نانو اسپینترونیک که همان کاربرد فناوری نانو در تولید قطعات اسپین – الکترونیکی می باشد یکی از زمینه های بسیار پر کاربرد و جذاب از علوم و فناوری نانو است. در نانو اسپینترونیک از درجه آزادی اسپین الکترون به منظور انجام محاسبات استفاده می شود. به عنوان کاربردی از نانو اسپینترونیک در صنعت، می توان از مقاومت های مغناطیسی بزرگ (gmr) نام برد که از آنها در دیسک های سخت استفاده می شود. تولید جریان های ...

با توجه به کاربرد وسیع نانوساختارهای نیم رسانای zno در ساخت وسایل اپتوالکترونیکی، حسگرها، ذخیره ی انرژی و هم چنین استفاده ی آن به عنوان کاتالیست، این موضوع انتخاب شد. آلایش ناخالصی در نیم رساناها با عناصر مختلف بر خواص فیزیکی مثل خواص الکتریکی، اپتیکی، مغناطیسی و ساختاری به شدت اثر می گذارد که برای کاربردهای عملی بسیار مهم است. به طور کلی عناصر مورد نظر که به عنوان آلایش در zno استفاده می شوند ...

در دهه های گذشته، نانوفنآوری پیشرفت های قابل توجهی داشته است و تأثیرات آن در همه ی زمینه ها مشهود است. نانومواد نیم رسانای تک بعدی مانند نانوسیم ها و نانولوله ها، به علت کاربرد در ابزارهایی که برای اندازه گیری در ابعاد نانو مورد استفاده قرار می گیرند، توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. این نانوساختارها در ساخت دیودهای نوری، حسگرهای بیوشیمیایی و ترانزیستورهای اثر میدان کاربرد دارند. ایندیوم آرسن...

موضوع تحقیق این پایان نامه "اصلاح عملکرد قطعات الکترولومینسانس با استفاده از نانومواد"می باشد که در این خصوص ابتدا نانوسیم های ایندیم به روش تزریق داغ تحت خلاء سنتزشده و نتایج آن موید سنتز موفقیت آمیز نانوسیم های ایندیم به صورت آرایه ای دو بعدی و نانوسیم های آزاد می باشد. برای تهیه آرایه های دو بعدی نانوسیم های ایندیم که در قالب آلومینا سنتز شدند، از حلال های شیمیایی مانندهیدروکسیدسدیم جهت حذف ...

در دهه ی اخیر، نانوسیم های آلیاژی مغناطیسی مرکز توجه بسیاری از فعالیت ها واقع شده اند که به دلیل کاربردهای وسیع شان در زمینه های مختلف به خصوص دستگاه های ضبط مغناطیسی با چگالی فوق العاده بالا، gmr و ... می باشد. در این پروژه به ساخت و توصیف مشخصه های نانوسیم های سه آلیاژی مغناطیسی cofezn پرداخته شده است. روش ساخت این نانوسیم ها مشتمل بر دو بخش است:1) تهیه قالب آلومینیوم آندی به روش آندیزاسیون ن...

در میان مواد هوشمند، آلیاژهای حافظه دار به دلیل ایجاد کرنش های زیاد و رفتارهای ویژ? خود، همواره مورد توجه پژوهشگران بوده و تلاش های زیادی برای مدل کردن رفتار این مواد صورت گرفته است. شاخه ای از این مواد که به تازگی مورد توجه پژوهشگران قرار گرفته است، علاوه بر رفتارهای متداول آلیاژهای حافظه دار قادر به ایجاد کرنش در میدان مغاطیسی می باشد. به این مواد آلیاژهای حافظه دار فرومغناطیس می گویند. تاکنو...

مایع هلیم-3 قطبیده اسپینی، یک سیستم بس ذره ای حائز اهمیت است که از آمار فرمی-دیراک تبعیت می کند. چندین تکنیک نظری و روش های تجربی برای بررسی خواص مایع هلیم-3 غیر قطبیده و قطبیده بکار برده شده است. در این رساله ما از روش وردشی پایین ترین مرتبه مقید برای محاسبه ی برخی از خصوصیات ترمودینامیکی مایع هلیم-3 در دمای صفر و در حضور میدان مغناطیسی استفاده کرده ایم. تابع موج آزمایشی فقط شامل تصحیح دو جمله...

در این پایان نامه با توجه به ساختارهندسی نانوسیم کوانتومی v شکل با پهنای شیار متغیر و مدل تحلیلی آن یک پتانسیل موثر با تقریب پیشنهاد شده است. با یک انتقال مناسب دردستگاه مختصات معادله ی شرودینگردو بعدی به دو معادله ی یک بعدی تجزیه می شود. توابع موج وترازهای انرژی الکترون و حفره در سیم v شکل به دست آمده است.با رسم نمودار پربند سطحی تقید قوی الکترون و حفره به طور واضح آشکار می شود.انرژی های به دس...

از طریق روش اکسیداسیون گرمایی نانوسیم های اکسیدروی سنتز شده اند. مشخصه یابی نانوسیم ها توسط میکروسکوپ الکترونی روبشی، طیف فوتولومینسانس، پراش پرتو ایکس و طیف تراگسیل انجام شده است. گاف انرژی نمونه ها از طریق داده های حاصل از طیف تراگسیل در گستره طول موج 800-300 نانومتر تعیین شده است. با افزایش دمای گرمایی از 500 به 600 درجه سانتیگراد میانگین قطر نانوسیم ها افزایش یافته است ولی باافزایش بیشتر دم...

در این مقاله با استفاده از روش تابع گرین در رهیافت تنگ بست و رژیم پاسخ خطی، به مطالعه ی رسانش الکتریکی یک نانوسیم شامل اتم های سطحی مرتعش که بین دو هادی صلب ساده قرار گرفته است، پرداخته ایم. با بهره گیری از فضای فوک، اثر برهمکنش الکترون ـ فونون را در ضریب عبور الکترونی مورد بررسی قرار داده ایم. نتایج نشان می دهد که مکان قله های تشدیدی رسانش با افزایش قدرت برهمکنش الکترون ـ فونون به سمت انرژی ها...