti بر روی آن لایه نشانی می شوند. در مرحله بعد با استفاده از ماسک مخصوصی، فرآیند زدایش انجام می شود. پس از ...

تکنولوژی حسگرها به طور گسترده ای برای تشخیص گازها مورد بررسی و استفاده قرار گرفته است. با توجه به کاربرد های متفاوت و محدودیت های ذاتی تکنولوژی حسگرهای گاز پژوهشگران مشغول تحقیق بر روی طرح های متفاوتی هستند تا حسگرهایی با دقت و کالیبراسیون بهتری ابداع کنند. در این پایان نامه از اتصال شاتکی نیمه هادی گالیوم آرسناید برای ساخت حسگر گاز آمونیاک استفاده شده است. در این راستا دو ماده حساس به گاز آمون...

با توجه به کاربرد بسیار وسیع قطعات الکترونیکی در تحقیقات فضایی و وجود پرتوهای کیهانی با شدت بسیار زیاد در خارج از جو، یافتن مواد جایگزین سیلیکون و مواد مشابه دیگر با مواد مقاوم در برابر اشعه، نیاز روز تکنولوژی الکترونیک فضایی است. مواد با پایه کربنی، به خاطر ویژگی های الکتریکی جالبی که دارند، و با توجه به پتانسیل بالای آن ها در کاربردهای الکترونیک فضایی مورد توجه تحقیقات علمی قرار گرفته اند. لذ...

رفتار دمایی حسگرهای مقاومتی مبتنی بر اکسید قلع، اکسید تیتانیوم خالص و آلایش شده با نقره در حضور گازهای الکلی و هیدروژن تست و بررسی شد. مشاهده شد که منحنی حساسیت بر حسب دما درخصوص این حسگرها دارای نقطه بیشینه می باشد. مشخص شد نقطه بیشینه در این دسته از حسگرها کاملا مستقل از نوع و غلظت گازهای الکلی تست شونده است. بررسی ها در خصوص گونه متفاوتی از حسگرها با ساختار فلز-نیمه هادی تکرار شد و مشخص شد ک...