نتایج جستجو برای: کلیدزنی خازنی

تعداد نتایج: 942  

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی - دانشکده برق 1392

دراین پایان نامه، تکنیک مدولاسیون جدیدی برای انتقال بی سیم همزمان داده و توان در بردکوتاه ‏ به ‏ریزسیستم های قابل کاشت در بدن ‏ به نام مدولاسیون حکاکی دامنه ‏amplitude-engraving ‎modulation (aem)‎‏ که از روش رمزگذاری قطبیت پالس ‏pulse-polarity encoding (ppe)‎‏ استفاده ‏می کند، معرفی شده است. از این روش مدولاسیون، برای انتقال همزمان توان و داده با نرخ بالا از طریق ‏لینک خازنی به عنوان یک لینک بی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی 1390

در این رساله کنترل سیست مهای پیچید های مورد بحث است که رو شهای استاندارد و مرسوم کنترل با ساختار ثابت، مبتنی بر طراحی کنتر لکننده ای واحد برای آن ها عملکرد مطلوب را تامین نمی کند. از آ نجمله برای سیستم های با نامعینی گسترده، اغلب استفاده از یک کنترل کننده مقاوم مشخصات مطلوب پایداری و عملکرد مقاوم را در تمام حوزه نامعینی فراهم نمی آورد و یا عملکرد رضایتبخشی حاصل نمی شود. راهکار پیشنهادی، اس...

در این مقاله با استفاده از تحلیل معادلات نرخ تفاضلی تأخیری، رژیم‌های پویا و پویایی رفتاری لیزر نیمه‌هادی مبتنی بر نقاط کوانتومی با استفاده از معیار عملکرد جاذب اشباع‌پذیر کوتاه و بلند برای قفل‌شدگی حالت غیرفعال مورد بررسی قرار گرفته است. سپس این معیارها برای اولین بار برای حالت قفل ترکیبی مورد بررسی قرار گرفته است و نشان داده شده که در قفل حالت ترکیبی با جاذب اشباع‌پذیر کوتاه در مقایسه با قفل ح...

در این مقاله یک الگوریتم تکاملی قابل اطمینان و مؤثر به منظور ارائه الگوی کلیدزنی حذف انتخابی هارمونیک (SHE) پیشنهاد می‌گردد. این روش قادر خواهد بود تعداد درخور توجهی ‌هارمونیک مرتبه پایین ولتاژ خط، در خروجی اینورتر با مدولاسیون پهنای پالس (PWM) را حذف نماید. تعیین الگوی کلیدزنی برای حذف انتخابی هارمونیک‌های مرتبه پایین یک اینورتر PWM مستلزم حل یک دستگاه معادلات غیرخطی است. در این مقاله از الگور...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس 1388

با استفاده وسیع از کامپیوترها تقریبا در تمام فعالیت‏های اقتصادی، صنعتی و فردی، نیاز به حفظ اطلاعات بیش از پیش احساس می‏گردد. استفاده از الگوی کلیدزنی برای تائید هویت کاربر، بر خلاف اکثر روش‏های بیومتریک، نیازی به سخت افزار خاص ندارد. در تأیید هویت با متن آزاد، الگوی کلیدزنی کاربر در تمام طول کار با کامپیوتر بررسی می‏شود و تنها به زمان ورود کاربر به کامپیوتر محدود نمی‏شود. برای تأیید هویت متن آز...

اندازه­گیری دبی جرمی با استفاده از حسگرهای خازنی به عنوان روش ارزان و سریع توسعه یافته است. اما پیش­بینی دبی جرمی به علت وابستگی پاسخ حسگر به عوامل مختلف و پیچیدگی اثر این عوامل دشوار است؛ لذا در این مطالعه پتانسیل شبکه عصبی مصنوعی (ANN)، سیستم استنتاج فازی (ANFIS)  و تکنیک‌های رگرسیون چندگانه (MR)  برای پیش‌بینی دبی جرمی شلتوک با استفاده از سنسور خازنی مورد بررسی قرار گرفت. بسامد، رطوبت و ولتا...

به طورکلی در طراحی منابع تغذیه پالسی ولتاژ شارژ بانک‌های خازنی و زمان سوئیچ شدن آنها از جمله پارامترهایی هستند که نقش اساسی در شکل و دامنه پالس خروجی ایفا می‌کنند. در این مقاله روشی جدید جهت طراحی منبع تغذیه پالسی پیشنهاد شده است. در این روش با استفاده از الگوریتم ژنتیک تحت محیط نرم‌افزار MATLAB مجموعه‌ای از مقادیر ولتاژهای شارژ بانک‌های خازنی و زمان سوئیچ شدن آنها، برای بهینه سازی چند هدفی منب...

مدل جامعی برای یک خازن MOS، که به صورت یک MOSFET n- کانال نوع تخلیه ای در یک فن آوری CMOS زیر میکرونی پیاده سازی شده است، ارائه می شود. این مدل وابستگی ظرفیت خازنی به ولتاژ گیت را روی تمام گستره ولتاژ های عملیاتی منظور می کند و برازش آن به داده های اندازه گیری شده ظرفیت خازنی بر حسب ولتاژ گیت با ضریب همبستگی 99/0 مشخص می شود. با در نظر گرفتن خازن گیت و مقاومت سری مربوط به آن به صورت یک شبه RC گ...

Journal: : 2023

در این مقاله سیستم تأمین انرژی و تخلیه جریان سیم‌­پیچ چنبره‌ای توکامک دماوند به منظور افزایش زمان میدان‌های مغناطیسی با هدف ماندگاری پلاسما، طراحی شبیه‌سازی شده است. حال حاضر سیم­‌پیچ دارای نیم سیکل سینوسی مدت ms 100 پیک kA 12 است که میدان مغناطیس تقریباً T 1/1 مرکز چنبره تولید می‌کند ناحیه تخت آن حدود 20 می‌باشد برای تشکیل محصورسازی پلاسما استفاده می‌گردد. ارتقاء 200، ضروری سیستم‌های کنترل مربو...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تربیت مدرس - دانشکده برق و کامپیوتر 1391

در این پژوهش، جاذب های صفحه ای غیرمغناطیسی مورد بررسی قرار گرفته اند. به کمک روش خط انتقال، مدار معادل و نمودار اسمیت دو جاذب پهن باند در باند های c و x به وسیله ساختارهای متناوب طراحی و تحلیل شده اند. جاذب اول در باند c در مقایسه با صفحه سلیزبری به ازای افزایش 2 میلیمتری در ضخامت، پهنای باند db20- را از 25.3 درصد به 66.7 درصد بهبود می دهد. در طراحی جاذب دوم در باند x، با معرفی یک سلول واحد جدی...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید