نتایج جستجو برای: گاف انرژی

تعداد نتایج: 33659  

ژورنال: :فیزیک کاربردی 0
حمدا. صالحی دانشگاه شهید چمران ، اهواز, سارا دادگر علوم و تحقیقات ,آزاد اهواز

در این مقاله ساختار نوارهای انرژی و پارامترهای ساختاری ترکیب ازجمله ثابت شبکه، مدول حجمی، تراکمپذیری و بهینه سازی حجم  درسرامیک  درفاز تتراگونال  محاسبه شده است.محاسبات با استفاده ازروش شبه پتانسیل درچارچوب نظریۀ تابعی چگالی اختلالی وبااستفاده ازنرم افزارمحاسبه شده است.ساختارنوارهای انرژی یک گاف نواری مستقیم به اندازهev5/4رادرنقطه داردکه بانتایج تجربی ونظری به دست آمده ازدیگرروش ها سازگاری خوبی...

در این مقاله، خواص الکترونی گرافین در حضور وغیاب ناخالصی‌های نیکل و طلا با استفاده از روش نظریه تابعی چگالی بررسی می‌شود. در تمامی موارد با استفاده از نتایج به دست آمده ساختار الکترونی، چگالی حالت‌ها، پایداری، گاف انرژی و گشتاور مغناطیسی مطالعه شده است. محاسبات ما با استفاده از نرم افزار SIESTA انجام شده و از تقریب‌های GGA و LDA برای پتانسیل تبادلی- همبستگی استفاده شده است. با افزایش اندازه‌ی م...

در این مقاله خواص الکترونی و اپتیکی ترکیبات کلکوژنید  در حالت سطح در راستای (001) مورد مطالعه قرار گرفته است. محاسبات با استفاده از روش شبه‌پتانسیل در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی (DFT) با استفاده از نرم‌افزار کوانتوم ‌اسپرسو با تقریب شیب تعمیم یافته (GGA) انجام شده است. گاف نواری ترکیبات CuSbX2(X=Se,S) در حالت انبوهه به‌ترتیب 80/0 و93/0 الکترون ولت است اما در حالت ...

الهام گردانیان, حمدالله صالحی

در این مقاله ویژگی­های ساختاری و الکترونی ترکیب­های سه تایی AgGaS2 و AgGaSe2 در حالت انبوهه و نانولایه­های آن در جهت [112] با استفاده از نظریۀ تابعی چگالی و امواج تخت بهبود یافتۀ خطی با پتانسیل کامل، تحت برنامۀ Wien2k، مورد بررسی قرار گرفته­اند. محاسبات بادرنظر گرفتن ابرسلول­های اورتورومبیک و شرایط مرزی دوره­ای، میزان خلأ مناسب و کاهش نیروهای کل وارد بر اتم­ها انجام شده­ان...

ژورنال: شیمی کاربردی 2016
زهره رحیمی اهر لیلی رحیمی اهر,

در این تحقیق، گاف انرژی HOMO-LUMO، قطبش­پذیری، پارامترهای ساختاری، جرم مولکولی، سختی، پتانسیل شیمیایی و شاخص الکتروندوستی ترانس- سینامالدهید یکی از مواد موثره دارچین در فاز گازی و در حلال­های اتانول، استون و دی کلرومتان محاسبه شده است. محاسبات با استفاده از نظریه تابعی دانسیته با روش B3LYP و با مجموعه پایه­­های 6-311G+(d,p) و DGDZVP بر روی ترکیب انجام شده است. مطابق محاسبات انجام شده گاف انرژی ...

لایه‌های نازک ZnS بر روی زیرلایه‌های شیشه‌ای در دماهای مختلف زیرلایه به دو روش تبخیر در خلأ (PVD) و اسپری پایرولیزیز لایه‌نشانی شدند و در دمای °C 500 درهوا بازپخت گردیدند. تغییر در خواص اپتیکی و ساختاری لایه‌ها توسط طیف پراش اشعة ایکس و طیف‌سنجی UV/VIS بررسی شد و همچنین به‌کمک داده‌های طیف عبوری، گاف انرژی محاسبه گردید. نتایج آزمایش‌ها حاکی از آن است که همة لایه‌ها دارای ساختار مکعبی هستند. تبل...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه الزهراء - دانشکده علوم پایه 1390

نمونه های سیلیکان متخلخل از ویفرهای سیلیکان نوع p، با زمان های خوردگی 10و 20 و 30 و 40 دقیقه، با چگالی جریان ثابت ساخته شدند. تصاویر sem گرفته شده از بالا و سطح مقطع نمونه ها نشان داد که با افزایش زمان خوردگی، میزان تخلخل و ضخامت لایه ی متخلخل افزایش می یابند. برای گرفتن طیف جذب اپتیکی نمونه ها، لایه ی سیلیکان متخلخل از زیر لایه ی سیلیکان به روش مکانیکی جدا شد، به این ترتیب سیلیکان متخلخل بر پا...

ژورنال: :شیمی کاربردی 0
لیلی رحیمی اهر گروه شیمی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اهر، اهر، ایران زهره رحیمی اهر 2 گروه مهندسی شیمی، دانشگاه اصفهان، اصفهان، ایران

در این تحقیق، گاف انرژی homo-lumo، قطبش­پذیری، پارامترهای ساختاری، جرم مولکولی، سختی، پتانسیل شیمیایی و شاخص الکتروندوستی ترانس- سینامالدهید یکی از مواد موثره دارچین در فاز گازی و در حلال­های اتانول، استون و دی کلرومتان محاسبه شده است. محاسبات با استفاده از نظریه تابعی دانسیته با روش b3lyp و با مجموعه پایه­­های 6-311g+(d,p) و dgdzvp بر روی ترکیب انجام شده است. مطابق محاسبات انجام شده گاف انرژی ...

حجت الله باده یان حمداله صالحی زهره جاودانی,

در این کار برخی از ویژگی‌های ساختاری، مغناطیسی و الکترونی ترکیبSrFe2O4  بررسی می‌شود. محاسبات با استفاده از روش امواج تخت تقویت‌شدۀ خطی با پتانسیل کامل (FP-LAPW)، در چارچوب نظریۀ تابعی چگالی با تقریب‌های مختلف برای انرژی تبادلی-‌همبستگی و با استفاده از نرم‌افزار Wien2k صورت گرفته است. نتایج نشان می‌دهند که برای ترکیب SrFe2O4 نظم فری‌مغناطیس، پایدارترین حالت مغناطیسی است که برای نظم فری‌مغناطیس،...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی - دانشکده علوم 1391

عبور الکترون و رسانندگی ابرشبکه ی گرافن را می توان به روش ماتریس گذار بررسی کرد. ابر شبکه گرافن شامل سد و چاههای پشت سر هم است. گرافن بر خلاف رساناهای دیگر، بین باندهای هدایت و ظرفیتش فاصله ندارد. چنین فاصله ای برای کاربردهای الکترونیکی ضروری است. زیرا به ماده اجازه می دهد جریان الکترون ها را قطع و وصل کند. یکی از مشکلات وسایلی که با گرافن ساخته می شوند، وجود مینیمم رسانندگی در ولتاژ صفر است....

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید