با استفاده از یک مدل تحلیلی مبتنی بر حل معادله دوبعدی پواسون، پتانسیل سطحی نمائی در دو ماسفت کانال کوتاه n و p را محاسبه و رسم کرده ایم. پتانسل سطحی بر حسب طول برای ماسفت های کانال  mm1 مذکور تغییرات زیادی را در طول کانال از چشمه تا چاهک نشان می دهد که این رفتار را می توان به آثار کانال کوتاه نسبت داد در حالی که مقدار آن در همین ناحیه برای ماسفت کانال  mm3 ثابت است. سپس ولتاژ آستانه بر حسب تابع...

کلید­های cmos یکی از ساختارهای اصلی و تاثیرگذار مدارهای الکترونیکی به شمار می­روند و به طور گسترده در مدارهای آنالوگ کاربرد دارند. یکی از شاخصه­های غیر ایده­آل این کلیدها مقاومت حالت خاموش و جریان نشتی معکوس آنها است. به منظورکاهش جریان نشتی کلیدهای ماسفت و در نتیجه آن افزایش مقاومت حالت خاموش کلید، یک روش جدید در این مقاله ارائه شده است. این راهکار با بهره برداری از اثر بدنه و افزایش ولتاژ آست...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی (mosfet (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (soi) به طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می روند. بنابراین، دست یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می‌باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می‌باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می‌گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

امروزه، ماسفت سیلیکون بر روی عایق، ماسفت قابل توجه پژوهشگران در مقیاس نانو می باشد. تفاوت این ماسفت با ماسفت بدنه تهی، وجود یک پرش بزرگ در پاسخ فرکانسی هدایت خروجی به دلیل وجود مقاومت بدنه مخالف صفر می باشد. دو پارامتر مهم که تحت تاثیر این تغییر رفتار هدایت خروجی قرار می گیرند عبارتند از: 1- اعوجاج هارمونیک کلی 2- نقطه تقاطع دامنه خروجی هارمونیک اصلی و هارمونیک سوم که از پارامترهای مهم جهت بررس...

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه‌ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...

با استفاده از یک مدل تحلیلی مبتنی بر حل معادله دوبعدی پواسون، پتانسیل سطحی نمائی در دو ماسفت کانال کوتاه n و p را محاسبه و رسم کرده‌ایم. پتانسل سطحی بر حسب طول برای ماسفت‌های کانال  mm1 مذکور تغییرات زیادی را در طول کانال از چشمه تا چاهک نشان می‌دهد که این رفتار را می‌توان به آثار کانال کوتاه نسبت داد در حالی که مقدار آن در همین ناحیه برای ماسفت کانال  mm3 ثابت است. سپس ولتاژ آستانه بر حسب تابع...

ترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه‌هادی (MOSFET (ماسفت)) با تکنولوژی سیلیسیم روی عایق (SOI) به‌طور گسترده در مدارات مجتمع به کار می‌روند. بنابراین، دست‌یابی به ترانزیستورهای ماسفت سیلیسیم روی عایق در ابعاد بسیار کوچک نیازی مهم برای توسعه صنعت الکترونیک به حساب می‌آید. در این مقاله یک ترانزیستور ماسفت سیلیسیم روی عایق دو گیتی جدید در مقیاس نانو پیشنهاد می‌گردد که در آن یک پنجره از اکسید سیلی...

پیشرفت سریع تکنولوژی و به دنبال آن کاهش بعد ترانزیستورهای ماسفت باعث شده است که این ترانزیستور ها رفتار متفاوتی در مدارات الکترونیکی از خود نشان دهند. در دهه ی اخیر، مدل های زیادی برای تخمین رفتار ترانزیستور های ماسفت کانال کوتاه ارائه شده است. در این مقاله یک مدل جدید برای پیش بینی رفتار و عملکرد ترانزیستورهای ماسفت کانال کوتاه پیشنهاد شده است. مدل پیشنهادی با ایجاد تغییراتی روی مدل nth-power ...