طراحی گیرنده نوری با نرخ داده بالا در فناوری سی ماس

در این پایان نامه یک گیرنده نوری شامل تقویت کننده امپدانس انتقالی و تقویت کننده محدودکننده در فناوری cmos 180nm برای نرخ داده2.5gb/s طراحی شده است. در بخش تقویت کننده امپدانس انتقالی، یک روش فیدبک فعال جدید با استفاده از یک تضعیف کننده فعال با بهره منفی، جهت افزایش پهنای باند پیشنهاد شده است. با فرض پذیرش 7% پیک در پاسخ فرکانسی، 20% افزایش توان مصرفی و افزایش ناچیز سطح تراشه این روش می تواند حدود 160% موجب بهبود پهنای باند شود. در بخش تقویت کننده محدود کننده، پهنای باند لازم با استفاده از خازن منفی بدست آمده است. این روش حدود 50% بهبود در پهنای باند را نتیجه داده است به طوری که هزینه پرداختی برای آن افزایش حدود 20% در توان مصرفی و 80% در سطح تراشه بوده است. مساحت سطح تراشه کل 0.016mm مربع بدون در نظر گرفتن پدها می باشد و توان مصرفی کل (بدون در نظر گرفتن جریان بافر خروجی) حدود 14 میلی وات اندازه گیری شده است.