چکیده   در این تحقیق مسئله بهینه سازی ستون های چندتکه با مقطع ثابت و متغیر بررسی شده است. متغیرهای بهینه سازی طول و شعاع ژیراسیون بوده و تابع هدف، مقدار بار بحرانی کمانش است. ملاک بهینه سازی بیشینه کردن نیروی کمانش است. مسائل مختلفی برای شرایط مرزی گوناگون از جمله یک سردرگیر، دوسردرگیر و دوسرپین دار حل شده است. برای مسائل مقطع متغیر فرض شده است که شعاع ژیراسیون به صورت خطی نسبت به طول تغییر می ...

هدف از این مقاله، ارائه یک تکنیک طراحی برای ساختن مدار cmos ota است که به صورت الکترونیکی و خطی قابل تنظیم می باشد. هدایت انتقالی ((gm در مدار، مستقیما به جذر جریان بایاس بستگی دارد. در این مقاله برای ایجاد ولتاژ خروجی ماکزیمم و ایجاد یک گستره هدایت انتقالی به صورت تنظیمی و خطی از مدار cmos ota همسان استفاده می گردد. سپس تغییر هدایت انتقالی cmos ota مورد نظر و تاثیر این تغییر در عملکرد فیلترهای...

فناوری شبیه‏سازی مدارهای آسیا از حدود 30 سال گذشته مورد استفاده قرار گرفته ‏است و همچنان با توسعه مدل های ریاضی جدید که دستگاه های مختلف در مسیرهای فرآوری را شبیه‏سازی می‏کنند، کامل تر و توان‏مندتر می‏شود. اینک شبیه‏سازی و مدلسازی مدارهای فرآوری تا حدودی به راحتی قابل انجام است. برای شبیه‏سازی مدار خردایش فعلی کارخانه فسفات اسفوردی، ابتدا اقدام به اندازه گیری تابع شکست و انتخاب (در مقیاس آزمایش...

در این پژوهش یک راه حل تحلیلی برای یک نیم فضای ناهمگن مدرج تابعی که در آن خصوصیات ماده بصورت تابع توانی با شعاع در مختصات کروی تغییر می کند و تحت اثر بار متمرکز عمود بر سطح قر ار دارد ارائه می گردد. مدول یانگ متغیر در نظر گرفته شده است، ولی نسبت پواسون ثابت باقی می ماند. مسئله با استفاده از روش الاستیسیته و این نکته کلیدی که توابع تنش با مجذور شعاع در مختصات کروی، نسبت معکوس دارد، بصورت تحلیلی ...

در فرآیند فلوتاسیون برای جدایش مطلوب ذرات اغلب به بیش از یک مرحله نیاز است. طراحی مدارهای فلوتاسیون به طور معمول بر اساس قوانین تجربی است. به همین دلیل، در اکثر موارد آن ها در شرایط بهینه کار نمی کنند. برای طراحی و بهینه­سازی مدارهای فلوتاسیون می­توان از الگوریتم بهینه­ساز وراثتی استفاده کرد. در مسئله بهینه­سازی ترکیب مدار فلوتاسیون، کارایی متالورژیکی مدار (راندمان و محتوی خاکستر) را می­توان به...

ما در این پایان نامه پذیرفتاری گرافن تک لایه را محاسبه خواهیم کرد. به این صورت که ابتدا هامیلتونی گرافن تک لایه را با استفاده از روش بستگی قوی در فرم کوانتش دوم و با در نظر گرفتن ترم راشبا (یعنی با وجود اثرات اسپین-مدار القایی) محاسبه خواهیم کرد و با محاسبه ویژه حالتها و وارد کردن بر همکنش الکترون- فوتون (وجود یک میدان الکترومغناطیسی خارجی) و اضافه کردن ترم زیمن پذیرفتاری گرافن تک لایه را بدست ...

در این پژوهش به بررسی پاسخ زمانی ساندویچ ورق حلقوی متقارن که دارای هسته تشکیل شده از مواد تابعی و لایه‌های پیزوالکتریک است، پرداخته می‌شود. ورق ساندویچی به طور همزمان تحت بارگذاری نیروی مکانیکی هارمونیک و ولتاژ الکتریکی خارجی است. براساس مدل تابع توانی، فرض شده است که خواص مواد بکار رفته در هسته در جهت ضخامت هسته متغیر میباشد. همچنین برای بیان میدان جابجایی، به دلیل ضخیم بودن هسته مرکزی ساخته ش...

در این مقاله با استفاده از یک مدل خود سازگار و با لحاظ تقریب فاز تصادفی، تابع دی‌الکتریک گاز الکترونی نانوسیم‌های نیم‌رسانایInAs  وZnO  پوشیده شده با یک محیط دی‌الکتریک محاسبه شده است. همچنین نشان ‌داده‌ایم هنگامی که این نانوسیم‌ها با محیطی با ثابت دی‌الکتریک بالا (بزرگتر از ثابت دی‌الکتریک نانوسیم نیم‌رسانا ) پوشش داده شود، استتار بارهای آزاد درون ساختار نانو کاهش می‌یابد. در حالی که در محیطی ...

هدف از این مقاله، ارائه یک تکنیک طراحی برای ساختن مدار CMOS OTA است که به صورت الکترونیکی و خطی قابل تنظیم می‌باشد. هدایت انتقالی ((gm در مدار، مستقیما به جذر جریان بایاس بستگی دارد. در این مقاله برای ایجاد ولتاژ خروجی ماکزیمم و ایجاد یک گستره هدایت انتقالی به صورت تنظیمی و خطی از مدار CMOS OTA همسان استفاده می‌گردد. سپس تغییر هدایت انتقالی CMOS OTA مورد نظر و تاثیر این تغییر در عملک...

هدف از این مقاله، ارائه یک تکنیک طراحی برای ساختن مدار CMOS OTA است که به صورت الکترونیکی و خطی قابل تنظیم می‌باشد. هدایت انتقالی ((gm در مدار، مستقیما به جذر جریان بایاس بستگی دارد. در این مقاله برای ایجاد ولتاژ خروجی ماکزیمم و ایجاد یک گستره هدایت انتقالی به صورت تنظیمی و خطی از مدار CMOS OTA همسان استفاده می‌گردد. سپس تغییر هدایت انتقالی CMOS OTA مورد نظر و تاثیر این تغییر در عملک...