طراحی وتحلیل ساختاریک ترانزیستورhemtمبتنی برganجهت استفاده درتقویت کننده های کم نویز

تحقیق حاضربه طراحی وتحلیل ساختاریک ترانزیستور algan/gan-hemtباطول گیت um25/. وهمچنین استفاده ازاین افزاره برای طراحی یک تقویت کننده کم نویزباندباریک درفرکانس ghz10می پردازد.دراین راستا ابتداافزاره موردنظررادرنرم افزارسیلواکو طراحی وپس ازانجام شبیه سازی مشخصه های الکتریکی وهم چنین مشخصه های نویزمایکروویوآن رابررسی می نماییم.عملکردنویزافزاره موردنظرازفرکانس ghz1تاghz20ودروضعیت بایاس های مختلف شبیه سازی شده است.درv10=vdsو v4-=vgs افزاره عددنویزمینیممdb41/.= nfminوهم چنین ماکزییم گین دردسترسdb2/20= gmaرادرفرکانس 10گیگا هرتزازخود نشان داده است.درادامه بااستخراج پارامترهای پراکندگی یاهمان s-parameter وهمچنین پارامترهای نویزترانزیستوروایجادیک فایلs2pدرنرم افزارadsسه تقویت کننده کم نویزباساختارهای متفاوت طراحی کرده ایم.ساختاراول با استفاده ازعناصرتوزیع شده درشبکه تطبیق وعناصرفشرده درشبکه بایاس طراحی شده وعدد نویزوبهره آن به ترتیب برابرdb14/1وdb97/15می باشد.ساختاردوم بااستفاده ازعناصرفشرده درشبکه تطبیق وبایاس طراحی شده وبه ترتیب دارای عددتویزdb17/1nf(2)= وبهرهdb16 s21=می باشد.ساختارسوم بااستفاده ازعتاصرتوزیع شده درشبکه تطبیق واستاب های زاویه ای درشبکه بایاس طراحی شده وبه ترتیب دارای عددتویزdb09/1 nf(2)=وبهرهdb72/15s21= می باشد