در ساخت لایه نازک cuinse2 نتایج آنالیزهای کمی rbs و eds حاکی از مرجح بودن پیکربندیa نسبت به پیکربندیb با توجه به رشد 2درصدی سلنیوم در فاز نهایی است، که این را می‎توان به تامین اتمسفر فشار بالای سلنیوم در این حالت در مجاورت سطح پیش‎ماده‎های فلزی نسبت داد. این در حالی است که درصد مذکور را بازهم می‎توان با استفاده از محفظه‎های نیمه بسته افزایش داد. تاثیر مستقیم افزایش دما تا c ?560، در تقویت شدت ...

در این پروژه پس از لایه نشانی ساختارهای لایه نازک sno2 و پوشش های دوتایی- دوتایی sno2-zno، خواص الکتریکی، اپتیکی و ساختاری آنها ، همچنین اثر ناخالصی فلوئور، f ،و نیز تاثیر لایه نشانی لایه های ضدبازتاب بر روی آنها مورد مطالعه قرار گرفته است. نمونه ها به روش "اسپری پایرولیزیز" تهیه سپس مقاومت الکتریکی سطحی، ضریب هال، تراکم ناخالصی و میزان شفافیت در گستره ی مرئی این نمونه ها اندازه گیری شد. نتایج...

در تحقیق حاضر نقش شکل ظاهری نانو ذرات (NP) تیتانیا و اکسید روی و نانو میله های (NR) اکسید روی به همراه گرافن بر خواص سلول های خورشیدی حساس شده با رنگ مورد بررسی قرار گرفت. در این راستا به ترتیب نانو ذرات TiO2 به نانو میله ها و نانو ذرات ZnO پوشانده شده بر روی گرافن(G)  و اکسید گرافن احیا شده (RGO) بر روی شیشه اکسید قلع دوپ شده با فلورین (FTO) با استفاده از دستگاه Dip coating ، لایه نشانی شدند. ...

اکسید روی (ZnO) به عنوان ماده نیمه ‌رسانا با شکاف نواری مستقیم و پهن، اهمیت زیادی در ساخت قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستورهای اثر میدانی و قطعات اپتو الکترونیکی نظیر دیود های نور گسیل و همچنین آشکار سازی نوری دارد. در این پژوهش با استفاده از لایه ‌نشانی به روش سل – ژل، پوشش ‌های لایه نازک از اکسید روی آلاییده شده با درصدهای مختلف منیزیم (6%، 8%، 10%) تولید شد. ایجاد لایه نازک به روش پوشش چرخشی...

در این پژوهش لایه های نازک اکسید روی (ZnO ) از طریق اکسیداسیون حرارتی لایه های نازک روی(Zn )، که به روش کندو پاش مگنترون بر زیر لایه نیوبات لیتیم انباشت شده، تولیدگردیدند. وابستگی به دما و مدت زمان گرمادهی ویژگی های اپتیکی این نانولایه ها مورد مطالعه قرار گرفته است. تغییرات توان عبوردهی(T)، بازتابندگی(R) و ضریب خاموشی(k) نمونه ها برای گستره طول موج 1100-200 نانومترنسبت به دما و زمان حرارت دهی ...

در کار حاضر، ساختار نامتجانس دو مؤلفه‌ای از آرایه نانومیله‌های اکسید روی (ZnO NRs) و ساختارهای اکسید مس (CuO) رشد داده می‌شود. نانومیله-های یک بعدی ZnO به کمک لایه جوانه‌زنی به‌وسیله‌ی روش شیمیایی‌تر در دمای پایین رشد داده می‌شوند. سپس فیلم نازک اکسید مس با اکسایش حرارتی فیلم نازک Cu نهشت‌شده با کندوپاش مگنترونی بر ZnO NRs به منظور افزایش و گسترش جذب اپتیکی در ناحیه مرئی تشکیل می‌شود. مشخصه‌های...

در این مقاله لایه نازک zno به روش سل ‎ ژل بر روی زیرلایه شیشه ساخته شده است. لایه ‎ های اولیه ابتدا در دمای 100 و ˚c 240 خشک و سپس در دماهای 300 ، 400 و ˚c 500 پخت شده اند. اندازه ‎ گیری مقاومت دو نقطه ‎ ای نشان می ‎ دهد که مقاومت الکتریکی لایه ‎ های آماده شده، بسیار زیاد است. تابش پرتو لیزر اگزایمر krf ( 248nm = λ ) با تعداد پالس 1000 ، فرکانس 1hz و انرژی 90mj/cm2 بر سطح لایه باعث کاهش مقاومت ...

در این پژوهش تجربی، میکرو/ نانو ساختار های اکسید روی (zno) به روش اسپری، بر روی زیرلایه های شیشه و si(100) نوع p ، تحت شرایط رشد مختلف با استفاده از پیش ماده ی استات روی حل شده در آب دیونیزه، متانول و اسید استیک، تولید شدند. با بررسی نتایج حاصل از میکروسکوپ الکترونی (sem) و آنالیز نمونه ها با دستگاه edx به مورفولوژی هایی نظیر مقالات دیگر دست یافتیم. به منظور بهبود در ساختار نمونه ها، تغییراتی د...

در این پژوهش، لایه های نازک اکسید روی با ضخامت های متفاوت بین 46 تا 317 نانومتر بر روی زیرلایه شیشه به روش اسپری لایه نشانی شده اند. موفولوژی و میزان زبری سطح لایه ها با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی ( sem ) و میکروسکوپ نیروی اتمی ( afm ) اندازه گیری شده اند. تصاویر afm و sem لایه ها نشان می دهند که در روند رشد و زبری لایه ها با افزایش ضخامت، دو حالت متفاوت رشد مشاهده می شود. نخست با افزا...

در این مقاله، حساسیت به بخار اتانل در حسگرهای مقاومتی گاز ساخته شده بر مبنای لایه‎های نازک sno2 و دولایه ای zno/sno2 بررسی می شود. لایه‎های اکسیدفلزی حساس به گاز و اتصالات اهمی پلاتین را به روش pvd1 و با استفاده از “تبخیر با باریکه الکترونی“2 در خلأ، روی زیر پایه پورسلانی3 لایه نشانی و نمونه های حاصل در دماهای مختلف ترمیم حرارتی شده است. نقش دمای فرایند در تعیین انرژی فعال سازی هدایت الکتریکی ل...