نتایج جستجو برای: ولتاژ

تعداد نتایج: 5299  

ژورنال: :نشریه دانشکده فنی 2009
حسن تقی زاده مهرداد طرفدارحق

این مقاله روش جدیدی را برای پیدا کردن زوایای آتش در مبدل های چندسطحی منبع ولتاژ به منظور حذف هارمونیک های مراتب بالای مشخص و کاهش مقدار اعوجاج کلی هارمونیک (thd) ولتاژ خروجی مبدل معرفی می کند. شکل موج ولتاژ خروجی در مبدل های چندسطحی می تواند به صورت پلکانی و یا به شکل مدولاسیون پهنای پالس باشد. برای افزایش درجه ی آزادی به منظور حذف هارمونیک های بیشتر در اینورترهای چندسطحی می توان تعداد سطوح این...

ژورنال: :مدلسازی در مهندسی 0
نیما امجدی amjady محمد حسین ولایتی velayati

امروزه پایداری ولتاژ به عنوان یکی از مهترین انواع پایداری ها در سیستم قدرت شناخته می شود. در تحلیل پایداری ولتاژ مرزهای استاتیکی و دینامیکی متفاوتی مانند حداکثر بارپذیری سیستم (mlp) و نقاط دوشاخه ای snb، hb و lib تعریف می شوند. بدین منظور یکی از تئوری هایی که کاربرد وسیعی در بررسی پایداری ولتاژ و شناسایی مرزهای مرتبط با آن دارد، تئوری دوشاخگی (bifurcation) است که بر اساس آنالیز مقدار ویژه، وضعی...

ژورنال: :مدلسازی در مهندسی 0
نیما امجدی محمدرضا انصاری شهرضا

مطالعه آنالیز شاخه ای پایداری دینامیکی ولتاژ درسیستم قدرت     نیما امجدی1،*، محمدرضا انصاری شهرضا2       اطلاعات مقاله     چکیده   دریافت مقاله: بهمن 1387   پذیرش مقاله: خرداد 1388     فروپاشی ولتاژ، یک پدیده طبیعتا غیرخطی می باشد و لذا برای مطالعه آن به روش های آنالیز غیرخطی نیازمند می باشیم. تئوری شاخه ای راهی مناسب برای مطالعه فروپاشی ولتاژ و راه های اجتناب از آن می باشد. درسیستم قدرت ممکن ا...

در این مقاله یک مبدل DC-DC با راندمان بالا برای کاربردهای ولتاژ بالا که منبع ورودی در آنها غیر رگوله است ارائه شده است. این مبدل مخصوصاً برای راه‌اندازی تقویت کننده‌های لامپ خلأ زمانی که منبع ورودی آن متغیر است (مثلاً انرژی خورشیدی) مناسب است. مبدل پیشنهادی از یک طبقه مبدل Boost تشکیل شده است که هم از انتقال تغییرات ولتاژ ورودی به اینورتر جلوگیری می‌کند و هم ولتاژ خروجی مبدل را در یک مقدار مشخص ت...

در این مقاله، استراتژی کنترلی جدیدی جهت تنظیم ولتاژ بارهای بحرانی در مقدار نامی برای ریزشبکه‌های فشارضعیف پیشنهاد شده است. در این مقاله بدون ارتباط مخابراتی، افت ولتاژ امپدانس رابط بین خروجی DG تا نقطه اتصال مشترک (PCC) به‌ازای عبور توان‌های اکتیو و راکتیو جبران شده است. روش کنترل Q – V اصلاح شده تا ولتاژ بار بحرانی در مقدار نامی تنظیم شود. همچنین، توان‌های اکتیو و راکتیو بار به‌صورت دقیق بر اس...

حسین اژدر فائقی بناب محمدرضا بنائی

چکیده: در این مقاله یک مبدل dc-dc بدون ترانسفورماتور با ضریب بهره بالا و تنش ولتاژ پائین در دو سر کلید فعال پیشنهاد می‌شود. در این مبدل تنها یک کلید فعال به ‌کار رفته است، لذا کنترل مبدل پیشنهادی ساده بوده و تلفات هدایتی کلید فعال نیز پائین است. بهره ولتاژ مبدل پیشنهادی در مقایسه با مبدل افزاینده مرسوم بالاتر بوده و مبدل پیشنهادی ناحیه کاری رژیم هدایت پیوسته را گسترش می‌دهد. مبدل پیشنهادی دارای...

در این مقاله با استفاده از یک سیستم فازی، سیستم قدرت به نواحی مختلف تقسیم گردیده تا به وسیله‌ی کنترل‌کننده‌های محلی از پخش اغتشاش بین نواحی آن جلوگیری کند. یک روش کنترل ولتاژ ثانویه بر اساس الگوریتم‌های بهینه‌سازی برای پیدا کردن باس‌های کنترلی (باس‌هایی که جبران‌کننده‌ها در آن‌ها برای کنترل ولتاژ نصب می‌شوند) ارائه شده است. سپس تعدادی از باس‌ها به‌عنوان باس‌های کنترلی انتخاب شده‌اند. الگوریتم ک...

با افزایش ظرفیت و تعداد منابع انرژی پراکنده، حفظ اتصال این منابع در حین وقوع اختلالات ضروری است. از جمله اقداماتی که برای این منظور باید انجام شوند، فراهم کردن ولتاژ با کیفیت مطلوب برای تغذیه بارهای مهم و محدوسازی جریان و ولتاژ منابع مبتنی بر مبدل‌های الکترونیک قدرت در حین خطا است. این مقاله به بررسی عملکرد ساختار متداول کنترل سلسله مراتبی ریزشبکه‌های جزیره‌ای در حین و پس از رفع خطا می‌پردازد. ...

داریوش رستمی‌فرد علی نصیری, محمد امیر حمزه تفرشی

این مقاله پس از معرفی اجمالی دستگاه پلاسمای کانونی 1-MTPF، نمونه‌هایی از داده‌های تجربی آن را ارایه می‌دهد. داده‌ها نشان می‌دهند که می‌توان با انتخاب فشار گاز و ولتاژ تخلیه‌ی مناسب، شرایطی را فراهم کرد تا تنگش پلاسما در محدوده‌ی خاصی از زمان اتفاق بیفتد. علاوه براین، تأثیر فشار گاز و ولتاژ تخلیه بر سرعت متوسط حرکت لایه‌ی جریان نیز مورد بررسی قرار گرفت که نشان داد که در صورت استفاده از گاز آرگون...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید