نتایج جستجو برای: سیلیسیم روی عایق

تعداد نتایج: 155927  

خسروفرد, زهرا سادات, راستگو, ساسان, عشقی, سعید, هدایت, محمد,

این پژوهش با هدف بررسی اثر کاربرد ریشه‌ای و محلول‌پاشی برگی سیلیسیم روی رشد توت‌فرنگی‌ و مقدار برخی عنصرهای غذایی در شرایط تنش شوری انجام شد. آزمایش در کشت بدون خاک به‌صورت فاکتوریل با دو عامل سیلیسیم و شوری در قالب طرح پایه کامل تصادفی در 3 تکرار بر روی نشاهای ریشه‌دار نشده توت‌فرنگی رقم پاجرو اجرا شد. پس از کشت و استقرار گیاهان، در مرحله چهار تا پنج برگی تنش شوری با استفاده از نمک کلرید سدیم ...

ژورنال: :مهندسی مکانیک مدرس 2013
امیر امیدوار بهنام رستی

در این تحقیق اثر محتوای رطوبتی بر روی پارامترهای عامل کاهیدگی و تأخیر زمانی برای دیوار بدون عایق و دیوار عایقکاری شده بررسی شد. نتایج نشان داد که درصد رطوبت مصالح ساختمانی تأثیر چشمگیری بر رفتار حرارتی جداره دارد. ضخامت بهینه عایق حرارتی جداره برای سه حالت، عایق داخلی، عایق میانی و عایق خارجی تحت شرایط رطوبتی مختلف محاسبه گردید. بررسی¬ها نشان داد که ناچیز فرض نمودن اثرات رطوبت می¬تواند خطای چشم...

سیلیسیم به‌عنوان یک عنصر سودمند تأثیر چندی بر رشد، عملکرد، بهبود تحمل به تنش­های محیطی و بهبود تعادل عنصرهای غذایی در گیاهان دارد. به همین منظور در تابستان سال 1393 آزمایشی در قالب طرح کامل تصادفی با چهار سطح محلول­پاشی سیلیسیم شامل 0، 40، 80 و 120 میلی­گرم بر لیتر و سه تکرار (هر تکرار شامل پنج گلدان 7/0 لیتری) به مدت دو ماه روی گل حنای گینه‌نو Impatiens hawkeri W. Bull.در شرایط گلخانه اجرا شد....

ژورنال: نانو مواد 2015
سیما میرزایی علی جزایری قره‌باغ علیرضا عبدالهی

در این پژوهش، فویل‌های نازک FINEMET با ضخامت µm 21 و پهنای mm 5 با استفاده از فناوری انجماد سریع به روش ریخته‌ریسی تولید شد. پس از تایید آمورف بودن ساختار فویل‌های انجماد سریع یافته توسط پراش اشعه X (XRD) و تعیین دمای کریستالیزاسیون توسط کالریمتری روبشی تفاضلی (DSC)، فویل‌های آمورف به منظور انجام فرآیند نانوکریستالیزاسیون و ایجاد پوشش عایق بطور همزمان، به مدت زمان 60 دقیقه تحت عملیات حرارتی آنی...

پایان نامه :وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سمنان - پژوهشکده برق و کامپیوتر 1392

چکیده با گذشت زمان وتوسعه ی ادوات نیمه هادی،ساخت این قطعات به سمت هر چه کوچکتر شدن این ابزار پیش می رود.یکی از مزایای این پیشرفت ،پیاده سازی قطعات بیشتر بر روی یک تراشه می باشد اما با کوچک شدن سایز این ادوات ،معایب و مشکلاتی در مشخصه الکتریکی آن ها به وجود می آید.در این پایان نامه ،به بررسی و بهبود این اثرات منفی می پردازیم وساختاری را برای این منظور ارائه و شبیه سازی خواهیم کرد.در فصل اول به ...

ژورنال: دانش آب و خاک 2017

برای بررسی تأثیر نیتروژن و سیلیسیم در شرایط شور برخی ویژگی‌های فیزیولوژیک دانهال‎های پسته (.Pistacia vera L) رقم بادامی ریز زرند، یک آزمایش فاکتوریل در قالب طرح کاملاً تصادفی با سه تکرار در شرایط گلخانه‌ای انجام شد. تیمارها شامل نیتروژن (0، 60 و 120 میلی‌گرم نیتروژن در کیلوگرم خاک از منبع نیترات آمونیم)، سیلیسیم (0، 1 و 2 میلی‌مولار از منبع اسید سیلیسیک) و شوری (0، 1500 و 3000 میلی‌گرم کلرید سدی...

ژورنال: :international journal of new chemistry 0

in this work, the radial distribution function (rdf) of h2 adsorption on coronene (c24) and its si substituted forms was investigated by monte carlo method. the effect of number and position of silicon substituent on the coronene (c24) was compared. the maximum value of rdf at 298 k and 0.1 mpa is 4.34 for 18 si, a structure at 0.73 å. on the basis of results, the coronene with 18 si can be sug...

در این مقاله، ترابرد ذرات مانند فرمیون های دیراک روی سطح یک عایق توپولوژیک در عبور از میدان الکتریکی خارجی و میدان مغناطیسی ناشی از حضور یک لایه فرومغناطیس بررسی شده است. در ابتدا مروری بر ویژگی های عایق توپولوژیک داشته و سپس با استفاده از معادلات دیراک هامیلتونی الکترون‌های عبوری از روی سطح را می‌نویسیم. با استفاده از تبدیلات لورنتس هامیلتونی مورد نظر را حل کرده و ویژه انرژی ها یا ویژه مقادیر ...

در این مقاله روشی جدید برای بهبود اثرات کانال کوتاه بدون پیچیدگی در فرآیند ساخت افزاره‌های سیلیسیم روی عایق در مقیاس نانو ارائه شده است. فکر اساسی در این مقاله تحقق اکسید U شکل با استفاده از ماده Si3N4 در داخل اکسید مدفون و ناحیه کانال است. مسیر میدان الکتریکی جانبی از سمت درین و سورس پس از برخورد به اکسید تعبیه شده منحرف شده و مقدار کمتری از خطوط میدان الکتریکی توانایی کافی برای عبور از اکسید ...

پایان نامه :دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده فنی 1388

وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشک...

نمودار تعداد نتایج جستجو در هر سال

با کلیک روی نمودار نتایج را به سال انتشار فیلتر کنید