بررسی انباشتگی بار در دیواره های چاه کوانتومی ingan/gan و میدان الکتریکی در چاه کوانتومی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد
- نویسنده حمیده خادمی
- استاد راهنما حسین مختاری قاسم انصاری پور
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1389
چکیده
در این تحقیق به بررسی ساختار چاه کوانتومی تحت کرنش ingan/ganورتزیت پرداخته ایم. هدف اصلی ما در این پایان نامه محاسبه میدان الکتریکی در چاه کوانتومی ingan/gan و نیز چاه های کوانتومی چندتایی آنها است. روش ما برای این محاسبه، حل معادله کرنش به منظور بدست آوردن بارهای پلاریزاسیون که عمدتاَ بدلیل تغییر ناگهانی ثابت-های پیزوالکتریک در سطح مشترک چاه و سد حاصل می شود می باشد، حل خود سازگار معادلات پواسون و k.p شرودینگر 8- نواری برای محاسبه حامل های آزاد در دیواره های چاه کوانتومی انجام شده است. این شبیه سازی یک بعدی برای میدان الکتریکی و حاملهای آزاد با استفاده از نرم افزار nextnano++برای حالتهای مختلف پلاریته سطح gan، ضخامتهای مختلف و نسبتهای ایندیم متفاوت چاه ingan و چاه های چندتایی ingan با ضخامتهای مختلف چاه و سد، ارائه شده است. در این بررسی مشاهده شده است که با افزایش پهنای چاه تا پهنای بحرانی افت پتانسیل بطور خطی افزایش یافته و میدان ثابت می ماند در حالیکه پس از آن افت پتانسیل ثابت ولی میدان کاهش می یابد همچنین در چاه های کوانتومی چندتایی، کنار هم قرار گرفتن چاه ها باعث ایجاد میدان قابل ملاحظه ای در لایه های سد می گردد.
منابع مشابه
ذره در چاه کوانتومی با دیواره متحرک
We study the problem of a quantum particle in an infinite one dimensional potential well with a moving wall. Based on the effective Hamiltonian approach and using the gauge transformation concepts, we show that the effect of the moving wall appears as an extra phase factor in the wave function which depends on the velocity of the wall.
متن کاملوابستگی انرژی گذارهای اپتیکی در نانوساختارهای چاههای کوانتومی GaN/AlGaN به پهنای سد و چاه کوانتومی
Internal polarizations field which take place in quantum structures of group-III nitrides have an important consequence on their optical properties. Optical properties of wurtzite AlGaN/GaN quantum well (QW) structures grown by MBE and MOCVD on c-plane sapphire substrates have been investigated by means of photoluminescence (PL) and time resolved photoluminescence (TRPL) at low-temperature. PL ...
متن کاملطراحی و شبیه‌سازی سلول خورشیدی سه‌پیوندی بر مبنای چاه کوانتومی
In this paper, the purpose is to improve the efficiency of triple-junction solar cell by introducing quantum well into GaAs junction. Firstly, InGaP/GaAs/InGaAs triple-junctions solar cell has been simulated. Then, a multiple stepped quantum wells (MSQWs), in which InGaAs well is sandwiched by InGaAsP as stepped layer, and the barrier is GaAs, has been introduced into intrinsic region of single...
متن کاملوابستگی انرژی گذارهای اپتیکی در نانوساختارهای چاههای کوانتومی gan/algan به پهنای سد و چاه کوانتومی
در این مقاله اثر پهنای سد و پهنای چاه کوانتومی gan/algan بر روی انرژی گذارهای اپتیکی و طیف فتولومینسانس آنها با استفاده از تکنیک فتولومینسانس مورد بررسی قرار گرفته است. مطالعه طیف فتولومینسانس این چاه های کوانتومی در دماهای پایین نشان می دهد که نحوه تغییرات انرژی گذار اپتیکی بر حسب پهنای سد در ساختارهای کوانتومی gan/algan بر خلاف آنچه که در سایر نیمرساناها از قبیل آلیاژهای gaas مشاهده شده, می ب...
متن کاملبررسی دینامیک کوانتومی مدارهای الکتریکی مزوسکوپی با بار گسسته
The quantum dynamics of a charged particle in an infinite chain of single-state quantum wells, in tight-binding approximation and under the action of an arbitrary time-dependent external field is investigated. The connection between the Hamiltonian description of this model and the Hamiltonian of a discrete-charge mesoscopic quantum circuit is elucidated. Based on this connection, the persist...
متن کاملبهینه سازی بهره اپتیکی در لایه های نازک دیودهای لیزری چاه کوانتومی
Advanced diode laser consists of a two dimensional thin layer which is about 10 nanometers size. Optical gain of thin layers has a great deal of importance in light amplification. Thin layers cause a modification in conduction and valance bands of bulk materials. · Subbands have been computed through effective mass equations. As a result of this method, particular effective masses are avai...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه یزد
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023