در این مقاله روش‌ خطی‌سازی تقویت کننده‌های RF با استفاده از پیش اعوجاج ساز دیجیتال را مورد مطالعه قرار می‌دهیم و روشی برای تطبیقی کردن این مدار دیجیتالی پیشنهاد می‌کنیم و مزایا و معایب آن را نسبت به مدارهای مرسوم پیش اعوجاج ساز دیجیتالی بررسی می‌کنیم. مدارهای پیش‌اعوجاج‌ساز یک مشکل اصلی برای رسیدن به حالت مطلوب دارند و آن مشکل اثر حافظه است. در ادامه کار یک مدار جدید مبتنی بر یک سیستمD...

در این مقاله روش‌ خطی‌سازی تقویت کننده‌های RF با استفاده از پیش اعوجاج ساز دیجیتال را مورد مطالعه قرار می‌دهیم و روشی برای تطبیقی کردن این مدار دیجیتالی پیشنهاد می‌کنیم و مزایا و معایب آن را نسبت به مدارهای مرسوم پیش اعوجاج ساز دیجیتالی بررسی می‌کنیم. مدارهای پیش‌اعوجاج‌ساز یک مشکل اصلی برای رسیدن به حالت مطلوب دارند و آن مشکل اثر حافظه است. در ادامه کار یک مدار جدید مبتنی بر یک سیستمD...

با هدف شبیه‌سازی پاسخ آشکار سوسوزن 213NE به نوترون­‌های چشمه­‌ی Am-Be، محاسبه­‌های ترابرد نوترون و ذرات باردار ثانویه با استفاده از برنامه‌­ای که خروجی کارت PTRAC کد MCNPX را پس‌پردازش می‌کند (برنامه­‌ی MCNPX-PHOTRACK) و محاسبه­‌ی مقدار نور سوسوزنی هر کدام از ذرات باردار از طریق منحنی‌های نوری معتبر، و در نهایت، محاسبه­‌ی ترابرد نور سوسوزنی نیز با استفاده از کد PHOTRACK به انجام رسید. به منظور ...

د در این مقاله، در رهیافتِ تنگ­بست و به روش تابعِ گرین به محاسبۀ رسانش و عدد اِشغالِ الکترونی یک مولکول بنزن پرداخته ایم، که به­صورتِ اتّصال­های اُرتو، مِتا و پارا به دو هادی فلزّی ساده متّصل شده است. اثرِ عواملی همچون محل اتّصالِ هادی ها، قدرتِ دوپارش و اِعمالِ ولتاژ، را روی مقدارِعدد اِشغالِ الکترونی در مسیرهای ممکنِ عبورِ الکترون بررسی کرده­ایم. نتایجِ محاسبات حسّاسّیتِ نسبتاً زیاد مقدارِ عدد اِشغال را به این عوامل نشا...

محاسبه ضریب هال در رهیافت نیمه کلاسیک نیاز به مشتق های اول و دوم انرژی در نزدیک سطح فرمی دارد. بدین منظور ما از توابع وانیر بیشینه-جایگزیده استفاده می کنیم و ویژه مقادیر انرژی و مشتقات آنها را در پایه این توابع، در هر نقطه اختیاری k در فضای وارون، به دست می آوریم. در این کار توابع وانیر بیشینه - جایگزیده را برای فلزات مکعبی pb ، pd ، li ، cu ، au ، ag و al محاسبه کردیم. سپس با استفاده از آنها ر...

در این تحقیق با استفاده از فرمول بندی تابع گرین و رابطه لانداور-بوتیکر به بررسی رسانش و پدیده مغناطومقاومت در مولکول پلی تیوفن می پردازیم و اثرات برهمکنش الکترون-فونون، الکترون-الکترون و حضور میدان الکتریکی ناشی از ولتاژ اعمالی را بر روی خواص رسانندگی بررسی خواهیم کرد. مولکول پلی تیوفن در این تحقیق به وسیله هامیلتونی سو-شریفر-هگر توصیف میشود و الکترودها در تقریب باند پهن بررسی میشوند. بر اساس ن...

پس از آنکه در سال 2004 تک لایه دو بعدی گرافین در آزمایشگاه ساخته شد، توجه دانشمندان به بررسی ویژگی های این ماده معطوف گردید. القای خواص ابررسانایی و فرومغناطیسی بوسیله اثر مجاورت در گرافین، موجب شد تا زمینه ی مناسبی برای مطالعه ویژگی های ترابردی اتصالات پایه-گرافینی شامل ابررسانا، فرومغناطیس و عادی (گرافین در حالت عادی) پدید آید. هم چنین مقاومت مغناطیسی غول آسا، gmr، پدیده دیگری است که کشف آن د...

در این پایان نامه روشی برای تعیین نوع کلاتر محیطی ارائه شده است. مزیت این روش به روش های دیگر عدم استفاده از نقشه های جغرافیایی محیط اطراف رادار می باشد. این روش با بکارگیری آزمون فرضیه ای که از داده های مستقل بازگشتی از سلول های اطراف رادار استفاده می کند محقق می گردد. آشکار سازهایی برای تعیین تشابه یا عدم تشابه ماتریس های کواریانس سلول های اطراف رادار استخراج شده است. همچنین خصوصیات آماری این...

مقدمه: رادیکال­های آزاد، محصولات جانبی طبیعی سوخت و ساز بدن به شمار می­روند که در حضور آنتی­اکسیدان­ها اثر این رادیکال­های آزاد خنثی شده و آسیب­های ناشی از آنها کمتر می­شود. یکی از آنتی­اکسیدان­های طبیعی ریبوفلاوین می­باشد که در بیشتر مواد گیاهی و حیوانی وجود دارد. مولکول ریبوفلاوین یک ماده حساس به نور نیز هست که از طریق واکنش فوتوشیمیایی باعث ایجاد تغییر شیمیایی در مولکول­های ...

در این مقاله رسانش اسپینی گرافین گاف دار را محاسبه و نحوه تغییرات آن را با پارامتر های مختلفی از جمله مغناطش، اندرکنش کولنی و گاف انرژی بررسی می کنیم. برای هامیلتونی سیستم از مدل هابارد استفاده می کنیم. در دو وضعیت رسانندگی را به دست می آوریم. یکی بدون در نظر گرفتن اندرکنش کولنی بین الکترون ها و دیگری با حضور اندرکنش کولنی بین الکترون ها. می بینیم که در حالت غیر اندرکنشی با افزایش مغناطش و گاف ...